SnO2纳米晶的制造及性能研究

研究了化学沉淀法、柠檬酸法和微波水热法等三种不同制备方法对SnO2纳米晶粒径的影响，并通过XRD及TEM对其结构进行了表征。结果发现，用微波水热法制得的SnO2粒径量小，为5－15nm，且分布较均匀。用化学沉淀法制备了Fe、Sb掺杂的纳米晶SnO2粉末并测定了其电阻，发现Fe 掺杂使SnO2电阻升高、Sb掺杂使电阻下降。     

高纯纳米二氧化锡球形粉末的制备

本文通过化学沉淀法,以高纯锡为主要原料制备高纯SnO_2纳米粉体。分别利用FESEM、XRD对粉体形貌、晶体结构进行表征,用ICP进行杂质元素分析。结果表明:所制备的SnO_2为四方锡石结构的纳米球形颗粒,其纯度达99.995%。     

掺杂Sb对SnO2透明导电膜导电性的影响分析

采用溶胶凝胶法制备透明导电膜,并考察了Sb的掺杂量、热处理温度对薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响。在SnO_2掺杂1．0%(wt)Sb能显著提高薄膜的电导性,制得的透明导电膜表面电阻率最低为ρ=16×10~(-3)Ω·cm,且薄膜的连续性、致密性好,透光率达到90%以上。     

喷雾热解法制备SnO2:Sb透明导电薄膜

采用喷雾热解技术制备出了光电性能优良的SnO_2:Sb透明导电薄膜,对薄膜的结构特性、光电性质以及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究。并进一步研究了喷雾热解法中薄膜的形成过程和工艺参数对薄膜微观结构和性能的影响。实验结果表明:在Sb掺杂量为11％(摩尔分数)和基板温度为500℃的条件下,SnO_2:Sb薄膜具有最佳的光电性能,平均可见光透过率为82％,方块电阻达13.4Ω/□,电阻率为4.9×10~(-4)Ω·cm。     

电化学Fe掺杂增强FTO薄膜的可见光光电化学性能

通过在Fe SO4溶液中将FTO(F掺杂SnO_2)导电玻璃电化学阴极极化,随后在500°C空气中热氧化,制备出对可见光有响应的Fe掺杂FTO薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表征了薄膜的形貌、结构和表面特性。在可见光下测试了薄膜在1.0 mol/L NaOH溶液中零偏压下的光电流-时间曲线。结果显示,电化学修饰后的FTO薄膜表面呈纳米多孔形貌,薄膜中有1%(原子分数)左右的Fe元素掺杂且存在正交结构SnO_2和四方结构SnO_2两种物相。Fe掺杂FTO的光电流密度为0.5μA/cm~2,比无Fe掺杂的FTO薄膜(0.019μA/cm~2)显著增强。     

换向脉冲电沉积法制备Ti/TNTs/Sb–SnO_2阳极及其性能研究

以Ti阳极氧化所得TiO_2纳米管(TNTs)为基体,采用换向脉冲电沉积制备Sb掺杂SnO_2电极(Ti/TNTs/Sb–SnO_2)。采用X射线衍射、扫描电镜、能谱等手段对其微观结构、表面形貌及元素组成进行分析,研究了它作为阳极对对硝基苯酚(p-NP)的电催化氧化降解能力。结果表明,当负向脉冲电流为60 m A时,换向脉冲电沉积法制备的Ti/TNTs/Sb–SnO_2电极的表面覆盖层均匀,致密,无裂缝。阳极极化曲线的分析结果表明,该电极的析氧电位为2.28 V,用其降解对硝基苯酚2.5 h后,去除效率达81%。     

稀土掺杂钇铝石榴石纳米材料制备方法的研究进展

钇铝石榴石(简称为YAG)属于立方晶系,是一种重要的发光基质材料。以其优良的物理、化学、热学、光学性质以及机械性能,使其成为发光功能材料领域的研究热点之一。目前研究者已用高温固相法、沉淀法、燃烧法、水热与溶剂热法、溶胶-凝胶法、微波法、微乳液法、喷雾热解法以及静电纺丝法等方法成功地制备出纳米颗粒、纳米球、纳米纤维、纳米带以及同轴纳米纤维等稀土掺杂钇铝石榴石纳米材料。本文中总结了上述几种制备方法的研究进展,讨论了其优缺点,并结合在稀土掺杂钇铝石榴石纳米材料制备方面的工作,对稀土钇铝石榴石制备方法的发展方向做了展望。     

