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本文讨论了制作SAWTVIF滤波器的工艺中LiNbO_3单晶和晶片的开裂,并提出了解决问题的方法。 相似文献
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在声表面波器件应用中,了解其传播特性是很重要的环节.本文是通过任意改变切割与传播方向来计算铌酸锂上瑞利波的特性.其结果用一套等速度,等功率流角,等机电耦合系数及相等延迟时间温度系数的图来表示.由图可知任意切割和好意传播方向的每块基片的SAW传播特性.因此,这些图对选择新的铌酸锂基片很有用.根据计算结果,机电耦合系数的最大值k~2=5.68%,每种切割的延迟时间温度系数都大于7×10~(-6)/℃. 相似文献
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本文讨论了SAW彩电中频滤波器国产化中可能有的基片材料、外壳及引出结构、器件电性能及器件可靠性四个方面的困难,并介绍能够直接替代日本东芝日立型SAW器件的国产彩电中频滤波器的性能. 相似文献
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众所周知,传输特性是SAW器件应用中的基本特性.本文通过任意地改变切向和传输方向计算了LiTaO_3的瑞利波特性.结果示出了等速.等功率流角、等机电耦合系数、等延迟时间的温度系数的一系列曲线.从这些图形可知,具有任意切向和传输方向的每一个基片的SAW传输特性.因此,这些图形有助于选择新的LiTaO_3基片.另外还把X切、Y切、Z切LiTaO_3的温度系数的计算值与所报导的实验值进行了比较 得到了很好的一致性. 相似文献
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用于汽车或便携式电话收发机天线共用器的高功率SAW滤波器为消除热影响而必须是低损耗的.研制了一种损耗只有1.2dB的600MHz低损耗UHF滤波器.测得的温度依存关系分离出0.8dB的欧姆损耗,这说明,能进一步降低损耗.用高达16W的输入功率验证了此滤波器的功率处理能力.观察了AlIDT的恶化,这种恶化会引起电击穿并影响器件寿命.而采用Al-Cu电极和Cu散热片就能大幅度提高器件寿命. 相似文献
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本文就初始技术规格至器件制成的整个过程,叙述了用于便携式电话机天线共用器的低损耗SAW滤波器.为降低漏电和导电损耗,采用了一种横向重复的新型低损耗滤波器结构.制成了一种损耗极低(600MHz时损耗仅 1.2—2.0dB)的滤波器.为实现接收机和发射机滤波器的低损耗并联连接,要求共用器阻带有电抗性.本文表明,以前报导过的新式相位加权不但能提供低损耗频率响应,而且能提供电抗性.本文还介绍了在800MHz时,将用新型SAW滤波器作发射机滤波器,用半刚性同轴滤波器作接收机滤波器的两种滤波器并联连接的实验结果. 相似文献
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松下电子工业有限公司研制出一种用于800-900MHz波段移动通信的低损耗声表面波(SAW)滤波器,其体积仅4.5×4.5×1.6mm。这种可用表面安装技术(SMT)的器件只有4dB的插入损耗,却有17-30MHz的带通。这种SAW滤波器的衬底为钽酸锂,其电极是以效率最佳的极精确的等效电路模型为基础。这种性能极佳的超小型器件采用陶瓷封装。本文将描述其主要的性能和特点。 相似文献
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日本 Kyocera公司已开始批量生产该公司两种射频 SAW滤波器的一种 ,型号为 SF38- 1 575T,主要用于具有 GPS功能的移动电话。SF38- 1 575型滤波器外形尺寸为 3.80 mm× 3.80 mm× 1 .2 mm,质量 0 .0 5g,质量和体积分别减少了 75%和 80 %。据称 ,这种滤波器集成了两种滤波器的功能——介质前端滤波器和SAW中级滤波器 ,前端和中级滤波器具有 40 d B或更好的绝缘性。前端滤波器的插损为 0 .9d B,中级滤波器具有 30 d B甚至更好的衰减。公司计划在今年四月将产量增加到 2百万用于GPS CDMA电话的射频SAW滤波器@刘荣贵… 相似文献
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一、前言 电视工程师们早就梦想着研制一种用SAW滤波器取代普通的LC滤波器,而不需在安装线上调整的全固体电视图像中频电路。为什么这个梦想至今还未实现呢?有几种原因:SAW器件工艺不成熟,成本下降得不够;最主要的原因,是除了降低成本和节省劳力以外,电视机制造者看不到其它的优越性。 1977年曾报导:我们已经改进了批量生产SAW滤波器的设计方法和制作工艺,并且在市场上售用于分立元件中频电路的 相似文献
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为了提高叉指换能器的工作频率和克服亚微米工艺带来的困难,科研工作者提出许多不同的设计方法。在1995年的《准谐频叉指换能器》一文的成功设计方法的基础上,我们进一步改进提出了双谐频叉指换能器DHIDTs的设计方法,使得工作频率同时处于元因子和阵因子的谐频上。由于其更宽的指条宽度,更好的旁瓣抑制性能和低损耗,使之更适合于高频SAW器件。本文给出了双谐频叉指换能器的设计过程,理论计算与实验结果,表明理论 相似文献
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近年来便携电话迅速向小型轻量化发展 ,其中的 SAW滤波器在使声音更清晰、去掉噪声只取出所需信号方面做出了重要贡献。随着便携电话向小型化和高频化发展 ,SAW滤波器必须适应这一要求。特别是第四代便携电话系统和无线局域网系统中 ,需使用 5 GHz的宽频带。而 5 GHz的 SAW滤波器 ,指条和间隙宽分别为 0 .2 μm。富士通公司把电子束暴光和干法刻蚀相结合 ,确立了 0 .2 μm梳状图形制作法 ,并采用本公司独特的梯型设计 ,成功地开发出世界上首次达到实用水平的宽带、低损耗 5 GHz的 SAW滤波器。预计该滤波器可装在小于 2 .5 mm× 1 .0… 相似文献
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声表面波 SAW ( Surface AcousticWave)是在压电基片材料表面产生和传播、且振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减小的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器 ( IDT)。它采用半导体集成电路的平面工艺 ,在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜 ,把设计好的两个 IDT的掩膜图案 ,利用光刻方法沉积在基片表面 ,分别作输入换能器和输出换能器。其工作原理是 :输入换能器将电信号变成声信号 ,沿晶体表面传播 ;输出换能器再将接收到的声信号变成电信号输出。SAW滤波器的主要特点是 … 相似文献
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该文介绍了基于大机电耦合系数乐甫波模式的超宽带低损耗声表滤波器的开发,基底为15°YX-LiNbO3晶体和铜电极。设计采用修正的耦合模模型进行精确仿真以及模拟退火算法进行谐振器参数的优化。通过假指电极宽度/长度加权来抑制横向模式谐振造成的寄生响应,通过在滤波器表面涂覆黏性膜来有效抑制瑞利波模式造成的寄生凹坑,最终制作出一款中心频率约620 MHz,插损0.94 dB,-1 dB相对带宽14.9%,-3 dB相对带宽18.3%,带外抑制大于40 dB性能较优良的器件。 相似文献
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声表面波SAW(Surface Acoustic Wave)就是在压电基片材料表面产生并传播、且其振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器(IDT)。它采用半导体集成电路的平面工艺,在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜,再把设计好的两个IDT的掩膜图案,利用光刻方法沉积在基片表面,分别用作输入换能器和输出换能器。其工作原理是:输入换能器将电信号变成声信号,沿晶体表面传播,输出换能器再将接收到的声信号变成电信号输出。 相似文献