结型场效应晶体管测试仪

设计电路时，每当需要很高的输入阻抗、高工作频率和相对较低的噪声时，结型场效应晶体管便成为最佳选择。本文描述了一个简单的测试仪，它能够测量结型场效应晶体管的两价目主要参数。     

功率V型场效应晶体管介绍

一、前言在音频放大器爱好者中间,电子三极管放大器还是颇受欢迎的,想要重新估价电子管的音质、音色的人也正在多起来。重新估价电子三极管时,在特性方面,它具有失真小,输入阻抗高,输出阻抗低等优点。在放大器的设计和提高放大器性能等方面,它具备了许多好的特性。但对电子管而言,它又有不少缺点。从其外形和构造上来看,体积大且易损坏;管内有灯丝,这一点是很讨厌的;另外,还有寿命短,容易产生交流声等问题。目前的晶体管放大器,使用的是NPN和PNP晶体管,在其电路结构上,全段直耦式纯互补电路还是很罕见的。不过,在双极晶体管中,存在着自由电荷积累效应引起的切割失真等固有的问题,它们会成为高次谐波失真的原因。     

1200V增强型碳化硅纵向结型场效应晶体管功率模块

最近的模块研发工作已经生产出封装在SP1模组中的快速开关、1200V、13mΩ、增强型SiC JFET半桥模块。这些模块由36mm~2SiC VJFET和23mm~2肖特基管的并联组合而成。在ID=100A条件下,获得2.7mΩ-cm~2的比导通电阻。开关测试采用了标准的双脉冲感性负载电路,在600 V、100A、温度分别为25℃和150℃的条件下,得到了历史最低的总开关损耗——100A、150℃下为1.25mJ。本报告详细介绍测试对开关性能、所采用的栅极驱动电路,以及获得这些结果推荐使用的缓冲器。     

结型场效应功率晶体管的设计

介绍了功率JFET，给出了新的器件结构和设计方法。     

结型场效应晶体管放大器的噪声

本文通过分析结型场效应管(JFET)放大器内部不同的噪声源，首次导出了场效应管放大器在较宽频率范围内的等效输入噪声电压表达式，估算了当信号源阻抗为容性时JFET放大器的总噪声，为场效应管电路低噪声优化设计提供有力的工具。     

结型场效应晶体管的工作原理

本文对实验结果进行定性分析,用同一工作原理解释场效应管的三极管特性和五极管特性。五极管特性电流饱和的工作机理是漏压对源端的渗透作用很小,源端沟道的形状和沟道中的电场基本上与漏压无关。因此从沟道进入耗尽层的载流子数与漏压无关。同时漏压重迭的耗尽层中存在着漏指向源的电场,故进入耗尽层的载流子全部被扫入漏极。所以电流饱和。三极管特性是由于漏压对源端有一定的渗透作用,随漏压的增加源端耗尽层的电位升高,源端的电场随漏压增大而增大,故进入耗尽层的载流子数随漏压的增大而增多。同样,进入耗尽层的载流子全部被耗尽层中的电场扫向漏极,所以电流是不饱和的。据实验:不同偏置五极管特性的场效应管可以出现很好的三极管特性,且对硅器件来说电流可大两个数量级。因此若采用新的结构,硅结型场效应管做成五极管特性,可望实现高频大功率。     

结型场效应晶体管栅极电流噪声

本文描述了一种测量场效应晶体管栅极电流噪声的电路。得到了相应于3×10~(-13)A电流的散粒噪声的灵敏度。在大部分器件中,发现等效输入电流噪声源谱是白噪声谱,而且是由于栅极电流散粒噪声引起的。在一些器件中,发现电压和电流等效噪声源有过量低频噪声分量。我们研究的这些现象与特定噪声源和电流漏电机理有关。     

结型场效应功率晶体管的设计

介绍了功率 JFET,给出了新的器件结构和设计方法。     

结型场效应可调恒流晶体管

本文根据肖克莱理论分析了使结型场效应管恒流的原理,介绍了可调恒流晶体管3DH的设计及应用.本器件主要优点为:恒流稳定可调,动态电阻可达≥5MΩ,工作电压范围宽.其特性十分接近理想电流源.是一种适用范围很广的新颖器件.     

大漏压下结型场效应晶体管中的电场分布

本文在无限小的沟道宽度—高度比的假设下,以及通过引入依赖于漏电流的有效杂质浓度对有限的沟道宽度作了修正之后,推导了结型场效应晶体管的栅与漏之间的沟道部份电场分布的近似解析式。这一近似式也可以应用于栅边缘曲率为零的极端情况,即肖特基势垒栅的情况。根据参考资料报导的在大的漏电压下栅电流增强的实验数据,采用理论的电场分布来求解碰撞电离系数,此系数与参考资料上发表的根据本体碰撞电离推出的数据相一致。     

结型场效应晶体管的主要参数的探讨

本文讨论了结型场效应晶体管的几个主要参数 ,找出影响它们的主要因素     

结型场效应晶体管的主要参数的探讨

本文讨论了结型场效应晶体管的几个主要参数，找出影响它们的主要因素。     

结型场效应晶体管低频噪声测试方法研究

在深入研究JFET低频噪声特性及产生机理的基础上,提出了一种通过测试宽频带功率谱密度得到其规定频率处等效输入噪声电压功率谱密度和噪声系数的测试方法,并给出了低频噪声测试的偏置电路、测试设备和测试方法。结合3DJ4和3DJ6型JFET器件的测试结果表明,采用本文提出的方法可适用于JFET的低频噪声的测试。     

结型场效应晶体管的负阻理论

本文提出了一种场效应晶体管中电压控制的负阻的一般理论。按照源-栅电压、源-漏电压及夹断电压之间的关系,用数学的方法确定了负阻的必要条件。这里给出了对于场效应晶体管的栅具有正反馈作用的各种电路组态。还给出了理论实际应用的三个基本例子。     

GaAs场效应晶体管及其单片集成电路

GaAs FET是一种多用途的器件,可在C波段到Ku波段内作微波低噪声放大器、微波大功率放大器、振荡器、混频器、限幅器、倍频器、鉴频器、上变频器、相移器、可变增益放大器和微波开关等应用.GaAs场效应器件由于具有频带宽、噪声低、线性好等优点.它不仅用于空间工程、军事装备,而且也广泛用于科学研究、工农业、医疗以及家用电器等各个领域和部门.GaAs工艺的突飞猛进和GaAs FET水平的不断提高为发展微波单片集成电路奠定了良好的基础.最近几年来,国外许多大公司和实验室都研制成功了各种微波单片集成电路,这也     

结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析

本文用标准的松弛方法研究了结型场效应晶体管的霍耳效应.利用“准平面”拉普拉斯方程及有限差分法计算了不同掺杂浓度、栅电压、漏电压以及n沟-Si器件不同宽长比的霍耳电势分布与磁灵敏度. 结果表明:当器件宽长比(w/L)(?)1—2时,典型的电压性磁灵敏度为～10mV/V·kG,电流性磁灵敏度为 10~2-10~3mV/mA·kG.据此,提出了一种灵敏度高、有良好工作稳定性及噪声性能的霍耳器件——结型场效应霍耳管(Junction Field Effect-Halltron).     

改善结型场效应晶体管噪声性能的措施

对于一个用作微弱信号放大的结型场效应晶体管来说,要求它具有尽可能低的噪声。本文分析了结型场效应晶体管的主要噪声来源,指出了低频噪声与管芯结构参数的关系,阐述了获得低噪声的途径和措施。     

3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造

介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。