水溶液中阴极电沉积半导体CdTe薄膜性能的研究

研究了半导体ＣｄＴｅ薄膜不同阴极电沉积条件（搅拌、加温）下，沉积电位与电流密度、沉积速率的关系。着重研究了沉积电位对ＣｄＴｅ膜层成份及导电类型的影响，通过控制沉积电位制备了不同导电类型的半导体ＣｄＴｅ薄膜。对沉积膜形貌和结构分析表明，室温搅拌条件下沉积的ＣｄＴｅ薄膜，整体均匀性好，呈非晶结构，氮气氛中高温退火后，ＣｄＴｅ膜沿一定方向有较明显取向。     

某些稀土离子对电沉积 CdTe 薄膜性能影响的研究

ＣｄＴｅ薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对ＣｄＴｅ薄膜组成和性能有较大影响，通过在电镀液中添加某些稀土离子，结合ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和光电Ｉ－Ｖ特性曲线进行分析研究，表明电沉积ＣｄＴｅ薄膜存在择优取向，经２５０℃热处理后，晶粒长大，镀液中添加Ｙ３＋、Ｌａ３＋、Ｃｅ３＋和Ｎｄ３＋后增大尤为明显，晶粒线性尺寸最大达２．５—３．０×１０－７ｍ左右，并伴有孪晶产生，可提高薄膜Ｃｄ／Ｔｅ比等，有利于提高ＣｄＴｅ光电性能。经测试，其光电转换效率可增大到２．６—３．３％。     

KCl浓度对电沉积ZnO量子点敏化太阳能电池光电性能的影响

文章采用恒电位沉积法在导电玻璃上制备了ZnO薄膜,研究了沉积液中KCl浓度对ZnO薄膜结构的影响,将制备的ZnO薄膜应用于量子点敏化太阳能电池(QDSCs)的光阳极,而后分析了该太阳能电池的光电转换效率。文章还利用X射线衍射(XRD),以及扫描电子显微镜(SEM),表征ZnO薄膜的结构和形貌,以紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)表征量子点敏化前后光阳极的光吸收特性,利用电化学工作站测试不同形貌ZnO-CdS太阳能电池的光电转换特性。分析结果表明:当KCl浓度为0.075 mol/L时,ZnO薄膜呈现出均匀多孔的纳米片结构,以该ZnO薄膜为光阳极的QDSC的开路电压为0.35 V,短路电流密度为3.17 mA/cm~2,光电转换效率为0.36%;与未添加KCl的ZnO薄膜相比,多孔片状ZnO薄膜的活性位点能够与电解液充分接触,这样提高了光阳极内光生电子的注入效率,从而使太阳能电池具有更高的的光电转换效率。     

pH值对电沉积ZnS薄膜的影响

研究了pH值对电沉积ZnS薄膜结构、成分和表面形貌的影响.由薄膜的成分和结构分析可知:pH值高会使薄膜中的锌含量增加,薄膜变厚,且Zn/S偏离理想值1;如果pH值很大,则薄膜几乎接近锌的单质;pH=1.8的情况下获得的薄膜Zn/S应该最接近理想值1,300℃热处理1.0h时薄膜可以获得较好的结晶度.     

电沉积法制备CuxS薄膜及其性质研究

利用电沉积的方法制备CuxS薄膜，研究了不同的络合剂，不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现：不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜，用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102)，当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu31Sl6其主要晶面是(842)。当用Na2S2O3作为硫源的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842)，当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的CuxS其主要晶面是(102)。随着热处理温度的提高，薄膜的结晶程度有了很大的提高，晶粒有了明显的长大，不同温度的热处理证实了CuxS薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的。     

GaAs半导体薄膜电沉积的研究

利用改进试验装置,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法,电沉积制备出ＧａＡｓ薄膜。扫描电镜和Ｘ射线衍射仪测试结果表明,薄膜成分更接近化学计量比１：１,各次试验数值分散性小,厚薄均匀。     

电共沉积InGaAs薄膜材料

阐述了电共沉积方法制备发射光波长近于1.3-1.5um的InGaAs薄膜材料,用能谱分析仪进行薄膜成分分析,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率,同时测量了薄膜I－V特性,导电类型,厚度及其表面形貌,分析结果表明该方法是半导体薄膜材料制备的一种新途径。     

GaAs薄膜电沉积的机理与工艺研究

报道了电共沉积制备ＧａＡｓ薄膜的原理与工艺。通过优化工艺参数，在不同的基片上成功地得到了成分接近化学计量比的ＧａＡｓ薄膜。     

某些稀土离子对电沉积CdTd薄膜性能影响的研究

ＣｄＴｅ薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对ＣｄＴｅ薄膜组成和性能有较大影响，通过在电镀液中添加某些稀土离子，结合ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和光电Ｉ－Ｖ特性曲线进行分析研究，表明电沉积ＣｄＴｅ薄膜存在择优取向，经２５０℃热处理后，晶粒长大，镀液中添加Ｙ＾３＋、Ｌａ＾３＋、Ｃｅ＾３＋和Ｎｄ＾３＋后增大尤为明显，晶粒线性尺寸最大达２．５－３．０×１０＾－７ｍ左右，并伴有孪晶产生，可提高薄膜Ｃｄ     

