不同形貌的银对导电胶性能的影响

银的形貌、银表面的润滑剂、树脂基体的成分、固化过程等都会影响导电胶的性能。其中，银的形貌是一个关键的因素。论文研究了在相同条件不同形貌的银对导电胶性能的影响。将银片、银球和银线用戊二酸处理以消除其他因素的影响，然后这些银粒子被用作导电填料与环氧树脂混合制备导电胶。研究了不同形貌银粉制备的导电胶热降解性能、导电性能、机械性能及贮存稳定性。结果表明在相同条件下银线制备的导电胶具有最低电阻率和渗流阈值、最好的机械性能、以及较好的贮存稳定性，银片制备的导电胶导电性能和贮存稳定性比用银球制备的导电胶好，但机械性能比用银球制备的导电胶差。     

纳米银线对导电胶电阻率影响研究

本文采用溶剂热法成功合成30-90 μm 的纳米银线。以自制的纳米银线和商用微米银片为导电填料制备了环氧树脂基导电胶,研究了纳米银含量和固化温度对导电胶电阻率的影响。研究结果表明,当固化温度为180 0C时,随着纳米银含量的增加,体积电阻率先下降而后又增加;随着固化温度的增加,体积电阻率下降。当银粉总填量为65 wt％ （ 微米银片和纳米银线的含量比：55：10）时,导电胶在180 0C和300固化的体积电阻率分别为6.5?0-4 Ω?cm 和1.3?0-4 Ω?cm。分析认为电阻率的下降与纳米银线在300 0C出现烧结行为有关。根据纳米银线在树脂基体中的分布、烧结行和纳米银线与微米银片间的相互作用关系等讨论了纳米银线对导电胶电阻率的影响机制。     

纳米银线对导电胶电阻率影响（英文）

采用溶剂热法合成长30~90μm的纳米银线。以自制的纳米银线和商用微米银片为导电填料制备了环氧树脂基导电胶(ECAs),研究了纳米银含量和固化温度对导电胶电阻率的影响。结果表明,当固化温度为180℃时,随着纳米银含量的增加,体积电阻率先下降而后又增加;随着固化温度的增加,体积电阻率下降。当银粉总填质量分数为65%(微米银片和纳米银线的含量比是55:10)时,导电胶在180和300℃固化的体积电阻率分别为6.5×10~(-4)和1.3×10~(-4)?·cm。分析认为电阻率的下降与纳米银线在300℃出现烧结行为有关。根据纳米银线在树脂基体中的分布、烧结行为和纳米银线与微米银片间的相互作用关系,讨论了纳米银线对导电胶电阻率的影响机制。     

不同维度的银微纳米材料研究进展

微纳米材料的性能受到其形貌的影响,以维度为分类原则,综述了不同类型银微纳米的制备和应用进展。零维的银纳米材料包括银原子和粒径小于15 nm的银纳米粉,主要提高催化性能、抗菌及光性能;一维的银纳米线由化学还原法制备,主要用于透明纳米银线薄膜制备的柔性电子器件;二维的银微纳米片可用球磨法、光诱导法、模板法等方法制备,其在导电浆料及电子元器件等方面有广泛的应用;三维的银微纳米材料包括球形和异形银粉,球形银粉主要用于导电浆料填充物,异形银粉主要应用催化、光学等方面。改善制备方法,实现微纳米材料的形貌控制,提升产物稳定性,是银纳米材料研究的发展方向。     

耐折高导电性银浆的制备

研究了银片粒径对折叠前后银浆电导率的影响。采用不同粒径的片状银制备了具有良好导电性能的低温固化耐折导电银浆料,将银浆网印在聚酰亚胺基板上,在140 ℃下烧结形成网印电路。用微欧姆计检测了印刷电路的电阻率,对印刷银电路折叠前后的电阻变化进行了检测,并用扫描电镜对其表面形貌进行了研究,分析了导电机理。结果表明,小片Ag作为未连接薄片之间的桥梁,在折叠后填补了空白,形成导电网络,提高了折叠后的银浆导电性能。     