三表面活性剂磁流体的制备及性能研究

用化学沉淀法制备Fe3O4纳米粒子，以十二烷基磺酸钠，蓖麻油，油酸钠为分散剂，制备水基Fe3O4磁流体，研究了搅拌时间对磁流体的磁性能的影响，表面活性剂用量对磁流体的沉降稳定性的影响，并对其原因进行分析。     

SnO_2纳米复合材料的改性及其储钠应用研究进展

SnO_2纳米复合材料具有价格低廉、制备简单、资源丰富等特点,在钠离子电池负极领域具有广阔的应用前景。本文针对SnO_2纳米复合材料的电化学储钠行为的特征、复合改性方法以及掺杂改性方法进行了介绍,并将其在钠离子电池负极应用研究进行了综述。     

SnO_2纳米粒子制备及其应用研究进展

SnO_2纳米粒子作为一种新型宽禁带n型半导体材料,兼具纳米粒子和SnO_2半导体的双重优点,得到广泛应用,但仍有许多因素制约着它的进一步发展。其中,如何制备性能优异的SnO_2纳米粒子成为目前材料研究中的活跃课题之一,具有重要的科学意义。本文介绍了SnO_2纳米粒子的结构和特点,系统综述了SnO_2纳米粒子的物理和化学制备方法;同时总结了SnO_2纳米粒子应用研究进展以及在制备中遇到的团聚问题,并简述了本课题组在SnO_2纳米粒子制备应用中所做的工作。     

钇离子掺杂制备二氧化锡及其表征

本文以SnCl4.5 H2O、CO（NH2）2和YCl3为原料,利用微波水解法分别制备了纯的和掺杂2mol%、3mol%、5mol%Y3＋的SnO2粉体。并利用X-射线衍射（XRD）,扫描电镜（SEM）对其进行表征。结果表明：实验掺杂范围内,Y3＋的掺杂对SnO2晶格没有影响;掺杂的Y3＋可以抑制SnO2晶粒的生长,使得晶粒变小且变的均匀,孔隙率增大。     

Fe掺杂对纳米晶SnO_2粉体结构的影响(英文)

采用共沉淀法制备了一系列Fe掺杂含量由低到高的纳米晶SnO2粉体。采用X射线衍射、透射电镜、X射线光电子谱分析等测试手段对其进行了表征。结果表明:当Fe掺杂含量(摩尔分数)低于15%时,晶粒大小随掺杂含量的增加显著下降,从无掺杂的5.2nm到掺杂15%Fe的2.4nm,随后继续增加Fe掺杂含量对晶粒大小无影响。而当Fe掺杂量大于20%时,Fe在SnO2晶粒表面才出现较为明显的偏析。掺杂物对SnO2晶粒长大的阻碍作用主要归因于掺杂物与SnO2体相形成固溶体,产生的溶质拖曳和晶格畸变效应,掺杂物在晶粒表面偏析所起作用较小。     

水热法合成ATO纳米粉体的研究

以SnCl4·5H2O和SbCl3为锡源和锑源,采用水热法制备锑掺杂氧化锡（ATO）纳米粉体,分析了锑掺杂量、水热时间、水热温度对ATO纳米粉体的影响。研究结果表明：在180℃的温度下水热反应16 h后,Sb元素全部固溶进SnO2的晶格,且分布比较均匀,ATO颗粒径在10 nm左右;粉体的晶粒径随锑掺杂量的增加而逐渐减小,但随水热时间的延长而逐渐增大;随着水热温度的升高,所得粉体由无定形向晶形转变,粉体的结晶性变好。     

