三菱电机公司开始销售16Mb SRAM的样品

日本三菱电机公司根据JEDEC标准已制成二种16MbSRAM的产品——“M5M4V16807A”，“M5M4V164O7丸’，并于1994年2月开始销售。产品结构：I“07A为ZM字节X8位，16407A为4M字节”4位。工艺采用0．SPinCMOS，二层铝布线。电源电压为单一3．3V，CPU的钟频为100MHz，由于把数据寄存器输出弓！线间的数据总线做成Th段流水线，已实现gns以下数据传输时间。另外，在芯片内部采用装载128位数据寄存器的寄存器方式，在IO6MHZ的频率下可稳定工作。耗散电流在脉冲工作时为150mA，在待机时为2．smA（豆obMHz，VC。为3．6V），在自恢复…     

夏普公司首先开发混合RAM和ROM的存储器

夏普公司为了满足用户的需要，首先开发混合RAM和ROM的存储器，型号为LH6P81T，并已开始销售。该产品与用RAM和ROM芯片构成的以前计算机系统的存储器相比较，具有以下特点：1.没有产生在ROM侧面的剩余存储器空间，完全有效利用8位。2．由于RAM和ROM一体化，可用同一速度存储，地址管理变得更简化，能开发有效的软件。3．可进行减少空间的设计等。夏普公司首先开发混合RAM和ROM的存储器@一凡     

GaN系材料的蓝紫色半导体激光器

日亚化学工业公司成功地使用GaN系材料制作的蓝紫色半导体激光器，进行了室温脉冲振荡。该器件使用InGaN多重量子阱结构为其激活层。该半导体激光器的脉冲宽为1μs，占空比0．001条件下接通电流时，开始产生电流密度为4kA／cm2的振荡。最大脉冲功率为几＋mW，发光光谱的半值宽为1nm～3nm。目前传统开发中的蓝色半导体激光器采用ZnSe系材料。这次开发采用GaN系材料是对短波长半导体激光器在选材上的有力补充。该公司已开发的GaN系蓝色发光管亮度为2．5cd，绿色发光管亮度为12cd。GaN系材料的蓝紫色半导体激光器@孙再吉…     

恩智浦谈MCU产品策略

2000年开始推出基于ARM内．核的MCU至今,恩智浦已经为全球市场提供了10亿颗MCU,恩智浦是全球最早推出基于ARMCortex．M0、Cortex．M3和Cortex—M4内核的MCU的公司,也是目前业界唯一能够全线提供这三种内核MCU的公司。     

4Mb掩模ROM

日本三菱电机公司应用1.2μm CMOS技术和高速电路设计技术研制成功的M5M23C 400P型4Mb掩模ROM,最近开始批量生产。     

富士通出售16M位快速存储器,与AMD共同开发,芯片尺寸为87.12mm~2

据《SermiconductorWorld》Vol．13，No．12报道：富士通公司业已开发5V单电源的16M位快速存储器[MBM29F016]，现已出售样品。该公司看到了快速存储器的需要量逐渐增加的趋势，决定与AMD成立联合公司共开始开发这种产品，16M位快速存储器是其第一批拳头产品。新产品使用负栅擦除技术，实现了5V单电源的同时，采用设计规范为0．5m的CMOS技术，实现了芯片尺寸为87．12mm2（9．68mmx9.00mm）的愿望。另外，即使是在随机读出的场合下，读出时间最大为90ns，器件在进行擦除和写入期间，解放CPU是可能的。改写次数可保证在10万次左右，…     

三菱电机/日立制作所共同出售16M位DINOR型闪烁存储器

据《电子材料》杂志1996年第2期上报道，三菱电机公司和日立制作所共同开发了16M位DINOR型闪烁存储器，现在已开始出售样品。DINOR型存储单元是三菱电机公司单独开发的，它具有NOR型的高速性和NAND型的高集成性等两大特点，同时也是能够实现低功耗化的单元。使用这个单元．在原来采用单电源实现低功耗化较为困难的闪烁存储器中，在世界上首次同时实现了3．3V单电源化和高速随机存取80ns（最大）。另外，还考虑到易于使用等功能。三菱电机/日立制作所共同出售16M位DINOR型闪烁存储器     