高长径比银纳米线的制备及其透明导电薄膜的性能

采用简单高效的一步多元醇法以FeCl_3·6H_2O为成核控制剂,在低温、静置的条件下成功合成了产量高、形貌尺寸均匀、银线平均长度80~110μm、平均直径为40~80 nm,长径比大于1000的高长径比Ag纳米线。将制得银纳米线通过无水乙醇分散,得到一系列质量体积浓度的银线分散液,利用旋涂装置在PET上制备成膜,得到薄膜方阻仅6Ω/sq、可见光透过率80%左右性能良好的银纳米线透明导电薄膜,并探讨了旋涂层数、旋涂速度对各质量体积浓度薄膜性能的影响。     

一维银线制备及其在导电胶中的应用

用不锈钢辅助醇热法高浓度、大规模制得低长径比(约为10～20)的一维银线,AgNO3浓度可达0.65 mol/L;该一维银线可作为导电胶的导电填料使用;一定范围内降低AgNO3浓度生成的一维银线其长度几乎保持不变,但平均直径略有减小;采用反应活性较低的不锈钢,提高初始反应温度对一维银线的形成有不利的影响。一维银线经球磨可制得类似带状的银粉;采用带状银粉制备的导电胶体积电阻率较一维银线更低,渗流阈值可以降至20%(质量分数)。     

新型纳米导电胶的研究

采用化学镀法在碳纳米管表面包覆金属银,获得了导电性极好的纳米银-碳复合管,并以该复合管为导电功能体制备导电胶.研究结果表明,所得的纳米导电胶导电性和理化性能均较好,且比传统的银粉导电胶节省银30%～55%.     

还原氧化石墨烯对纳米银线/还原氧化石墨烯复合柔性透明导电薄膜影响

纳米银线和还原氧化石墨烯为导电相,混合纤维素膜为基底,采用真空抽滤法制备了柔性透明导电薄膜。研究了还原氧化石墨烯对柔性透明导电薄膜的光电及机械性能的影响。研究结果表明,随着还原氧化石墨烯含量的增加,导电薄膜的透过率变化不大,但薄膜的方阻逐渐下降。通过胶带测试200次原位监控方阻变化以及弯曲疲劳200次测试原位监控方阻变化研究纳米银线和石墨烯导电相在混合纤维素膜表面的附着力和薄膜的弯曲疲劳特性。研究结果表明,经过200次的胶带测试,薄膜的方阻几乎没有改变。弯曲测试结果表明,薄膜方阻约有3%的改变。说明薄膜具有良好的稳定性。分析认为,纳米银线-石墨烯复合薄膜具有良好的稳定性与纳米银线和石墨烯埋在混合纤维素膜表面有关。     

磁控溅射银膜的晶粒结构对载流摩擦行为的影响

用磁控溅射法制备银膜,在导电脂润滑条件下进行载流摩擦实验,采用SEM、XRD、EBSD研究银膜在载流摩擦实验前后的晶粒结构变化。结果表明,磁控溅射方法制备的银膜表面晶粒均匀致密,断面形貌显示膜基结合好。银膜在(111)晶面出现择优取向,银膜表层和中层的晶粒分布和生长方向有利于其力学性能的发挥,且保证了较稳定的导电能力。银膜晶粒尺寸较小,平均晶粒尺寸为0.673μm,起到细晶强化的作用,且晶粒图中有不连续分布的孪晶银出现。磨损形貌较为光滑,存在点蚀坑能够容纳导电润滑脂,提升材料的导电性能。     

铜银系导电复合材料腐蚀失效研究

采用无氰化学镀工艺,研制出一种导电性良好的镀银铜粉,粉末体积电阻率小于2×10-4Ω·cm,用该粉末为填料制成的导电胶,导电率高（导电填料与树脂的重量比为75：25时,体积电阻率为5×10-4Ω·cm）、抗迁移能力强（比银粉导电胶提高近百倍）、导电稳定（经60℃ 相对湿度100%湿热试验1000h,体积电阻率升高小于20%）.采用粉末微电极技术研究了导电胶抗迁移的机理,结果表明电偶效应是该导电胶具有抗迁移作用的主要原因,铜作为阳极抑制作为阴极的银的溶解,从而降低银形成枝晶的几率.     

