美光发布行业密度最高的块抽象化NAND闪存产品系列

美光科技股份有限公司公布其高密度系列的块抽象化（BA）NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案，使用美光业内领先的34纳米工艺技术一将MLC NAND与一个内存控制器相结合，无需对控制器／系统进行费力的重设计即可采用后续世代的NAND。     

Micron推出创新闪存装置 延长NAND闪存生命周期

美光科技（Micron）近日宣布推出高容量闪存产品组合,其将在未来延长数年NAND产品的生命周期。通过在同一个NAND封装内整合错误管理技术,新的Micron ClearNAND装置解决了NAND在传统上面临的由工艺微缩方面所带来的问题。     

英特尔与美光将推出25纳米NAND闪存芯片

英特尔和美光科技近日预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。作为目前应用的最小的NAND闪存技术，25纳米生产工艺与2008年推出的34纳米技术相比将显着减小芯片的尺寸。     

手机将会成为NAND闪存市场最大推动力

2005年,NAND闪存凭借面积小、容量大、成本低的优势在市场规模上首次超越NOR闪存,目前,NAND闪存已经被广泛应用于数码相机、MP3等需要大容量存储的产品中。美光NAND闪存产品经理BillLu表示,手机将会成为NAND闪存最大的市场推动力。他指出,目前大部分的2G手机中需要存储的数据量     

MT29F2G08A／16A：2Gb90nm NAND闪存

美光公司日前推出两种2Gb的90nm闪存存储器MT29F2G08A和MT29F2G16A，目标应用在闪存卡、USB器件、海量存储设备和移动应用。NAND闪存补充了美光存储器系列和CMOS图像传感器解决方案。     

存储技术演进进行时

2005年是存储市场特别热闹的一年，DRAM市场低迷；凭借大容量和低成本优势，NAND市场风光无限并盖过NOR闪存；闪存技术厂商Saifun和Spansion（AMD和富士通的闪存合资企业）先后上市；Hynix和美光科技在NAND闪存市场攻城拔寨、瑞萨科技淡出NAND闪存市场，不再开发8-Gbit或更高密度的后续产品；英特尔和ST共推NOR闪存子系统规范。     

美光科技在中国启动首个制造工厂

美光科技公司(Micron)日前正式宣布在西安启动一家新的制造工厂。这家工厂是美光公司在中国的第一家制造工厂,它将主要负责生产DRAM、NAND闪存和CMOS图像传感器在内的半导体产品的封装测试。为此,美光公司举行了西安工厂的落成仪式。这家工厂预计将于2008年底全部建成,总投资将     

英特尔美光联合推出34纳米闪存芯片

英特尔和美光科技近日发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称,他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片,存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术,从而将实现高容量的优盘。     

美光看好CMOS影像传感器在安防监控领域的应用

美国美光科技有限公司(MicronTechnology Inc.)成立于1978年,最初是生产DRAM,但发展到今天的美光,在继续保持计算机领域存储技术领导地位的同时,也在向包括专用DRAM,NAND闪存和影像传感器在内的更广泛的新兴市场发展组合产品的多元化业务。在2004年的一个投资分析师大会上,美光CEO提出口号:在2007年以前,美光将努力不被公众认为仅是一个存储器公司。2003年DRAM的产能占公司总产能的80%,而到2006年却只占了近50%,美光在其他产品领域的增长非常快。美光于2001年进入CMOS传感器市场,2004年开始进入NAND闪存市场。美光公司2005年营…     

英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存

正英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128 Gb存储器,并表示将立即使用相同的制程量产20 nm的64 Gb NAND闪存元件,而新的128 Gb元件预     

闪存市场开始NAND和NOR融合

闪存已经在DVD播放机、数码相机、MP3播放机、数字有线机顶盒／卫星机顶盒、数字电视和可拍照手机等消费类电子产品中得到广泛应用，在目前的闪存产品中，主要有NOR和NAND两类，目前以NOR类产品在市场中居于主导地位。2003年，NAND闪存占整体市场的35％左右，而包括多芯片封装产品在内，NOR则占据了剩余的65％，其中多芯片封装产品的份额是闪存整体市场的17％。     

3-bit-per-cell NAND闪存

美光科技公司（Micron Technology Ine．）和英特尔公司（Intel Corporation）联合推出25nm制程的3-bit．per-cell（3bpc）NAND闪存,该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。     

美光联手Sun公司延长闪存存储使用寿命

美光科技近日宣布,美光与Sun公司合作开发了新的单层单元（SLC）企业级NAND技术,能够大幅延长企业级应用的闪存存储使用寿命。双方通过合作,开发了可重复写入次数达100万次的量产型设备。     

Spansion公布未来三年发展规划ORNAND闪存初露锋芒

一直以来,闪存市场硝烟不断,形成了以NOR和NAND闪存相互对垒的两大阵营,关于NOR和NAND的争议也一直没有停止过。而以生产NOR闪存著称的Sparision公司在最近发布了一系列基于该公司MirrorBit技术的闪存产品发展战略和研发计划,其中最引人注目的就是ORNAND架构的推出。结合了NOR、NAND各自优势的ORNAND闪存似乎可以让我们暂时停止关于NOR、NAND架构熟优熟劣的争论。MirrorBit技术     

英特尔美光公布存储密度更高的新型闪存芯片

英特尔和美光近日公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息,存储容量高达64G位（相当于8GB）。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。     

产业动态

美光科技在中国启动新制造工厂美光科技公司正式宣布在西安启动一家新的制造工厂。这家工厂是美光科技在中国的第一家制造工厂,它将主要负责DRAM、NAND闪存和CMOS图像传感器在内的半导体产品的封装测试。     

意法半导体256兆位NAND闪存

意法半导体公司(STMicroelectronics)宣布量产VFBGA55版256兆位“小页式”NAND闪存芯片，新闪存将采用8x10mm的微型网格阵列封装，以便制造商把大容量存储器用于便携设备中，如相机手机、智能手机、经济型数码相机、个人数字助理和USB记忆权棒，以及其它电路板空间有限的产品。     

美光和英特尔率先利用25nm硅工艺技术推出3-bit-per-cell NAND闪存

美光科技公司（Micron）和英特尔公司（Intel）联合推出25nm工艺的3-bit-per-cell（3bpc）NAND闪存,该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。     

美光利用34nmNAND工艺生产用于高端手机的最高密度多芯片封装产品

美光科技有限公司（Micron Technology，Inc．，）日前宣布，目前正推出业界密度最大的全集成式NAND多芯片封装（MCP）试用产品，这套解决方案含有16GB的多层单元（MLC）NAND，可供高端手机使用。该MCP产品充分利用美光业界一流的32GB34nm多层单元NAND技术，从而使公司能够在单一封装中实现这样高的密度。     

美光发力NAND Flash市场,欲入全球前三甲

美光(Micron)公司与雷克沙(LEXAR)公司前段时间宣布,双方已达成最终协议,由美光以换股方式并购雷克沙。根据协议规定,雷克沙已对外发行的普通股每股换取0.5625股的美光股票。预计,美光将发行新的股票以置换雷克沙已发行的价值8160万美元的股票。在行使已有的股票期权时美光还会增发新股。美光是一家高效与创新相结合的半导体供应商,产品包括DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块,在全球NAND型闪存厂商中排名前五位,于2005年与英特尔合资成立IM Flash Technologies公司,生产NAND型Flash。美光NAND闪…