PPTC组件在锂离子电池组短路及过充电保护中的应用

随着对便携式设备更长运作时间、小尺寸及重量等需求日增,促使业界不断朝体积更小、更轻的锂离子及锂聚合物电池发展,同时要具备更高能量密度与更快的充电速率。由于数字无线电话、数码相机等对脉冲电流供应的需求增加,电池充电速率与内部阻抗也成为重要课题。电池化学物具有较高的能量密度与充电速率,使电池电路保护设计变得很复杂。 以二次充电锂化学物为基础的电池和电池盒,对过电流/过温状态特别敏感,这种状况是由意外短路、滥用或难以控制的充电所致,使电池温度升高,导致电池受损或设备故障。当金属物体(如笔记本用蝴蝶夹或钥匙环)连接…     

模拟/混合器件新貌

模拟／混合器件在数字技术大行其道的今天，不但没有褪色，反而是焕发了更大的活力。现在，就让我们看看它们在几个热点领域的表现吧。     

大电流锂离子电池充电器管理系统SC801及其应用

介绍了Semtech公司最近推出的SC801单节Li 电池恒流/恒压充电器系统的主要性能和特点 ,给出了由SC801组成的用电阻分压器设定输出电压的充电器电路。同时对其预充电、快速充电及充电终止的设定方法进行了说明     

泰科电子新推RTP、MHP平台，剑指汽车、锂离子电池等电路保护应用

RTP是业界首款可过回流焊的热保护器件,可保护功率器件免受过热造成的损坏;MHP则兼具双金属保护器和PPTC器件的优点,可用于包含锂离子电池在内的各种高速放电电池保护应用。     

泰科自复式过流保护器件为锂离子电池提供尺寸和成本优势

电路保护解决方案供应商泰科电子（Tyco Electronics）近日推出金属混合聚合物正系数温度电阻（MHP）技术,它可用于额定值在30V／30A（DC）以上的各种高速放电电池应用,比如无绳电动工具、电动自行车和备用电源等。     

编程灵活性的锂离子电池充电器件满足特定应用

飞思卡尔半导体公司日前推出了MC34671、MC34673和MC34674单输入自动电池充电器集成电路产品，以提供业界最高的性能和精确度，以及卓越的配置灵活性。该产品能在整个温度范围内提供＋／-0．4％的输出电压精确度和＋／5％的充电电流精确度。集成电路可以定制，以支持出数百种配置来满足各种便携式和超移动器件的需要。设计者可以灵活选择功能和规格，     

用于混合动力/电动汽车的可靠锂离子电池监视系统

引言最新一代高性能锂离子电池提供的性能和成本特性能够最终兑现实用的汽车能量存储承诺。这种技术的迅速采用已经在汽车界触发了一轮前所未有地频繁的设计活动,因为制造商在努力占据有利地位,以抓住在迅速增长的混合动力汽车(HEV)和全电动汽     

安森美推出集成电流保护和高速ESD保护的过压保护器件

安森美半导体（ON Semiconductor）推出业界首款带集成电流保护和高速静电放电（ESD）保护的过压保护（OVP）器件——NCP362,用于便携、电信、消费和计算系统中的USB2．0应用。     

带集成电流保护和高速ESD保护的USB 2．0过压保护器件

NCP362置于USB或底部连接器后面，由于具备能够处理500mA电流的集成功率MOSFET，为下行USB端口提供＋20V的前端保护。     

动力锂离子电池部分荷电和深度放电状态下的脉冲充电技术

针对动力锂离子电池的使用特点和其自身的充放电特性,以提高其充电效率,延长循环寿命为目的,设计制造了间歇-正负脉冲智能充电器,实现了正、负脉冲交替充电。模拟部分荷电和深度放电的实际使用特点,进行不同的充电模式循环对比实验,同时对失效单体电池进行了容量恢复实验。实验中对电池进行正负级电位测量分析,验证对其结构的恢复作用,并对修复结果稳定性进行验证。实验结果表明,间歇-正负脉冲充电提高了正负极的活性,抑制了浓差极化的形成,且修复结果稳定,从而有效提高了电池的循环寿命。     

