三星改进DRAM芯片生产技术

全球最大的内存芯片生产商三星电子日前宣布，已经成功采用70纳米生产工艺制造出第一块DRAM芯片。一旦这种生产工艺广泛应用于该公司的生产线，从同一硅片上生产的芯片数量将会翻倍。     

三星开发出全球最小DRAM内存芯片 速度提升10%

三星电子20日宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,此芯片为'全球最小'的DRAM芯片,扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下,三星今年的营业利润有望创下纪录。与第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%。     

30nm级4Gb DDR3DRAM：DRAM

三星电子推出量产30nm级4GbitsDDR3DRAM基板的32GB内存模块。内存模组具有高性能、低功耗、大容量等特点,能够在1．35V的电压下达到1．866Mbps传输速度,     

4Gb DDR3 DRAM芯片

三星电子公司开发出首款使用50nm制造工艺生产的4Gb DDR3 DRAM芯片。     

三星宣布投产40纳米8Gb融合闪存芯片

三星电子宣布,采用40nm工艺的Flex—OneNAND融合式闪存芯片已经投产,容量也达到了8Gb。Flex—OneNAND是三星在2007年研发成功的一种新型闪存技术,将单层SLCNAND和多层MLCNAND整合在了一块硅片上,有利于减少     

三星首家量产40nm级工艺4GbDDR3绿色内存芯片

三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1．5V和1．35V两种工作电压,可组装成16／32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO—DIMM笔记本内存条,性能1．6Gbps,功耗相比于上一代产品降低35％,能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。     

三星启动20纳米工艺芯片生产线投资百亿美元

三星电子近日宣布,已经启动了一条全新的存储芯片生产线,此举有可能加剧半导体市场供应过剩的局面,并打击规模较小的竞争对手。三星称,新的生产线采用20纳米工艺,是业内最大、最先进的存储芯片生产设施。虽然这种工艺会将生产成本提升50％左右,但却可以在一个芯片中整合更多的电路,因此可以降低芯片体积、价格,     

华芯：DRAM芯片与USB3．0主控芯片两大产品推动内存芯片国产化进程

华芯半导体公司是中国领先的存储器芯片设计研发和高端集成电路芯片封装测试企业。公司总部位于济南,下设西安华芯半导体有限公司（存储器研发中心1、SoC研发中心、山东华芯微电子科技有限公司（封装测试事业部）,并在硅谷、慕尼黑和香港设立合作研发中心。2009年5月,华芯半导体成功收购德国奇梦达中国研发中心,自主研制大容量动态随机存储器（DRAM）芯片并成功量产销售;2011年公司研发出USB3．0超高速存储控制SoC芯片;同年,公司在济南建成高端集成电路封装测试生产线。     

三星扩大绿色节能产品阵容量产40nm级技术4Gb DDR3内存

三星电子宣布已领先业界开始量产运用40nm级制程技术完成的低功耗（节能）4gigabit（Gb）DDR3产品。此高密度内存将为数据中心（datacenter）、服务器系统与高阶笔记本电脑节省相当显著的功率。     

三星推出业界最大容量的8GB DDR DRAM模块

NEC公司日前宣称，该公司已经开发出用于下一代65纳米半导体工艺的多层（multi-leve)Cu／Low-k互连技术。     

IDT推出业界最低功率DDR3—1866内存缓冲芯片

IDT公司（IntegratedDeviceTechnology,Inc．）日前推出业界首款低功率DDR3内存缓冲芯片,可在高达1866兆／秒（MT／s）的传输速率下运行。通过提升DDR3减少负载双列直插内存模块（LRDIMM）的最高数据传输速率,并使系统制造商获益于更高速度的内存容量,新器件彰显了IDT在内存接口解决方案领域的领导者地位。     

业内巨头将联手制定移动DRAM内存接口规范

ARM、爱立信、海力土半导体、LG、SiliconImage、三星电子、索尼爱立信移动和意法半导体等公司组建了移动DRAM内存领域的一个工作组,希望为移动产品中的下一代内存接口制定一个开放的标准SPMT串行端口内存技术工作组）。如果这个标准建立起来,预计市场将看到移动市场出现新一类DRAM内存芯片,同目前的DRAM内存芯片相比,这种新的内存接口技术将把芯片脚数减少40％,把输入和输出电源减少50％,能够使带宽达到每秒200MB至每秒12.6GB。     

空气产品公司将为三星电子新内存芯片厂供应气体

空气产品公司（Air Products）,宣布其已获得三星电子有限公司的一项重要合同,以支持三星位于陕西省西安市新的内存芯片厂项目的发展。该项目;黾三星电子迄今最大的海外投资项目,也是中国最先进的芯片厂。     

三星将笔记本生产基地全部迁至苏州

日前，三星电子发布声明称，公司已在第一季度将笔记本电脑的生产全部转移至苏州，韩国国内生产工厂因此将关闭，但保留笔记本电脑的研发和营销。三星此举旨在躲避中国对IT产品征收的高关税，同时降低劳动力成本。     

惠普新内存技术或将取代闪存和DRAM

据国外媒体报道,惠普研发人员已经在“忆阻器”下一代内存技术方面取得了小的突破,一些人认为它可能会替代当今普遍应用的闪存和DRAM技术。     

尔必达宣布开始销售采用TSV技术制作的DDR3 DRAM样品芯片

日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用硅通孔互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相当1GB容量),该三维芯片中还集成了接口功能芯片。     

三星电子全球率先量产4GB手机内存

继2010年12月在全球率先研发出30纳米级4GB低功耗Mobile DRAM内存芯片后,三星电子近日宣布从今年3月份开始正式量产该产品,以扩大其在手机存储领域的市场份额。     

良率提高，众DRAM内存厂商纷入“70纳米时代”

目前，众DRAM内存厂商纷纷买入70nm制造工艺。奇梦达（Qimonda）正式对外宣布，将于2006年底前导入75nm工艺，并计划于德国300mm厂试产，而身为其重要合作伙伴的华亚科也对外表示，与奇梦达最新工艺制造技术将会同步。据了解，到8月底前华亚科将全部改采用90nm工艺来生产DRAM。     

三星、LG和SK将开发尖端芯片

韩国政府近日表示，三星电子、LG电子和SK电讯将本地其他企业联合开发用于智能手机和数码电视的更先进的半导体元件。