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相似文献
 共查询到20条相似文献，搜索用时 543 毫秒
1.
在ＳＩＭＯＸ结构中辐照诱生ＥＳＲ有源缺陷＝Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ－ｉｎｄｕｃｅｄＥＳＲａｃｔｉｖｅｄｅｆｅｃｔｓｉｎＳＩＭＯＸｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊．英］／Ｓｔｅｓｍａｎ，Ａ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．Ｓｃｉ．－１９９０．３７（６）．－２０...  相似文献   

2.
ｐ型和ｎ型硅中ＳＦ＿６等离子刻蚀引起的电子缺陷＝Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｆｅｃｔｓｉｎｄｕｃｅｄｉｎｐ－ａｎｄｎ－ｔｙｐｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙＳＦ＿６ｐｌａｓｍａｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｂｅｌｋａ－ｃｅｍ，Ａ．…∥Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．...  相似文献   

3.
用含氟等离子反应离子刻蚀ＳｉＧｅ合金＝ＲｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＧｅａｌｌｏｙｓｕｓｉｎｇｆｌｕｏｒｉｎｅ－ｃｏｎ－ｔａｉｎｉｎｇｐｌａｓｍａ［刊，英］／Ｚｈａｎｇ，Ｙ，…Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ．Ｖａｃ，ｓｕｒｆ，Ｆ...  相似文献   

4.
热氮化对ＳｉＯ＿２／Ｓｉ界面辐照加固强度的影响＝Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｔｈｅｒｍａｌｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎｏｎｔｈｅｒａｄｉａ－ｔｉｏｎｈａｒｄｎｅｓｓｏｆｔｈｅＳｉＯ＿２／Ｓｉｉｎｔｅｒｆａｃｅ［刊．英］／ｄｅ－ｃａｓｔｒｏ，Ａ．Ｊ．…∥Ｊ．Ａｐｐｌ．...  相似文献   

5.
只有两个外部元件的ＢｉＣＭＯＳ话音电路＝ＡＢｉＣＭＯＳｓｐｅｅｃｈｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｏｎｌｙｔｗｏｅｘｔｅｒ－ｎａｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ［刊，英］／Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｌｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．１９９３．２８（７）．...  相似文献   

6.
用于特大规模集成器件的浅槽隔离＝Ｓｈａｌｌｏｗｔｒｅｎｃｈｉｓｏｌａｔｉｏｎｆｏｒｕｌｔｒａ－ｌａｒｇｅ－ｓｃａｌｅｉｎｔｅ－ｇｒａｔｅｄｄｅｖｉｃｅｓ［刊，英］／Ｂｌｕｍｅｎｓｔｏｃｋ，Ｋ…∥Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．，Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ，Ｍｉｃｒｏｅｌ...  相似文献   

7.
宽带应用的ＣＣＤ分频器＝ＡＣＣＤｆｒｅ－ｑｕｅｎｃｙｐｒｅｓｃａｌｅｒｆｏｒｂｒｏａｄｂａｎｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［刊，英］／ＣｏｌｂｅｔｈＲ．Ｅ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒ－ｃｕｉｔｓ．－１９９３，２８（８）．－９２２～９３０本...  相似文献   

8.
Ｓｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤＝Ｈｉｇｈ－ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｄａｍａｇｅｅｆｆｅｃｔｓｉｎｔｈｅＳｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｙｓｔｅｍ［刊，英］／Ｃｈｅ－ｕｎｇ．Ｒ．…...  相似文献   

9.
适于嵌入应用的一种２５ＭＳ／ｓ８位ＣＭＯＳＡ／Ｄ转换器＝Ａ２５ＭＳ／ｓ８－ｂｉｔＣＭＯＳ．Ａ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｃｒｆｏｒｅｍｂｅｄｄｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｐｅｌ－ｇｒｏｍ，ＭＪＭ…∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．...  相似文献   

