微波功率场效应晶体管放大器的实验研究

本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给出国产BD4001型FET的设计实例。用微带工艺在30×50×1mm陶瓷基片上制作的E波段功放,获得了与计算结果吻合的实验数据,并已作为FET功放的第一级运用于某型雷达,获得了良好的结果。     

采用砷化镓场效应晶体管的微波放大器

本文描述了砷化镓场效应晶体管技术的现状,给出了这种器件的特性曲线,以及各种用于1～8GHz微波放大器的设计方法和要求。     

晶体管放大器偏置电路的噪声计算

本文首次给出了晶体管放大器三种电路组态各管脚偏置噪声的计算方法。该方法能够定量模拟晶体管放大器不同工作状态下的偏置噪声，从而为晶体管放大器偏置电路的噪声分析和低噪声优化设计提供了有利的工具。     

非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型分析

本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法.它与传统的模型分析方法不同.不要求知道非晶硅隙态密度分布g(E)的具体形式,而只需假定g(E)是连续函数.据此可得到该器件的I-V特性方程.它是一个无穷级数,但就实际应用精度而言,它可用一个多项式近似表示,而且它的第一项是与单晶硅MOSFET的I—V特性方程(非饱和区)相似.这个方程特别适合于描写双极性非晶硅场效应晶体管的静态特性.     

结型场效应晶体管放大器的噪声

本文通过分析结型场效应管(JFET)放大器内部不同的噪声源，首次导出了场效应管放大器在较宽频率范围内的等效输入噪声电压表达式，估算了当信号源阻抗为容性时JFET放大器的总噪声，为场效应管电路低噪声优化设计提供有力的工具。     

晶体管放大器三种组态的En—In噪声分析与比较

准确评价晶体管三种组态的噪声性能是低噪声放大器电路组态优化设计的关键。本文在晶体管三种组态Ｅｎ－Ｉｎ噪声分析等方面给出了若干新结果。     

结型场效应晶体管低频噪声测试方法研究

在深入研究JFET低频噪声特性及产生机理的基础上,提出了一种通过测试宽频带功率谱密度得到其规定频率处等效输入噪声电压功率谱密度和噪声系数的测试方法,并给出了低频噪声测试的偏置电路、测试设备和测试方法。结合3DJ4和3DJ6型JFET器件的测试结果表明,采用本文提出的方法可适用于JFET的低频噪声的测试。     

SOI—NMOS场效应晶体管的Kink特性分析

本文研究了在室温(RT)、液氮温度(LN)和液氮温度(LHe)下的SOI-NMOS场效应晶体管的电流—电压特性。研究的器件制作在二氧化硅上的经激光退火后的多晶硅薄膜体上。结果表明室温下带有薄膜引出端的晶体管的I_D—V_D特性曲线的Kink形状和液氦下观测到的N-MOS场效应晶体管的Kink形状很类似。实验还表明Kink大小是液氮下比室温下大、液氦下比液氮下的大。应用电容效应,低温下载流子“冻结”机制和不同偏压下载流子产生和复合的物理过程分析可以相应地解释不同温度下Kink效应。     

MOS场效应晶体管特性与应用

一、MOS场效应晶体管导电机构及原理 MOS场效应晶体管(简称MOS管)是一种新型的半导体器件,图1是 N沟导 MOS管芯结构原理图,即在 P型硅基片上有两个 N~+扩散区,其中一个称源,用S表示,另一个称漏,用 D表示,在 D和 S间的硅片上覆盖了较薄的 SiO_2绝缘层和金属层,并引出一电极,     

通信卫星用GaAs微波场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管可靠性的方法，利用该方法对ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管ＣＸ５６２进行可靠性评估。     

氟离子敏感场效应晶体管的研究

本文叙述了氟离子敏感场效应晶体管的原理,测试及其结果。这种对氟离子敏感的器件是用溅射的方法,在场效应晶体管的栅极上淀积一层很薄的氟化镧膜制成的。测试结果表明,这种器件灵敏度高,响应快,线性好。本文还从实验出发,对影响器件的稳定性和重复性的原因做了推测。     

聚合物薄膜场效应晶体管研究进展

有机薄膜场效应晶体管（OFET）在电子报纸、智能识别卡、大面积平板及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中．聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点．而使聚合物薄膜场效应晶体管（PFET）近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展，最后讨论PFET器件未来的研究方向。     

聚合物薄膜场效应晶体管研究进展

有机薄膜场效应晶体管（OFET）在电子报纸、智能识别卡、大面积平板显示及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中，聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点，而使聚合物薄膜场效应晶体管（PFET）近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展，最后讨论PFET器件未来的研究方向。     

基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器设计

采用0.18μm CMOS工艺,针对DMB-T/H标准数字电视调谐器应用,设计了一个基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器.详细分析了噪声抵消技术的原理,给出了宽带低噪声放大器的设计过程.仿真结果表明,在48～862 MHz频率范围内输入输出反射系数均小于-20 dB,噪声系数低于3 dB,增益大于17 dB,1 dB压缩点为-6dBm.在1.8V电压下,电路功耗为10.8mW.