集成磁光布拉格池调制器

加州大学电气计算机工程系和表面科学研究所的ChehWang等人已发展一种在锥形钇铁石榴石－铁嫁石榴石（YIG－GGG）波导衬底中含有一对弯曲混合型透镜的集成磁光布拉格池调制器。这种弯曲混合型成对透镜在大大减少慧差情况下提供了近衍射极限焦斑尺寸和相对较大的角视场（见图）。取焦衍射极限光束通过改变静磁前向体积波（MSFVW）的载波频率而扫描。通过同时应用多个微波频率进行射频频谱分析。锥形波导结构证明能满足大磁光布拉格带宽以及良好透镜性能的要求。用尺寸为6．OX16mm‘的掺钛YIG－GGG锥形波导结构制作的集成磁光布拉格…     

磁光光纤Bragg光栅中偏振消光比特性分析

通过分析磁光光纤Bragg光栅中偏振消光比特性,提出一种利用峰值偏振消光比测量磁场的新方案。利用OptiSystem软件仿真表明,当光栅耦合系数远大于磁光耦合参量时,峰值偏振消光比与外加磁场的对数值成线性关系,与理论分析结果一致。文章还给出了峰值消光比与光栅长度、折射率调制深度和费尔德常数之间关系的解析式,可方便地用于分析磁场的测量性能。     

偏振干涉法用于偏振器消光比的测量

提出一种偏振器消光比测量的新方法。由于采用了高消光比偏振分光系统和相干探测技术，使得消光比的测量方便和准确。     

光弹调制器在偏振方向调制中的应用

提出了一种将光弹调制器应用于偏振方向调制的方法,介绍了它的两种基本使用模式,利用琼斯矩阵对其偏振方向调制原理及其两种基本使用模式进行了分析。光弹调制器和1/4波片形成偏振方向调制器件时,光弹调制器处于两块透光轴相互垂直的1/4波片之间,且光弹调制器的振动轴分别和两块1/4波片的透光轴成±45°角,线偏振光通过此器件其偏振方向被调制。实验验证了光弹调制器组合1/4波片调制偏振方向的原理。将光弹调制器应用在偏振方向的调制中,使现有偏振方向调制技术的光谱范围扩展到了紫外波段。     

双光束磁光读出系统的偏振态分析

磁光存贮中信号读出的原理是磁光克尔效应。本文利用琼斯矩阵分析了双光束磁光存贮中信号读出系统偏振态的传输情况，并推导出读出信号的表达式；文中还分析了如何选取与读出信号的有关的光学元件的参数。     

单偏振光纤声光调制器

该文介绍了一种全光纤耦合的单偏振声光调制器的设计及应用。理论分析了光纤声光调制器的工作原理,描述了单偏振光纤声光调制器的关键指标(插入损耗、消光比、光脉冲上升时间)的设计方法和单偏振光纤准直器的耦合工艺方法。设计制作了工作在1.06 μm波长的高速低插损单偏振光纤声光调制器,其偏振消光比达到42 dB,能有效隔离系统偏振噪声。     

高消光比偏振不灵敏电吸收调制器

用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器 ,应用应变 In Ga As/In Al As材料做多量子阱 ,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性 ,以及其高消光比 (>40 d B)和低电容 (<0 .5 p F) ,保证了器件可以应用于高速率的传输系统 (>10 GHz)     

磁光调制器在先进航空电子显示器中的应用

一、工作原理磁光调制器由秘取代的铁石榴石簿膜所制成,该薄膜生长在非磁性透明基片上,铋的单轴各向异性场矢量取向垂直于薄膜的平面,而场矢量强度大于薄膜的磁饱和强度.该薄膜采用蚀刻的方法构成如图1扫描电子显微镜图象中所示的台面(晶体管).导线采用常规的半导体制造技术沉积在薄膜上面,构成改变每个台面或象素的磁场矢量方向所需的激励线路.为便于透射式或反射式使用,应使导线的几何形状最佳化.图2示出透射式阵列的一个例子,图中128×128象素     

基于电光聚合物材料的光圆偏振调制器的研制

设计并研制了基于电光聚合物光波导的光圆偏振调制器(CPM)。所研制器件的TE TM偏振模式均衡器部分能够实现TE模与TM模间90%的偏振转换效率,这为器件输出光波的偏振分量均衡提供了相当大的调节范围。在均衡了波导中TE模与TM模的基础上,实验表明,器件的TE TM相位差调制器部分实现了很好的光波圆偏振调制输出特性。所测得的输出线偏振光中,45°与-45°斜角方向偏振分量的消光比大于25dB。基于接触式电极化法所获得的电光特性,TE TM偏振模式均衡器部分的偏振转换周期电压约为230V,TE TM相位差调制器部分的调制特性曲线周期约为192V。     

