首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
可控硅是一种常用的半导体元件,常易发生阳、阴极之间的电压过高时,发生击穿短路的故障。电路中产生过高电压的原因,一是静电感应,二是电感回路电流的突变,此外是控制极开路。可控硅是否完好,可以利用万用表判断,具体方法如下。1.首先用万用表测量阳极和阴极之间的电阻,无论黑表笔置哪个极,其阻值均应在几十千欧至几百千欧之间;阳极和控制极之间的电  相似文献   

2.
可控硅也称晶闸管,是一种大功率半导体器件。在常见维修中经常要对可控硅的好坏进行判断。下面笔者介绍两种比较简易的判断方法: 方法一、万用表测试法:可控硅是三端半导体器件,依据PN结“正向导通,反向截止”的单向导电的特性,可用万用表欧姆档来测试可控硅三个电极之间的阻值,就可以初步判断管子的好坏。具体做法:用万用表R×1kΩ档测量阴极A与阳极K之间的正反向电阻值  相似文献   

3.
在修理电视机、录音机、收音机时,常会遇到没有型号标记的晶体三极管,使业余维修人员无法辨认使用,本文介绍一种用三用表进行测量辨认的方法。 1.晶体三极管好坏的测量辨认晶体三极管的三个电极间都是正、反相接的PN结。用三用表测量各两电极间的正、反向电阻,正测电阻小,反测电阻大。这样返复测量六次,都是阻值  相似文献   

4.
本文介绍一种简易循环闪光电路,该电路元件少,结构简单,适于业余制作。如附图所示。该电路由振荡器和红绿双色发光二极管阵列构成,其中NE555时基电路与外接电阻R_1、  相似文献   

5.
维修集锦     
金星C472型彩电场幅收缩的修理故障现象:开机时声像均正常,过二十多分钟后场幅开始收缩,直至变成5cm左右的一条水平窄带。分析检修:根据故障现象,重点检查场输出级电路。该机场输出部分使用了STA441C集成电路,在光栅变成窄带时,测集成块各脚电压均偏离正常值较大,触摸集成块烫手,说明集成块本身不良。从随机原理图中可知,STA441C内部仅有四只独立的元件,即两只二极管和两只NPN型三极管。拆下集成电路,测各引脚内各元件的正反向电阻,测得第⑧、⑨脚反向电阻偏小,说明集成块第⑧.⑨、⑩脚内的三极管集电极漏电流较  相似文献   

6.
针对含二端口元件的电路,提出了用电阻支路替代二端口元件端口的分析方法。经过电阻替代后,消除了二端口元件端口间的耦合关系,从而使得电路的分析显得直观、简单。讨论了电阻替代方法的适用性条件。通过举例说明了该方法在电路分析中的应用。  相似文献   

7.
数据、、、正向电阻(kn)反向电阻(kn)静态电压(V)正向电阻(ko)反向电阻(kn)静态电压(V)正向电阻(kO)反向电阻(kn)静态电压(V)正向电阻(kO)反向电阻(kn)静态电压(V)正向电阻(kn)反向电阻(kn)静态电压(V)正向电阻(kn)反向电阻(kn)静态电压(V)正向电阻(kO)反向电阻(kn)静态电压(V) 引脚正向电阻(ko)反向电阻(kn)静态电压(V)正向电阻(kO)反向电阻(kO)静态电压(V) 引脚正向电阻(kO)反向电阻(kn)静态电压(V)应用机型IC型号磕苏哭l23456789应用机型备注STK5331正向电阻(kn)143.510.59 .841145地松下NV一G一。/Glz电压值是在NV一G 10机…  相似文献   

8.
镍中杂质元素的光谱测定,有溶液转盘电极法、样品压块阳、阴极分别激发法和粉末试样阳、阴极分别激发法。我们采用直流电弧阳极激发粉末试样(样品与光谱纯石墨粉1∶1),同时对测定阴极镍材中14个杂质元素的方法作了研究。并对阳极、阴极分别在相同条件下激发粉末试样作了对比,结果在测定下限和准确度方面无差别,只是阴极激发比阳极激发谱线背景稍浅,但杂质元素在电极中的蒸发行为相  相似文献   

9.
例1 韶峰牌SFC46—1型彩电满屏的白光栅,有回扫线,且亮度失控。分析检修:开机检测显像管各阴极电压只有1.2V。取下视放板,测量各视放管集电极电压只有1.5V左右(正常工作电压为180V)。接着拔掉视放板供电插头K_2,测D_(704)负端电压为0V。于是怀疑滤波电容C_(719)、整流二极管D_(704)和限流电阻R_(713)中元件损坏。焊下R_(713)检  相似文献   

10.
王水成 《电子世界》1998,(2):44-44,23
<正> 稳压二极管是电子产品中最常用的元件之一,它的主要参数有稳定电压(Vz)、稳定电流(Iz)、最大稳定电流(Izm)、电压温度系数(C_Tv)、动态电阻(Rz)、耗散功率(Pz)、正向压降(V_F)、反向电阻(R_R)、反向电流(I_R)等等。对于这些参数的精确测试,必须借助于专用设备和精密仪表,而在一般维修或业余条件下人们往往最为关注的是稳压二极管的性能和稳定电压值有多大。本文介绍用万用表、兆欧表和简单的自制电路判断稳压二极管性能和测试其参数稳定电压的方法。  相似文献   

11.
例1 机型:海信TC2518KB彩电 故障现象:开机后,无光栅、无图像和伴音,但电源有“吱吱”叫声。分析与检修:检查电源电路,测主电压 115V电压仅有十几伏。关机后,测量 115V端对地的正、反向直流电阻均很小,检查行输出管V404已击穿,查其外围元件未发现明显异常,推测行输出管击穿可能是由于开关电源输出过压造成的。  相似文献   

