脉冲激光沉积ZnSe:Cox纳米晶薄膜的微结构及光学性质研究

采用脉冲激光沉积技术在基片温度为800℃条件下制备了不同Co含量的ZnSe:Co_x(x=0.1,0.3,0.5)微晶薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜、X射线光电子能谱、红外透射光谱及光致发光光谱分析了薄膜的微结构及光学特性。结果表明：所制备的纳米晶薄膜结晶质量优秀,具有(111)择优取向,薄膜结晶质量、光谱透射率和光学带隙均随Co含量的增加而减小;薄膜在波长约700～850 nm处存在一吸收带,这源于Co²⁺在周围Se^2-构成的四面体晶场中⁴A₂(4F)→⁴T₁(4P)能级之间的跃迁;当Co掺入量x=0.5时,薄膜达到过掺杂状态,α-Co杂质相出现,薄膜红外光致发光谱大幅降低。     

基片温度对脉冲激光沉积ZnS:Co薄膜微结构及光学性质的影响研究北大核心CSCD

采用脉冲激光沉积技术在石英基片上制备了ZnS:Co薄膜,改变制备过程中石英基片的温度TS,研究了基片温度对薄膜微结构及光学特性的影响。随着基片温度的升高,薄膜的厚度减小,结晶质量得到提升,并朝着(111)方向择优生长。受量子限域效应的影响,薄膜的光学带隙在基片温度为TS=25℃时最大为3.83 eV,光学带隙先随基片温度增大而减小,并在基片温度为400℃时取得最小值3.5 eV,此后随基片温度增大而增大。此外,薄膜的折射率、消光系数、介电系数等光学参数随基片温度升高均有增大趋势。实验表明在基片温度达到400℃以上时,可以获得综合性能较好的微晶薄膜。     

脉冲激光沉积溅射工艺对CIGS薄膜成分和结构的影响

采用脉冲激光沉积溅射法在玻璃衬底上制备Cu-In-Ga预制膜,后经硒化、退火处理,得到CIGS薄膜。采用X射线衍射仪表征了薄膜的晶体结构,采用扫描电子显微镜和能量散射谱观察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光电子能谱分析了薄膜表面的化学价态。结果表明,预制膜采用玻璃/In/Cu-Ga的叠层顺序且溅射脉冲数为In靶60000,Cu-Ga靶50000的溅射方式,可制备出沿(112)晶向择优生长的CIGS薄膜。     

脉冲激光沉积有机薄膜

脉冲激光沉积(PLD)技术是一门新兴的薄膜制备技术,在无机薄膜的制备和研究方面取得了令人满意的成果,技术也比较成熟.但利用脉冲激光沉积技术制备和研究有机膜方面的工作开展较晚,工作也比较少,尚未形成一个比较系统的体系.因此开展有机薄膜的脉冲激光沉积研究将具有重要的意义.     

沉积时间对脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜性能的影响

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在氧气气氛中以高纯Zn为(99.999%)靶材,在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜.通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究,分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响.结果表明,采用PLD法在室温下可以制备出(002)结晶取向和透过率高于75%的ZnO薄膜,但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差,沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能.     

脉冲激光沉积法制备β-BBO薄膜

采用脉冲激光沉积法、选取β-BBO陶瓷作为靶材在掺在Sr2 的α-BBO(001)衬底上进行了生长β-BBO薄膊膜的实验,生长出表面光滑、无色透明的薄膜.采用X射线粉末衍射(XRD)、高分辨X射线衍射仪(XRC)对薄膜进行了分析测试,结果表明,所制备的β-BBO薄膜择优取向为(00l)面,薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽值FWHM为1000“左右,显示出β-BBO薄膜较好的结晶质量,其紫外吸收边同β-BBO单晶一样也为190 nm,但薄膜的透过率略有下降.采用调Q脉冲Nd:YAG激光器观察了β-BBO薄膜的倍频效应.     

氧气压强对脉冲激光沉积法制备的CuO薄膜性能的影响

采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上沉积CuO薄膜,研究了氧气压强对CuO薄膜结构和光学、电学性能的影响。结果表明：在氧压为3×10^-3Pa,3～5Pa,和8～12Pa时,沉积的薄膜分别为单一Cu₂O相、混合Cu₂O/CuO相和单一CuO相;当氧压从5Pa增加到8Pa时,CuO薄膜的取向从(111)变化到(002);霍尔测试表明,在3～5Pa下沉积的CuO薄膜为p型,而在8～12Pa下沉积的薄膜为n型;氧气压强为5Pa时,薄膜电阻率较小,载流子浓度最大。     

脉冲激光沉积ZnO薄膜的结构和光学特性研究

采用脉冲激光，在Si（001）衬底上生长ZnO薄膜，利用X射线衍射（XRD），原子力显微镜（AFM）和光致发光光谱（PL）等测试手段研究了不同衬底温度所生长的ZnO薄膜结构特征和光学性能。研究表明：衬底温度影响ZnO薄膜结构和光学性能。在500℃～600℃沉积范围内随着温度升高，ZnO薄膜结构和光学性能提高。     

脉冲激光沉积技术制备薄膜锂电池

脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,PLD)是20世纪80年代发展起来的一种全新的制备薄膜技术,具有沉积速率高,再现性能好等优点.近年来,利用PLD技术在全固态薄膜锂电池的研究中取得许多有意义的结果.一系列新型、高质量的电池薄膜材料被成功制备;原位组装的薄膜锂电池表现出良好的电化学性能.本文简要介绍了PLD技术的原理和特点;重点评述PLD在全固态薄膜锂电池阴极薄膜、阳极薄膜和电解质薄膜制备中的应用状况.     