面心立方TiB陶瓷粉末填充型导电胶(英文)

将纯钛渗硼方法合成的面心立方TiB导电陶瓷粉末作为填料,制作了树脂基陶瓷导电胶。研究了陶瓷导电胶的电性能。导电胶的体电阻率随着面心立方TiB粉末含量的变化而变化。面心立方TiB陶瓷粉末填充型导电胶表现出与金属填充型导电胶相同的逾渗行为,渗流阈值出现在面心立方TiB陶瓷粉末含量为60%时。当面心立方TiB含量为75%时获得了最小体电阻率,0.1Ω·cm。为检验力学性能的可靠性,进行拉伸试验,测量不同TiB粉末含量导电胶的剪切强度,发现剪切强度随着面心立方TiB粉末含量的增加而降低,当TiB粉末含量为70%时,剪切强度约为12.26 MPa。制备了铜粉添加型导电胶用作对比,评估了2种导电胶的抗氧化性能。结果表明,陶瓷导电胶具有优异的抗氧化性能和良好的稳定性。     

固化工艺对树脂基导电胶电性能的影响

本文以微米银片为导电填料制备了环氧树脂基各向异性导电胶,研究了固化工艺对导电胶电性能的影响。研究结果表明,固化工艺对银粉填量为55 wt％的导电胶影响较大。当固化温度是180 0C时,体积电阻率是5.2×10-2 Ω.cm,当固化温度是250 0C时,体积电阻率下降到4.5×10-3 Ω.cm. 然而,固化温度对高银粉填量的导电胶的影响较小。原位监测65 wt％的各向异性导电胶的固化过程中的电性能,发现固化27 分钟后体系温度是180 0C, 此时的电阻是1.99×106 Ω,40 分钟后的电阻是1.39 ×103 Ω,60 分钟后的电阻是18.8 Ω.冷却时,导电胶的电阻几乎不变化。采用扫描电阻显微镜分析了银粉在树脂基体中的分布,进而讨论了固化温度对体积电阻率的影响机制。     

固化工艺对树脂基导电胶电性能的影响（英文）

以微米银片为导电填料制备了环氧树脂基各向异性导电胶,研究了固化工艺对导电胶电性能的影响。研究结果表明,固化工艺对银粉填量为55%(质量分数)的导电胶影响较大。当固化温度为180oC时,体积电阻率是5.2×10~(-2)?·cm,当固化温度为250oC时,体积电阻率下降到4.5×10~(-3)?·cm.然而,固化温度对高银粉填量的导电胶的影响较小。原位监测65%的各向异性导电胶的固化过程中的电性能,发现固化27 min后体系温度是180oC,此时的电阻是1.99×10~6?,40 min后的电阻是1.39×10~3?,60 min后的电阻是18.8?,冷却时,导电胶的电阻几乎不变化。采用扫描电阻显微镜分析了银粉在树脂基体中的分布,进而讨论了固化温度对体积电阻率的影响机制。     

水溶液体系中制备纳米银线的研究

在水溶液体系中,以蔗糖为还原剂、NaCl为前驱体络合剂、PVP为表面活性剂,通过水热反应制备得到了直径大约为40 nm,线径分布均匀、分散性良好的纳米银线。有效解决了目前多元醇有机体系下制备纳米银线洗涤困难,反应条件苛刻,后处理繁琐等问题。系统研究了还原剂用量、还原剂种类、Cl^-/Ag⁺摩尔比、卤化物种类和表面活性剂种类对于产物形貌的影响。结果表明,当还原剂蔗糖的用量为0.18 g,PVP的相对分子质量为58000,选择Na Cl作为络合剂,且Cl^-/Ag⁺摩尔比控制在1.26时,制备的纳米银线形貌均一,纯度较高,纳米线长径比大于1000。     

