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摘要:本文给出了一个针对发射机载波泄露抑制的宽动态范围线性射频功率检测器的设计。该检测器基于对数放大器原理,并运用逐级检测的方法在射频频段实现宽动态范围。为提高灵敏度,检测器前端放置了一个低噪声放大器。而出于减小寄生和面积的目的,检测器采用直流耦合的架构,但这将导致电路中的直流失调对其动态范围形成危害。因此,本文提出一个直流失调消除技术用于消除检测器的直流失调。最终,检测器采用SMIC 0.13μm CMOS 工艺流片,测试结果表明其在900MHz/2GHz,分别实现了50dB/40dB的宽动态范围且检测误差在?1dB之内,功耗为16mA?1.5V。面积为0.27?0.67mm2。 相似文献
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在提出0.18μm射频SOI LDMOS功率器件研究方法的基础上,对工艺进行了设计,并制备了栅宽为1 200μm,栅长为0.7μm,漏的注入区与栅的距离为1.5μm的0.18μm射频SOILDMOS功率器件。对器件进行了测试和模拟,在工作频率为3 GHz,直流偏置电压VDS为3 V,VGS为1.5 V,输入功率Pin为5 dBm时,Pout、增益和PAE分别为15 dBm1、0 dB和35%。 相似文献
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新型的功率器件--射频LDMOS 总被引:3,自引:1,他引:3
射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMOS功率器件可用于固态发射机中。 相似文献
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