405nm半导体激光器

Photonic Products公司的Sanyo405nm半导激光器能提供20mW、45mW或者85mW的能量输出。DL-4146—101S能输出20mW的光学能量,阈值电流26mA,典型的工作电流为35mA,工作电压4．8V,监控输出电流0．2mA。DL-5146—101S型号提供45mW能量输出,阈值电流为35mA,典型工作电流70mA,工作电压5．2V,监控输出电流0．3mA。最后,85mW的DL-7146—101S激光器,阈值电流为45mA,典型工作电流110mA。工作电压5．4V,监控输出电流0．3mA。     

Pulse高功率密度立方功率电感系列

Pulse公司宣布推出新过孔磁屏蔽功率电感系列。该PG0220系列与T-socket的处理器一起工作，适合台式计算机、便携机、工作站和服务器稳压模块(VRM)等应用，而且可用作降压变换器和DC／DC变换器中的扼流圈。PG0220电感的额定电流高达38A，电流饱和容量为50A，电感值范围是0．14～2．25μH。其低直流电阻范围是0．70～5．30mΩ(最大）     

可改写光盘的发展动态

1．引言从1993年开始，全世界CD－ROM的市场需求迅速上升，且其势头只增不减。短短几年来，CD－ROM驱动器的装机台数已达到1亿台，用户遍及各行业。在这样背景下，对可写光盘甚至是可改写光盘的推动也空前强劲起来。一些公司正在寻求创作自己的CD－ROM，用650MB的光盘来发布其数据；而另一些公司甚至希望把它们当作软盘使用。显然，不管是可写光盘或可改写光盘，它们的格式必须后向兼容。也就是说，写在这类光盘上的数据必须能在现有CD－ROM驱动器上读得出来。积累多年来在相变型光盘的开发与生产方面的经验，松下终于捷足先登，于…     

三星Central Station显示器采用SMSC的多款连接性解决方案

致力于实现多样化连接性系统的领先半导体厂商SMSC宣布，该公司的ViewSpan5G UFX7000 USB3．0图形控制器、LAN9513 USB 2．0集线器和以太网络控制器已获三星Central Station显示器产品采用，并已开始出货。Central Station可在用户的工作空间与显示器、网络和影音组件以及移动电话、MP3播放器、     

瑞萨科技推出包含QzROM存储器的8位微控制器M37544G2A芯片

瑞萨科技公司近日宣布推出8位微控制器 M37544G2A,这是在7544系列中纳入了 QzROM存储器 (瑞萨科技公司的名称)的产品。 QzROM是一种新研制出来的可编程存储器。由于芯片中使用这种新研制出来的可编程存储器,交货时间可以比以前更短。将于2004年8月3日开始在日本提供样品。瑞萨科技计划扩大在芯片上包含QzROM存储器的“QzROM微控制器”产品线。 M37544G2A是第一个问世的这种产品。M37544M2、包含掩模ROM存储器的M37544G2及一次可编程(OTP)的产品是用于家用电器和移动设备的7544系列8位微控制器,而M37544G2A 是继这些产品之后的…     

发光效率提高10倍的发光二极管阵列

据报道，日本冲电气工业新开发了发光效率提高10倍以上的发光二极管阵列。过去开发的GaAsxP（1－x）LED）阵列，驱动电流为3mA时的每单位电流的发光强度约为5μW。这次开发的LED阵列．在发光层采用了AlxGa（1－x）As材料．在驱动电流4mA条件下．每单位电流的发光强度高达100μW．使用该材料的光波长为750nm。该LED阵列。是采用控制杂质扩散的固相扩散技术形成的．在一块芯片上以21．2μm间距排列了256个LED。发光效率提高10倍的发光二极管阵列@孙再吉     

日立公司开发0.5μm CMOS门阵列

日立制作所开发耗散功率1．2μW、工作频率100MHz、0．5μPrnCMOS门阵列IIG72G系列，并从1994年6月开始销售。该系列最大使用门数约50万门，工艺采用0．SHrn三层AI布线，申源电压为2．7V、3．3V时的门速度为0．Zns，与以前该公司产品相比速度提高1．5倍，耗散功率为1．ZZ。W，与该公司的产品相比减少1／2左右。封装采用QFP和PG八，也在研制BGA的封装，50万门的JI：IG72G6677／为］2万日元（购买1000个时的单价）。日立公司开发0.5μm CMOS门阵列@一凡…     