10.
耗尽态ＳＩＭＯＸＭＯＳ晶体管的低频噪声＝Ｌｏｗ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｎｏｉｓｅｉｎｄｅｐｌｅｔｉｏｎ－ｍｏｄｅＳＩＭＯＸＭＯＳｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊．英］／Ｅｌｅｗａ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．－１９９１．３８（２）．－３...  相似文献   

11.
ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的跨导＝Ｔｒａｎｔｃｏｎｄｕｃ－ｔａｎｃｅｏｆｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｃｏｌｉｎｇｅ，Ｊ．Ｐ∥ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．Ｌｅｔｔ．－１９８５．６（１１）．－５７３～５７４用背栅偏压作...  相似文献   

12.
适用于１６位数字信号处理接口的集成连续时间平衡滤波器＝Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ－ｔｉｍｅｂａｌａｎｃｅｄｆｉｌｔｅｒｓｆｏｒｌ６－ｂＤＳＰｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ［刊．英］／Ｄｕｒｈａｍ，Ａ．Ｍ，…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒ...  相似文献   

13.
极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...  相似文献   

14.
掩模缺陷规范造成的器件成品率和可靠性问题＝Ｄｅｖｉｃｅｙｉｅｌｄａｎｄｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｂｙ．ｓｐｅｃｉｆｉｃａ－ｔｉｏｎｏｆｍａｓｋｄｅｆｅｃｔｓ［刊，英］／Ｗｉｌｅｙ，Ｊ．Ｎ…／／ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＴｅｃｈｎｏｌ．－１９９３．３６（７）．－...  相似文献   

15.
薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件结构的设计考虑＝Ｄｅｓｉｇｎｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓｆｏｒｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩ／ＣＭＯＳｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ａｏｋｉ．Ｔａｋａｈｉｒｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，－１９８９．５...  相似文献   

16.
Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ１×２Ｙ－ｊｕｎｃｔｉｏｎＯｐｔｉｃａｌＳｗｉｔｃｈＢａｓｅｄｏｎＷａｖｅｇｕｉｄｅ－ｖａｎｉｓｈｉｎｇＥｆｅｃｔ①②ＺＨＡＯＣｅｚｈｏｕ（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅ...  相似文献   

17.
适用于数字ＣＭＯＳ集成电路的模拟相位测量电路＝ＡｎａｌｏｇｐｈａｓｅｍｅａｓｕｒｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｆｏｒｄｉｇｉｔａｌＣＭＯＳＩＣ＇ｓ［刊．英］／Ｒｏｔｈｅｒｍｅｌ．Ａ．…ＩＥＥＥＪ，ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９３，２８（７）．...  相似文献   

18.
用光激励氟气清洁外延硅表面＝ＳｕｒｆａｃｅｃｌｅａｎｉｎｇｆｏｒＳｉｅｐｉｔａｘｙｕｓｉｎｇｐｈｏｔｏｅｘｃｉｔｅｄｆｌｕｏｒｉｎｅｇａｓ［刊，英］／Ａｏｙａｍａ，Ｔ，…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ，－１９９３，１４０（２）．－３６６～３７...  相似文献   

19.
１２位６００ｋｓ／ｓ数字式自校准流水线型算法Ａ／Ｄ转换器＝Ａ１２－ｂ６００ｋｓ／ｓｄｉｇｉｔａｌｌｙｓｅｌｆ－ｃａｌｉ－ｂｒａｔｅｄｐｉｐｅｌｉｎｅｄａｌｇｏｒｉｔｈｍｉｃＡＤＣ［刊，英］／Ｌｅｅ，Ｈａｅ－Ｓｅｕｎｇ∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌ．Ｓｔａ，Ｃｉ...  相似文献   

20.
ＮＨ＿３－氮化Ｎ＿２Ｏ￣－生长氧化物的ＭＯＳ特性＝ＭＯＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮＨ＿３ｎｉｔｒｉｄｅｄＮ＿２Ｏ￣－ｇｒｏｗｎｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｙｏｏｎ，Ｇ，Ｗ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３，１...  相似文献   

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