脉冲激光沉积（PLD）薄膜技术的研究现状与展望

综述了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的研究现状，并按照研究方向将整个研究领域分为三个部分：PLD法沉积薄膜的机理，PLD的工艺研究以及PLD法沉积的主要薄膜材料，分别进行了阐述，对相关的研究工作提出了建议，并对PLD技术的应用前景做了展望。     

AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积

研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质。结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构。随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升。AlN晶粒呈柱状生长机制。     

氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO：Al膜性能的影响

利用脉冲激光法制备了ＺｎＯ：Ａｌ透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及ＳＥＭ、ＸＲＤ测试分析，详细研究了沉积时基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明：基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出：基片温度从２００℃升到３００℃过程中，膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为０Ｐａ、基片温度为４００℃下沉积的膜，其电阻率具有较低值，且在可见光区     

脉冲激光沉积制备类金刚石薄膜的结构和光学性质

采用脉冲激光沉积方法在Si(100)衬底上制备了类金刚石薄膜,利用椭圆偏振光谱,拉曼光谱及X光电子能谱研究了衬底温度对薄膜的结构和光学性质的影响.结果表明较低衬底温度制备的薄膜的光学常数具有典型的类金刚石特征.衬底温度的升高导致了薄膜的有序化,使得薄膜的sp3键成分改变,从而影响了薄膜的光学常数.衬底温度过高,导致薄膜严重石墨化,表面粗糙度增加,不利于制备高质量类金刚石薄膜.     

不同环境气压下激光沉积制备锗纳米薄膜的研究

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在不同环境压强下于室温Si衬底上沉积制备出了Ge纳米薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了环境压强对薄膜的微观结构、形貌以及膜厚的影响规律.结果表明:所制备的纳米薄膜中Ge均为晶态;随着环境压强的增大,薄膜表面由常规的量子点镶嵌结构演变为类网状结构;膜厚随着环境压强的增大而减小.     

A1N薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积

研究了采用脉冲激光沉积（PLD）技术在Si（100）衬底上A1N薄膜的制备及其性质。结果表明，衬底温度从室温到800℃的范围内，所得到的A1N薄膜为（002）择优取向的纤锌矿结构。随着衬底温度的升高，A1N薄膜从纳米晶结构转为多晶结构，同时表面微粗糙度上升。A1N晶粒呈柱状生长机制。     

氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响

利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :基片温度从 2 0 0℃升到 30 0℃过程中 ,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为0Pa、基片温度为 4 0 0℃下沉积的膜 ,其电阻率具有较低值 ,且在可见光区其透光率约为 90 %。     

氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO：AI膜性能的影响

利用脉冲激光法制备了ZnOAl透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、xRD测试分析,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出基片温度从200℃升到300℃过程中,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应zk大。在氧分压强为0Pa、基片温度为400℃下沉积的膜,其电阻率具有较低值,且在可见光区其透光率约为90％。     

脉冲激光沉积制备SnS薄膜及其光学特性的研究

利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,研究了SnS薄膜的晶体结构、表面形貌以及有关光学特性。所制备的SnS薄膜样品为斜方晶系多晶结构,在(111)晶面上有很强的择优取向性;衬底温度在100~400℃范围内,表面形貌有所区别,随着温度升高,薄膜表面分别呈现大小晶粒共存、片状颗粒、针状颗粒和锥状颗粒的形貌特征;紫外区的SnS薄膜透过率极低,可见光范围的透过率很低,近红外区的透过率较大;样品在可见区和紫外区吸收强烈,吸收系数达105cm-1量级,直接禁带宽度为1.39~1.46 eV。     

脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能

采用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基底上制备了有效氧化层厚度为8．6nm，介电常数为29．3的HfO2薄膜．借助C射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、高分辨透射电镜（HRTEM）分析了样品的微观结构，对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明，该方法制得的HfO2薄膜表面光滑，N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0．203nm变为0．498nm，薄膜由非晶转变为简单正交结构，界面层得到有效控制，该栅介质电容具有良好的C-V特性，较低的漏电流密度（4．3×10^-7A/cm^2，@-1V），是SiO2栅介质的理想替代物．     

离子束辅助脉冲激光沉积硼碳氮薄膜

以烧结B4C为靶材料、在氮离子束辅助下用脉冲激光沉积方法制备了三元化合物硼碳氮（BCN）薄膜.用X光电子谱和傅立叶变换红外谱方法表征了制备的薄膜.结果表明,膜层中包含B-C、N-C、B-N键等复合结构,以B-C-N原子杂化的形式结合成键,而并非各种成分的简单混合.还探讨了成膜过程和相关机理,离子束中的活性氮有效地和脉冲激光对B4C靶烧蚀产生的硼和碳结合成键,氮离子束的辅助还能在一定程度上抑制氧杂质进入膜层,给衬底适当加温有利于提高氮的含量并影响薄膜的化学结构.