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相似文献
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1.
张炜  冯全源 《微电子学》2007,37(3):425-427,431
在分析传统源极电感负反馈输入匹配结构缺陷的基础上,利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感,同时去掉源极负反馈电感。基于这种改进型输入匹配结构,设计了一种适用于无线接收机用的宽带CMOS低噪声放大器。结果表明,该LNA在工作频带内可达到15 dB的增益,2.75~3.65 dB的噪声系数,-10 dBm的1 dB压缩点,以及良好的稳定性。虽然输入匹配由于去除源极负反馈电感受到一定影响,但有利于降低噪声系数,并减小实际制作的芯片面积。  相似文献   

2.
设计并实现了3.8~4.8 GHz的C频段宽带低噪声放大器(LNA)模块.模块中采用源极负反馈电感提高LNA的稳定性,并进行了理论推导;定量给出了采用微带线和PCB板过孔的寄生电感作为负反馈电感的电感值;提出一种新的易操作的设计多级宽带LNA的方法,该方法采用各级增益多峰值匹配展宽带宽.该LNA模块的实验测试结果与理论计算符合很好,在1 GHz宽带频率范围内增益大于36 dB,噪声系数小于1 dB.  相似文献   

3.
CMOS低噪声放大器的噪声系数优化   总被引:2,自引:2,他引:0  
刘凤  王军 《通信技术》2011,(10):121-122,125
目前大量的研究文献已经描述了如何找到使噪声系数最小的低噪声放大器输入网络的最佳品质因数,但是它们往往遗漏了一个重要的参数——源极电感负反馈低噪声放大器中的栅极电感,它的寄生阻抗为低噪声放大器增加了明显的噪声。本研究课题提出了2种优化方法,这2种方法均满足功率匹配并均衡了晶体管所产生的噪声贡献和栅极寄生阻抗所产生的噪声贡献,从而实现了在栅极电感品质因数、功耗、增益限制下的噪声优化。  相似文献   

4.
李竹 《现代电子技术》2006,29(20):30-32
采用0.18μm CMOS工艺,两级共源结构实现了低功耗高增益的低噪声放大器设计。共源结构的级联采用电流共享技术,从而达到低功耗的目的。电路的输入端采用源极电感负反馈实现50Ω阻抗匹配,同时两级共源电路之间通过串联谐振相级联。该LNA工作在5.2 GHz,1.8 V电源电压,能提供20 dB的增益(S21为20 dB),而噪声系数为1.9 dB,输入匹配较好,S11为-32 dB。  相似文献   

5.
设计了一种低压、低功耗、输出阻抗匹配稳定的CMOS差分低噪声放大器.基于源极电感负反馈共源共栅结构,提出了基于MOS管中等反型区最小化Vdd·Id的方法,以优化功耗.在共栅晶体管处并联正反馈电容,以提升电路增益.对电路的噪声系数、输出阻抗稳定性、芯片面积等也进行了优化.仿真结果表明,当电源电压为1V,工作频率为5.8 GHz时,设计的低噪声放大器的噪声系数为1.53 dB,输入回波损耗为-22.4 dB,输出回波损耗为-24.6 dB,功率增益为19.2dB,直流功耗为4.6 mW.  相似文献   

6.
张正  张延华  黄鑫  那伟聪 《微电子学》2021,51(2):151-156
设计了一种采用可调谐有源电感(TAI)的多频段低噪声放大器(MBLNA).在放大级中,由电感值及Q值可多重调谐的TAI与电容值可调谐的变容二极管构成选频网络,并结合共射-共基放大电路,实现对不同频段信号进行选择放大.输入级采用带有输入串联电感与发射极电感负反馈的共射放大电路,实现了 MBLNA输入阻抗的宽带匹配.输出级...  相似文献   

7.
文章主要研究低噪声放大器在宽频带范围内增益平坦度低、阻抗匹配差的问题。选用Avago公司生产的具有高动态范围和低噪声特性的PHEMT器件ATF-38143晶体管,采用自给偏置共源,负反馈结构,基于ADS仿真设计完成一款两级级联的宽带低噪声放大器。该放大器利用源极串联反馈电感和输入端接双支节微带线的匹配方法。仿真结果显示放大器在1.0~3.0 GHz的频带范围内,输入输出回波损耗均小于-10 dB;系统稳定性因子K> 1;噪声系数为(1.6±0.4)dB;最大增益为26.5 dB,增益平坦度缩小到±0.5 dB。  相似文献   

8.
李智群  陈亮  张浩 《半导体学报》2011,32(10):105004-10
本文给出一种新的带ESD保护源极电感负反馈低噪声放大器优化方法,可以实现在功耗受限条件下的噪声和输入同时匹配,并给出了输入阻抗和噪声参数的分析。采用该方法设计并优化了一个基于0.18-μm RF CMOS工艺、应用于无线传感网的2.4GHz低噪声放大器。测试结果表明,低噪声放大器的噪声系数为1.69dB,功率增益为15.2dB,输入1dB压缩点为-8dBm,输入三阶截点为1dBm,1.8V电源电压下的工作电流为4mA。  相似文献   

9.
采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联负反馈和输入匹配电路,实现噪声匹配和输入匹配。第二级采用串联、并联负反馈,提高电路的增益平坦度和稳定性。每一级采用自偏电路设计,实现单电源供电。MMIC芯片测试结果为:工作频率为2~4 GHz,噪声系数小于1.0 dB,增益大于27.5 dB,1 dB压缩点输出功率大于18 dBm,输入、输出回波损耗小于-10 dB,芯片面积为2.2 mm×1.2 mm。  相似文献   

10.
本文介绍了一种适用于GPS接收机的CMOS宽带低噪声放大器,带宽设计在1.16Hz-1.7GHz。采用源极电感负反馈结构,并在输入端加入了宽带匹配网络来扩展带宽,放大器提供30dB的增益,使用了两级放大,第二级采用了电流复用技术来节省功耗,最后一级使用了源极跟随器,用来阻抗匹配。采用TSMC55nmCMOS工艺,仿真结果表明,噪声系数小于1.3dB,S21大于29dB,S11小于-10dB,1.2V电源供电下功耗为20mW。  相似文献   

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