影响多孔硅孔隙率的因素

研究了在制备多孔硅过程中影响其孔隙率的各种因素 ,给出了氢氟酸浓度、腐蚀时间、阳极腐蚀电流、温度及光照度与多孔硅孔隙率的关系 ,同时研究了多孔硅的晶格常数随其孔隙率变化的规律 ,并对以上各项结果作出了初步解释。     

多孔硅电学特性研究

采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多也硅/P 型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构.主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响.结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性.     

多孔硅的场发射特性研究

多孔硅是一种很有前途的场发射材料,研究多孔硅的场发射有着实际的意义.模仿制备了具有弹道电子发射的特殊结构的多孔硅,测试了其场发射性能,比较了腐蚀电流逐渐变小所制备的多孔硅与腐蚀电流不变所制备的多孔硅的场发射性能,发现前者是提高场发射性能的一种有效方法.     

硅泡沫压缩应力松弛影响因素的研究

采用模压发泡成型技术制备了具有不同性能的硅泡沫,研究了影响硅泡沫压缩应力松弛性能的因素.结果表明:硅泡沫的密度、乙烯基硅油用量、泡孔结构和测试条件分别对硅泡沫材料的压缩应力松弛率都有明显的影响,但影响程度有所不同.     

多因素加速老化对硅橡胶泡沫材料力学性能的影响研究

对硅橡胶泡沫材料进行了45%应变压缩状态下的热老化试验研究.结果表明,硅橡胶泡沫材料的永久变形量随着老化条件严酷程度的增加而增加.硅橡胶泡沫材料加载高温老化会使其损耗峰降低,玻璃化温度向高温区域移动.     

多孔硅基体系发光特性研究进展

综述了多孔硅基复合体系发光特性的研究进展，阐述了多孔硅基体系及其发光特性，详细介绍了影响多孔硅基体系发光特性的因素和制备多孔硅基体系的方法，并讨论了多孔硅基体系的发光机理。最后综述了目前有待于进一步深入研究的问题及发展趋势。     

温度对聚氨酯泡沫材料力学性能影响的研究

研究了温度对聚氨酯泡沫材料力学性能(强度、模量、压缩蠕变)的影响,并研究了在弹性范围内不同压缩应力水平下的压缩蠕变试验,拟合出了聚氨酯泡沫压缩蠕变曲线.     

多孔硅/多孔氧化铝与DBO-PPV复合光致发光特性研究

通过旋涂法,实现了阳极氧化多孔硅和多孔氧化铝与有机发光材料DBO-PPV的复合.发光特性的测试表明,多孔硅与DBO-PPV复合后发光光谱中出现了在多孔硅和DBO-PPV的光致发光谱中都没有的发光峰,被认为是DBO-PPV向多孔硅发生了载流子的转移.而多孔氧化铝/DBO-PPV复合体系的发光特性兼具有多孔氧化铝和DBO-PPV的特征,PL谱呈现多峰的结构(四峰).多孔氧化铝的纳米孔有效地吸附了DBO-PPV分子,抑制了DBO-PPV分子的聚集,使它的禁带宽度变宽,从而使DBO-PPV的发光峰蓝移,蓝移量为90nm.     

制备温度对多孔硅光学特性的影响(英文)

本文不同的温度下制备多孔硅.通过荧光光谱、光吸收谱、X射线光电子谱研究了多孔硅的光和结构特性.研究结果表明存在着一个制备临界温度343 K,当制备温度从临界温度之下提高到临界温度之上时,多孔硅的荧光和光吸收从红移转向蓝移,同时硅2p电子结合能也从减小转向增大.     

表面金属化对多孔硅光特性的影响(英文)

在室温下使用过滤阴极真空电弧系统在多孔硅表面沉积大约10纳米左右厚度的铜、铝和钛薄膜,并且在真空下800度退火10分钟.多孔硅层是通过电化学腐蚀硅制得.X射线光电子谱、荧光谱,光吸收谱和X射线衍射谱的研究表明退火后,沉积铜和钛的样品出现明显的光吸收红移和硅2p电子能级移动.这是由于在多孔硅表面形成铜和钛的硅化物而引起的晶体场和电子传输变化所造成的.     

热氧化多孔硅制备及其干涉特性研究

采用电化学阳极氧化法制备彩色薄层多孔硅,经高温热氧化处理后形成稳定的热氧化多孔硅.研究电化学制备条件对热氧化多孔硅的干涉效应和光学厚度的影响,分析热氧化处理前后多孔硅的稳定性.结果表明,在可见光波长范围内,所制备的热氧化多孔硅反射光谱出现一定规律性的干涉条纹,表现出明显的反射干涉现象;随阳极氧化时间、电流密度和HF浓度增大,热氧化多孔硅光学厚度呈增大趋势,当阳极氧化时间为30s、电流密度为520mA/cm2、v(HF):v(C2H5OH)为2:1～5:2时,制备的热氧化多孔硅干涉条纹均匀且光学厚度较大;热氧化处理后,多孔硅结构中的Si-Hx键被Si-O键所取代,其反射干涉特性非常稳定.     