12.
<正> 一、概述 本仪器适用于无线电电阻厂、电子仪器厂对1/8W以上的各种固定电阻器在大量生产和使用的情况下,快速地进行测量和误差等极分选;同样也适用于科研单位作为精选低电阻元件的理想设备。本仪器可直接显示元件误差的正负百分数。  相似文献   

13.
为了得到负阻值性质的电路元件,采用正电阻与运算放大器进行搭建的方法.对搭建构成的负电阻和负电阻的串并联连接以及负电阻和正电阻的串并联连接进行了理论推导和Multisim仿真实验,两种方法的结果一致且证明搭建构成的电路元件具有负电阻的特性.给出了一个负电阻的应用实例.得出了在存在负电阻的电胆串并联等效变换中,负电阻的处理方法与正电阻一致的结论.  相似文献   

14.
1.松下TC-2185CR/D彩电“三无” 打开后盖检查进线保险丝,未熔断。从市电网络拔下彩电电源插头,接通电源开关测量AC220V进线电阻为39Ω(正常)。检查发现整流桥路的限流电阻R481(4.7Ω/7W)已开路,分析是电路有过流现象将R481烧毁。检查厚膜电源电路IC801(STR50213)内部电压调整管Q的c-e极电阻(即IC801③、④脚),正、反向均为0Ω。再查IG801④脚(+113V输出端子)对地电阻,黑笔测为250Ω,红笔测为4.8KΩ,说明本机的负载电路基本正常。进一步检查可控硅保护电路Q834,未见异常。更新上述坏损元件后试机,彩电恢复正常。  相似文献   

15.
故障现象1:一台富士宝1H-1000H电磁灶,接通市电,保险丝立即烧毁,且烧迹严重。分析检修:先测大功率管1BG1(SEC·G40N150D)的G、D、S三极间电阻,均呈短路性击穿;测主电源滤波电容C2(5μF/400W)开路;测高频谐振电容C4(0.27μF/1.600V)容量明显不足。更换上述元件后,测+5V电源输出端电阻约为90kΩ,+10V输出端电阻为2.7kΩ,+18V输出端电阻为∞。表明负载正常。通电试机故障排除。故障现象2:一台万宝DCZ-12电磁炉,通电后声光报警不止,不能加热食物。分析检修:检测中发现2A3-2第②,④、⑤脚电压明显偏低,分别检查相关脚外围元件,发现第④脚外的2C18和2C19  相似文献   

16.
在电子倍增硅靶摄像管(SEM 管)中,制备光电阴极时碱金属蒸汽会对硅二极管阵列靶造成一定的污染。对污染问题进行了下述一些实验:(1)光电阴极制备对电阻海阻值的影响;(2)锑铯阴极与三碱阴极(S—20)的制备对 SEM 管污染的比较。实验结果证实:(1)碱金属蒸汽对碲化镉(CdTe)电阻海阻值未产生显著影响;(2)锑铯阴极比三碱阴极对 SEM管的污染小得多。为了解释实验中的一些现象,提出下述观点:电阻海 CdTe 对碱金属是一个阻挡层。依据这个观点做了一些理论推导及估算,初步解释了实验中出现的一些现象。  相似文献   

17.
黄平  俞永康 《微电子学》1997,27(4):217-223
从RMOS器件的导通电阻模型出发,通过分析导通电阻与栅氧化层厚度和槽深间的定量关系,得出:减薄栅氧化层厚度或增加槽的深度,可以降低器件的导通电阻和器件的反向耐压;反之,器件的导通电阻和反向耐压增加。同时,浅槽结构比深槽结构更理想。文中还讨论了器件的版图布局。结果表明,条形结构优于元胞结构。  相似文献   

18.
1 .Ic101橄处理器协厅62PI引脚功能和对地电阻 续裹 引脚 符号 功能 电阻(kn) 正向 反向 1 RD 亮平衡红增益调整 5.5 6.4 2 BRIGllT 亮度控制褚出 1.9 1。9 3 C0N 对比度控制拾出 5.5 6.3 4 R留ET 复位信号抢入 5.7 6.5 5 V比 电浑 1 .5 1。5 6 G阳 接地 0 0 7 0SC0 时钟振荡接 6.3 10.么 8 S叱I 时钟振荡界 6.3 10.2 9 ScL I℃总线时钟线 5.3 6 .5 1O SDA It总线数据线 5 .0 6。5 ll 盯P 读/写控制 5.5 6.3 12 即l+四2 哲停/软关机模式控制 3。0 3 .0 13 DEGAUSS 里像管消滋控制 3.4 3。2 14 空脚 l5 SENSE 传感器检测 5.…  相似文献   

19.
一、引言真空荧光显示器(VFD)是一种三极管,它具有三个电极,即阴极,栅极和阳共振极。在灯丝阴极上涂有氧化钡、锶、铈。阴极加热时发射的电子被栅极和阳极的正电位加速并轰击在荧光粉上,在轰击过程中使荧光粉激发。VFD 类似于 CRT,但 VFD 的加速  相似文献   

20.
(4,3) 反耦合元件集总平衡是在电缆回路间接入元件来提高串音防衛度,这些元件叫做反耦合元件。一般使用的反耦合元件为电阻及电容。电感因为体积較大又易引起互相的感应,因此一般並不采用。要了解反耦合元件的作用,须先研究接入电纜回路间的元件对串音防衛度的影响。圖8表示两个理  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号