安森美半导体推出带有集成电流保护和高速ESD保护的USB2．0过压保护器件

安森美半导体推出带集成电流保护和高速静电放电（ESD）保护的过压保护（OVP）器NCP362,可用于USB2．0接口。这款集成器件可加强USB端口的安全性,简化便携电子产品的设计,因此不需要使用独立的OVP、过流保护fOCP）及瞬态电压抑制器（TVS）等元件;NCP362未面市前．设计人员仍需要采用这些元件来保护易受影响的便携设备,     

多芯片组件技术的发展及应用

简要介绍了多芯片组件(MCM)技术的概念、分类、发展现状、应用情况等.MCM是现代组装技术的新概念,它的出现促进了SMT(表面贴装技术)与SMD(表面贴装元器件)的发展和革新,并将成为高密度、高性能、多功能封装的最佳选择.     

TE电路保护部推出面向各种高数据速率应用的、业界最低电容的硅静电放电保护器件

TEConnectivity旗下的一个业务部门TE电路保护部发布一个系列8款全新的单,多通道硅静电放电（SESD）保护器件,可提供市场上最低的电容（双向：典型值为0．10pF,单向：典型值为0．20pF）、最高的ESD保护（20kV空气放电和接触放电）和最小尺寸封装（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度为0．31mm）。     

安森美半导体推出业界首款带集成电流保护和高速ESD保护的过压保护器件

安森美半导体（ON Semiconductor）推出业界首款带集成电流保护和高速静电放电（ESD）保护的过压保护（OVP）器件——NCP362,用于便携、电信、消费和计算系统中的USB2．0应用。     

基于"飞电容"技术的动力锂离子电池组保护系统的设计

讨论了一种新型、低成本的锂离子电池组保护系统的设计原理及实现方法。在本设计中,为了克服多节电池串联后所带来的高共模电压,引入了"飞电容"电压检测技术,可实现对各单体电池的电压检测,进而解决了串联电池组断线检测的难题。另外,采用了具有纳瓦技术的PIC单片机,提出了相应的硬件设计方案,还引入了分时运行的软件设计方法,实现了低功耗的设计目标。实验结果表明,该系统可靠性高,适应性广,成本低廉,可进一步推进动力锂离子电池的广泛应用。     

S波段T/R组件用GaN功率放大器链的设计(英文)

基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分。研制的S波段放大器链主要由驱动放大器和功率放大器组成,驱动放大器与功率放大器都是基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的混合集成电路。基于混合集成电路的放大器链获得了高的输出峰值功率和附加功率(PAE),整个放大器链输出功率在800 MHz频率范围内大于20 W,附加效率(PAE)大于50%。     

电气设备的接地保护技术应用

本文阐述接地技术的类型和作用,电气设备接地的方式和原则,探讨接地技术和应用策略,包括系统接地、逻辑运算接地、屏蔽接地、信号接地,混合接地、浮地,系统地线不接地、系统接地线接地、电容接地,防雷措施、现场环境勘察。     

多芯片组件（MCM）技术的发展及应用

简要介绍了多芯片组件(MCM)技术的概念、分类、发展现状、应用情况等。     

静电纺丝技术在锂离子电池硅基负极结构的应用进展

作为锂离子电池的负极,硅是最有应用前景的材料之一。但其体积变化大、固体电解质膜(SEI)形成不稳定、导电性差的问题制约了研究的深入。静电纺丝技术是纳米纤维制造领域中常用的技术手段之一,为解决硅基材料所存在的问题提供了有效的方法。介绍了静电纺丝技术的原理和不同领域的应用;综述了近几年国内外静电纺丝技术在硅/碳、硅/金属复合材料的结构构筑领域的应用,着重从纳米纤维、核壳、蛋黄-蛋壳及多孔等复合结构方面进行概述,并总结了不同结构对于硅基负极材料性能的影响;针对静电纺丝技术在不同领域应用中所存在的问题,提出了今后研究的重点和方向,为静电纺丝技术的进一步发展提供了参考。