具有高可调增益范围的CMOS宽带中频调制器

利用TSMC 0 .2 5 μmCMOS混合工艺 ,针对超外差结构的无线宽带收发器 ,实现了一个能够工作在 5 0～6 0 0MHz的中频调制器 ,并对该调制器进行了仿真和测试。由于该调制器在输出端采用了一个具有高可调增益范围而且鲁棒性能好的可变增益放大器 (VGA) ,从而使得该调制器具有超过 70dB的增益可调范围。测试结果表明 ,该调制器能够工作在 5 0～ 6 0 0MHz的频率上 ,输出功率为 - 81～ - 10dBm ,最小增益的输出噪声为 - 130dBm/ Hz,最大增益的输出P1dB点为 - 4 .3dBm ,在 3V的电源电压下 ,电流功耗为 32mA。     

高性能连续时间Sigma-Delta调制器系统级设计

介绍了高性能连续时间Sigma-Delta调制器的系统设计和行为级建模的方法,并通过在噪声整形滤波器中加入一对零点改善了调制器带内信噪比.仿真结果显示,该调制器适用于转换精度14位,转换速率7.8Msps的多bit连续时间Sigma-Delta A/D转换器.     

高精度低功耗Sigma-Delta调制器的设计

设计了一种应用于音频和传感领域的高精度低功耗的Sigma-Delta调制器。该调制器采用四阶单环一位的CRFF结构,通过开关电容型全差分电路的使用,减小了偶次谐波、衬底以及电源噪声,以及斩波技术的使用,降低了直流失调和低频噪声,达到了提高精度和降低功耗的目的。本设计采用Global foundries 0.18 μm CMOS工艺,电源电压为1.8 V,过采样率为128,采样时钟频率为5.12 MHz。仿真结果表明,该调制器信噪比达100.2 dB,整个调制器的功耗仅为380 μW。     

一种低脉冲抖动高速光纤声光调制器

该文分析了调制后光脉冲信号时域抖动的机理,并介绍了低脉冲抖动光纤声光调制器的设计方法.实验验证表明,在波长1550 nm下可得到光脉冲抖动为1.3 ns,光脉冲上升时间为7.9 ns,插入损耗为2.9 dB,消光比为56 dB的高性能光纤声光调制器.     

微机械光调制器激励机制的理论和实验研究

讨论了一种具有Fabry-Perot结构的新型微机械先调制器,该光调制器由表面微机械工艺制备。理论分析表明,正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波对光调制器的驱动结果是完全不同的。测量结果表明,微机械光调制器有一系列的固有频率。对正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波信号的测量结果显示,调制器的响应是对驱动力中各频率成分的响应,和理论分析符合得非常好。     

An Electroabsorption Modulator Monolithically Integrated with a Semiconductor Optical Amplifier and a Dual-Waveguide Spot-Size Converter

A semiconductor optical amplifier and electroabsorption modulator monolithically integrated with a spot-size converter input and output is fabricated by means of selective area growth,quantum well intermixing,and asymmetric twin waveguide technology.A 1550～1600nm lossless operation with a high DC extinction ratio of 25dB and more than 10GHz 3dB bandwidth are successfully achieved.The output beam divergence angles of the device in the horizontal and vertical directions are as small as 7.3°×18.0°,respectively,resulting in a 3.0dB coupling loss with a cleaved single-mode optical fiber.     

相干光正交频分复用系统中光调制的优化设计

相干光正交频分复用(COOFDM)是目前光传输领域的研究热点之一。COOFDM系统采用马赫-曾德尔光调制器(MZM)实现射频(RF)信号到光的转换,而正交频分复用(OFDM)信号对非线性十分敏感,所以在系统设计上最关键的就是实现信号的线性传输。从理论上分析了COOFDM系统中MZM对OFDM信号的非线性影响,通过对MZM偏置点及调制指数优化,实现COOFDM系统的最佳传输,同时对COOFDM系统品质因子Q与偏置点及调制指数关系进行了仿真。结果表明,为了实现最佳线性传输,不同于传统的基于强度调制/直接检测系统(偏置点选在积分点),COOFDM系统中MZM最佳偏置点选在零点;MZM调制指数的选择也会对系统性能产生影响,当COOFDM系统中MZM调制指数为0 dB时,系统性能达到最佳。     

电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成

采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件.器件在波长1.55～1.60μm范围内,3dB带宽大于10GHz,直流消光比为25dB,插入损耗小于0dB,远场发散角为7.3°×18.0°,与单模光纤的耦合效率达3.0dB.     

鳍线结构光波导调制器的速度匹配及高次模计算

本文利用谱域法和谱域导抗法，以速度匹配为目标对鳍线结构铌酸锂（ＬｉＮｂＯ３）光波导行波调制器的横向结构各参数做了优化计算，包括作为鳍线基底的铌酸锂晶片厚度、鳍线槽宽及光波导位置，并计算了影响调制特性的高次模分布。