蒸发制备ZnO薄膜的结构及光学电学特性的研究

以乙酸锌作为蒸发物质，采用真空蒸发技术，在加热的玻璃衬底上制备出高捏的ＺｎＯ透明导电薄膜，并对其结构，光学和电学特性进行了研究。     

铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜的电学性质研究

真空蒸发醋酸锌和氯化铝，在加热的玻璃基片上制备出铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜。研究了薄膜的结构和电导率随掺杂功率的变化以及真空退火处理对薄膜电导率的影响。     

透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜的结构及光电特性研究

ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、衬底温度和热处理条件对其结构和光电特性的影响。X射线衍射谱表明ZAO薄膜的(002)衍射峰的位置与纯ZnO晶体相比向低角度方向移动,薄膜中各晶粒具有六角纤锌矿晶体结构且呈c轴择优取向。原位制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至7 5×10-4Ω·cm,可见光透过率在85%以上。     

真空气相沉积制备碲化镉薄膜的电学和光学特性

用真空气相9沉积法，同时蒸发Cd和Te材料，在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜。对CdTe薄膜掺杂In，并氮气作保护气体，在不同温度和时间下对薄膜进行热处理，研究薄膜的电学特性和光学特性。结果表明，用真空气相沉积法制备的CdTe薄膜的电学、光学特性和由其他方法制备的CdTe薄膜的电学和光学特性基本一致。     

不同络合剂对化学水浴法制备ZnS薄膜性能的影响

研究了不同络合剂对化学水浴法制备太阳电池用ZnS薄膜性能的影响。研究指出,在相同的浓度下以EDTA为络合剂时,由于其对锌离子的络合能力最强,无法生成ZnS薄膜,而以肼与柠檬酸钠为络合剂时,成功制备成ZnS薄膜。结果还表明,采用柠檬酸钠为络合剂,在搅拌条件下制备出的ZnS薄膜适用于CIGS太阳电池的过渡层。最后实验利用FE—SEM、XRD、紫外—可见光吸收谱,透射谱和反射谱研究了ZnS薄膜的性能。     

磁控溅射制备柔性衬底ZnO:Ga透明导电膜微结构及性能研究

室温条件下,采用磁控溅射法在有机柔性衬底聚酰亚胺(PI)表面制备出ZnO:Ga透明导电膜,XRD表明ZnO:Ga薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。研究了溅射功率、氩气分压、溅射时间及衬底负偏压等溅射工艺参数对薄膜结构及光电性能的影响,得出最佳溅射参数分别为:功率100W,氩气分压0.1Pa,溅射时间60min,衬底负偏压40V。结果表明:磁控溅射制备的ZnO:Ga膜附着性良好,电阻率为9.4×10~(-4)Ω·cm,可见光透过率为78%。     

掺杂对FeS2薄膜光电性能的影响

采用磁控溅射淀积合金膜和纯铁膜,通过离子注入掺杂,研究了不同条件下FeS2薄膜的晶体结构,光吸收系数、电阻率、载流子浓度等光电性能,并用正电子湮灭谱研究了膜内的空位缺陷。结果表明,掺杂提高了薄膜的导电性能。离子注入使薄膜光吸收系数增加,禁带宽度上升,霍尔迁移率提高;合金溅射导致光吸收系数降低,禁带宽度下降,载流子浓度升高。注入Zn2 退火前空位浓度较大,退火后空位浓度低于纯FeS2膜。     

FeS_2薄膜光电性能研究进展

对FeS2 薄膜光电性能的研究现状进行了分析 ,综述了制备方法、硫化工艺及掺杂元素对FeS2 薄膜光电性能的影响以及光电转换效率的研究进展 ,讨论了FeS2 薄膜这种先进太阳能电池材料研究中现存的问题和发展方向。     

热处理对化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜的影响

采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜，通过XRD、EDX和SEM，对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究，并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出：二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高温长时间热处理，薄膜容易被氧化，而在低真空下，采取低温一高温两步退火处理后，薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高，因此后一热处理过程适合化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理。     

pH值的变化对ZnS薄膜光学性质的影响

采用化学水浴法（CBD）制备ZnS薄膜,用NKD-7000v薄膜分析系统测试薄膜的透过率和反射率,拟合出薄膜厚度和吸收系数。研究了制备过程中不同的pH值调节剂对薄膜光学性质的影响。结果表明:加入pH值调节剂使薄膜禁带宽度增加,可达3.95eV,即对薄膜颗粒有细化作用。比较透过率和反射率,表明加NaOH把pH值控制在11和加NH₃把pH值控制在10.9时溶液沉积环境基本相似,反之亦然。但是加入氨水更有利于薄膜沉积速率的提高,且当pH值为11时加入调节剂,可以提升溶液进入亚稳态的pH值。