NTT公司开发CMOS的0.2μm电路

日本电信电话（NTT）公司已研制成为实现下一代LSI的基本技术——一超细W］CMOS电路。在加工技术上，采用可替代紫外线的X线，现用0．ZPm的工艺水平，已使器件做到小型化，速度可提高3倍，电压降低1／2，可用一节干电池工作，能使存储LSI高集成化和微处理器小型化，可开发携带式的电子产品。制作方法：用5OR微细加工，开槽后布线，使用在柏中只附着Al布线材料的薄膜生长技术。另外，在衬底中埋入氧化硅绝缘膜，可减薄衬底厚度NTT公司开发CMOS的0.2μm电路@一凡     

2001年DVD-ROM机的产量将超过CD-ROM

据美国DISK／TREND公司预测,到2001年,DVD－ROM设备的产量为7972．7万台,将超过CD－ROM设备的4605．3万台。1997年DVD－ROM设备实际生产119．9万台,约为CD－ROM7458．1万台产量的六十分之一。此后DVD－ROM设备将迅速增长,预计CD－ROM设备产量在1999年达到颠峰的8729．5万台后开始下降。可写入的光盘设备（包括可写入一次和可改写型）当中,符合CD及DVD格式的（CD－R、CD－RW、DVD－RAM等）将占优势。可写入式DVD机器将在2000年以后大量增加。容量在4GB以上的光盘设备,包括美国TeraStor公司和Quinta公司从…     

适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术

据《电子材料》1995年第4期报道，目前，三菱电机公司业已开发出了一种适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术。以该电路技术为基础，采用0．4PmCMOS工艺试制了1．2V工作的16MDRAM，在电源电压为1．2V的低电压下实现了存取时间（tRAC）为49ns的高速工作。本开发课题的主要内容如下：（1）即使是在低电压下，也可实现高速读出工作（可能的Charge－TransferredWellSe－nsing方法），在电源电压Vcc＝1．2V下，实现5ns（19）的高速化是可能的（估计了16MDRAM的模拟值）在本读出方法中，在读出开始的同时，由于可以作到使…     

世界最高速的16M SRAM

日本索尼公司已研制成成世界最高存取速度gns的高速16MbSRAM。在用于电路内信号放大的读出放大器中，由于采用输入阻抗小的反馈型电流读出放大器，这种产品可用作高速存取。以前的SRAM采用电压读出放大器，而现今采用输入阻抗小的电流型读出放大器，可做到小的信号电平，实现数据传输速度的高速化。由于采用反馈型，减小小信号电平输出信号的偏移，再采用受激准分子激光光刻的最先进超微细加工技术，已达到最小线宽为0．35pm的高密度。世界最高速的16M SRAM@平凡     

UHM插槽连接器

3M电子公司推出适合硬公制、CompactPCI、VME和PXI系统中多千兆网络应用的超硬公制（UHM）插槽连接器,其背板性能大于7Gb／s。据3M公司透露,虚拟同轴盒屏蔽技术与标准2mm硬公制插槽相比,可大幅降低串扰,并改善插损。该连接器与工业标准的2mm、硬公制插头连接器（IEC61076．4—101）配合使用,可让现有2mm系统设计实现多千兆性能,这样,标准的Compact PCI和VME 64x系统可支持高速串行I／O协议,如SAS、SATA、RapidIO、PCI Express和千兆以太网协议,而无需耗资进行背板重设计或交叉式升级。     

16M DRAM的第三代芯片问世

据报道，16MDRAM第三代芯片的样品已开始销售，日立制作所，NEC，韩国Sams－ungElectronicsCo．等公司将于1994年至1995年初开始销售。芯片尺寸为70mm2，使用64M技术的缩版（Cut－down），例如，日立公司把64M单元的鳍型叠层结构用于6M的第三代版中。另外，64M方面，在已销售样品的NEC公司月产为数千个，达到使用阶段。同步版也问世。富士通公司从1994年8月开始销售样品。0．35μm样品的芯片面积为232mm2。16M DRAM的第三代芯片问世@一凡