不同长径比纳米银线合成机理及变形机理

采用液相还原法,通过调节聚乙烯吡咯烷酮（PVP）摩尔浓度制备不同长径比的纳米银线。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见光分光光度计、同步热分析仪及透射电子显微镜对纳米银线的物相组成、微观形貌、光吸收性能、热分解、晶体结构进行表征,并使用分子动力学模拟单晶纳米银线的拉伸和熔化过程。结果表明：纳米银线主要由面心立方银构成。PVP与AgNO₃的摩尔比由1.5变为7.5,纳米银线直径先减小后增加;当摩尔比为6.0时,纳米银线直径最小,为77.7 nm。纳米银线直径由106.1 nm减小为77.7 nm,熔化温度随之减小,最低为281.2 ℃。单晶纳米银线长径比由6变为72时,屈服强度逐渐由0.63 GPa提升至0.83 GPa。单晶纳米银线熔化温度随长径比增加而减小,由690 K变为657 K。PVP与AgNO₃的摩尔比为6.0是合成银线的最佳条件,长径比大的纳米银线具有良好的抵抗变形的能力。     

银纳米线的尺寸和添加量对导电银浆性能的影响

采用化学还原法制备了3种银纳米线,研究了银纳米线的添加量、直径和长度对银浆固化膜层导电性能及银浆流变性能的影响,并探索其作用机理。结果表明,由于银纳米线的电子导通桥梁作用和纳米尺寸效应的影响,添加少量(0.05%~0.2%)的银纳米线即可显著提高银浆固化膜层的导电性能,直径越细的银纳米线对银浆固化膜层导电性能的提升作用更明显。银纳米线的加入会影响银浆的流变性能。     

凝胶浇注法制备的纳米铜粉在导电胶中的应用

以硝酸铜、石墨为原料,采用新颖的凝胶浇注法制备纳米铜粉,并利用硅烷偶联剂KH550对制备的纳米铜粉进行表面抗氧化处理;然后以纳米铜粉为导电填料、以双酚A型环氧树脂(E51)为载体,加入适量的固化剂和稀释剂、除泡剂、促进剂等制备纳米铜粉导电胶。采用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)等对制备铜粉的物相、粒度和形貌等进行表征;对预处理前后的纳米铜粉进行热重与差热(TG-DSC)分析;并研究纳米铜粉添加量对所制备导电胶电阻率和连接强度等性能的影响。结果表明:采用凝胶浇注法可制备高纯度、分散性良好、平均粒度约为60 nm的类球形铜粉;经硅烷偶联剂处理后,纳米铜粉的抗氧化性能明显提高;纳米铜粉添加量对所得导电胶的体积电阻率和连接强度有较大影响,纳米铜粉添加量为60%(质量分数)的导电胶的体积电阻率为1.7×10-3Ω·cm,连接强度为11.4 MPa。     

微电子封装银合金键合线的研究及发展前景

论述了微电子封装中常用的键合金线、键合铜线和键合银线的局限性,从机械性能、键合性能、可靠性等方面分析了键合银合金线的特征及作为键合引线的优势,并在此基础上阐述了键合银合金线重点研究方向以及在未来集成电路封装中的发展前景。     

表面预处理对复合材料铝导电涂层性能的影响

以喷砂和砂纸打磨2种方式对玻璃纤维增强复合材料进行表面预处理,利用火焰喷涂在处理过的试样表面上制备铝导电涂层,分析了表面预处理对导电涂层的表面形貌、结合强度、导电性能的影响.结果表明:采用喷砂和打磨制备的导电涂层的导电性都满足使用要求,影响铝导电层导电性的主要因素是导电层厚度,表面预处理方式对铝导电层导电性能影响不大,但对铝导电层结合强度的影响较大,喷砂处理制备的涂层比砂纸打磨处理的涂层结合强度高,因此更适宜采用喷砂的方法进行预处理.