多孔硅和有机半导体复合的发光特性研究进展

综述了多孔硅和有机半导体复合的发光特性的研究进展，阐述了多孔硅和有机半导体复合的体系及其发光特性，详细介绍了影响多孔硅和有机半导体复合的发光特性的因素和制备多孔硅和有机半导体复合体系的方法，并讨论了多孔硅和有机半导体复合的发光特性的发光机理，最后综述了目前有待于进一步深入研究的问题及发展趋势。     

浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性

用电化学腐蚀方法制备了多孔硅样品,在浸泡液中浸泡使其表层多孔层与样品分离,在样品表面形成了丰富的SiO2包裹纳米硅颗粒结构,研究了样品的光致发光(PL)特性.结果表明,与剥离前相比,表层多孔层剥离后PL谱的强度约有10倍的增幅,峰位主要在蓝紫光范围内.在300℃干氧中退火后,样品的发光强度下降为退火前的三分之一,随着退火温度的升高,发光强度有所增强.退火前后有不同的发光机理,退火前光激发主要在纳米硅内,然后在二氧化硅层中的发光中心辐射复合;退火后光激发和光辐射都发生在二氧化硅层中.     

电化学腐蚀多孔硅表面形貌的结构特性

多孔硅作为微电子机械系统中重要的热绝缘层和牺牲层材料,其表面形貌结构特性是影响多孔硅上薄膜器件性能的重要因素,为此,利用双槽电化学腐蚀方法制备了多孔硅薄膜,并通过原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜对制备多孔硅的表面形貌和孔径大小分布进行了观察．结果发现：腐蚀初期,在硅表面会有大量的硅柱形成,硅柱的直径、高度、分布密度与电流密度成正比关系;硅柱在进一步腐蚀过程中会消失,多孔硅的表面粗糙度随着腐蚀的进行,先减小再增大,最后达到稳定值0．52nm;多孔硅孔径大小分布区间随腐蚀时间增加变窄．     

化学发泡硅泡沫材料密度影响因素及性能研究

从工艺和混炼胶配方的角度研究了化学发泡硅泡沫密度的影响因素和规律,得出了硅泡沫的密度与装料系数、白炭黑以及乙烯基含量的对应关系,研究了密度对硅泡沫材料压缩应力松弛性能的影响规律.     

多孔硅发光

根据最近几年大量的文献报道,综述了关于多孔硅制备、发光等方面的研究结果,并简要介绍了国内一些单位的工作。     

泡沫型多孔介质中非达西流动特性的研究

本文通过将泡沫材料复杂结构进行几何简化，形成立方框架结构，利用简化的等效单元流道，提出一种数理模型，它既考虑固体网架表面对流体的摩擦阻力作用，也考虑网架迎着流向的迎风阻力（形状阻力），得到了在多孔介质中非达西流的压力降与流速的关系式。并用简化的框架结构导出了预估泡沫材料渗透率ｋ和Ｆ－Ｗ关系式中流速平方项的系数Ｆ。另外，还通过专用的实验装置测定了四种不同孔径泡沫陶瓷的ｋ和Ｆ。结果表明，根据所给模型理论预测的结果与实验值一致性较好，在泡沫型多孔材料的应用中能够提供流动特性的相关数据。     

多孔硅层结构和氧含量分布对电子发射特性的影响

为了研究较厚的多孔硅层结构及氧化分布对电子发射特性的影响,采用恒流和脉冲腐蚀制备了单层和多层结构的多孔硅,并对这两种结构的多孔硅分别进行定场强和变场强电化学氧化。根据扫描电子显微镜和X射线能谱仪对多孔硅结构和氧含量分布的测量结果,以及对电子发射特性和所提出的多孔硅电子源模型的比较和分析,结果发现:孔隙率交替变化的多层多孔硅结构可以优化电场分布,变场强的电化学氧化使氧含量分布均匀,电子在发射时可以得到持续加速和收敛。单层结构的多孔硅经过定场强电化学氧化后,氧含量分布上层高而下层低,电子不能得到持续加速且具有散射的特点。变场强氧化的多层多孔硅电子发射特性优于定场强氧化的单层多孔硅电子源。     

多孔硅与聚甲基丙烯酸甲酯复合光致发光特性研究

多孔硅与有机材料复合可以改善多孔硅的光致发光特性。用化学腐蚀的方法制备了多孔硅，通过不同方法实现了多孔硅与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的复合。实验结果表明，用旋涂法实现的PMMA固化后再与多孔硅复合而制得的样品的结果最好，它与原始的多孔硅样品相比，发光峰发生了蓝移而且发光强度下降很小。PMMA层有限的厚度和PMMA对多孔硅表面的保护使复合后发光强度下降很小。制备的多孔／PMMA复合体系的发光强度几乎不随时间而下降，这可能是由于PMMA有效地隔绝多孔硅与空气的接触，保护了多孔硅的表面，不会产生更多的悬挂键。     

多孔泡沫镁合金的研究进展

多孔泡沫镁是用特殊方法制成的具有多孔结构的新型金属材料,由于其特殊的结构和性能,在能源、建筑、交通、航空等领域有着广泛的应用前景。本文就多孔泡沫镁合金制备工艺的研究进展进行了介绍,同时对它的发展前景进行了分析。