纳米SnO2粉体及其掺杂体系液相化学法的研究进展

概述了近年来SnO2粉体及SnO2掺杂体系粉体的液相制备的研究近况。利用化学液相法能够制备出晶体结构完整、粒径分布范围窄、团聚少、粉体分散性能良好的纳米SnO2粉体以及SnO2掺杂体系粉体。     

制备工艺对ATO/TiO_2复合导电粉电导率的影响

用湿化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O、SbCl3 TiO2粉体等为原料,制备了电导率较好的ATO/TiO2复合导电粉,其体积电导率可达3.13×10-2（Ω.cm）-1,优化的工艺参数为：m（SnO2）∶m（TiO2）=25%、Sb的掺杂量m（Sb2O3）∶m（SnO2）=15%、包覆温度为60℃、pH值为2.0、搅拌速度为90 r/min、热处理煅烧温度为500℃。     

SnO2:Sb透明导电薄膜的制备及光电性能

采用溶胶–凝胶法在玻璃基底上制备了Sb掺杂SnO2（SnO2：Sb）透明导电薄膜。研究了Sb掺杂量、镀膜次数、热处理温度对SnO2：Sb薄膜结构和光电性能的影响,利用X射线衍射仪、Fourier变换红外光谱仪、扫描电子显微镜、四探针电阻仪、分光光度计对薄膜样品进行表征。结果表明：SnO2：Sb薄膜为四方相金红石结构;薄膜结构平整、致密,膜厚与镀膜次数基本成线性关系;在Sb掺杂量为10%,镀膜8次的条件下,薄膜具有最佳的光电性能,方块电阻达105/□;在玻璃上镀SnO2：Sb薄膜后,近红外波段透过率下降显著,由90%降到5.5%,在可见光波段略有降低,仍保持了较高透过率。     

湿化学共沉淀法制备Sb掺杂SnO2粉体导电机理研究

采用化学共沉淀法,以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,制备了Sb掺杂SnO2（ATO）微晶粉体。电导率、XPS测试表明：Sb掺杂量、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的分布、Sb价态的存在形式、电导率的变化有较大的影响。Sb掺杂SnO2（ATO）的导电机理由有效施主Sb^5＋和有效氧空位共同控制。当低摩尔分数（小于12％）掺杂或低温煅烧（小于500℃）时,Sb^3＋→SbSb^5＋,Sb^3＋／Sb^5＋〉1,Sb^5＋逐渐占主导地位,ATO的导电载流子浓度主要由有效施主Sb^5＋提供;当高摩尔分数（大于12％）掺杂或高温煅烧（大于500℃）时,Sb^5＋→Sb^3＋,Sb^5＋／Sb^3＋≤1,Sb^3＋逐渐占主导地位,ATO的导电载流子浓度主要由有效氧空位提供。     

石墨烯/SnO2/Si@PPy复合材料制备及电化学性能

以氧化石墨烯和SnCl2为原料，通过微波水热法合成了石墨烯/SnO2复合材料(GS)，以过硫酸铵为引发剂，通过吡咯在Si粉表面原位氧化聚合制备了Si@PPy包覆结构(SP)，最后通过微波水热组装法制备了石墨烯/SnO2/Si@PPy复合材料(GSSP)。采用SEM、TEM、XRD、Raman和BET对GS、SP和GSSP材料的形貌和结构进行表征，并以GSSP复合材料为负极组装半电池进行倍率、循环、CV和EIS等电化学性能测试。结果表明：GSSP复合材料具有优异的倍率性能，在100 mA/g电流密度下，放电和充电的平均比容量分别为948.44和869.63 mAh/g。1000 mA/g电流密度下，经过400次循环放电和充电的比容量保持率高达90.69%和89.34%。     

水热法制备稀土元素掺杂二氧化锡及其对乙醇气敏性能

利用水热法制备了SnO2粉末及掺杂不同稀土离子的SnO2粉末. 通过XRD和气敏测试仪对其结构和性能进行了表征和测试. 结果表明,所制备的SnO2粉末呈四方金红石结构,稀土离子的掺入并没有改变SnO2的晶体结构,也无新晶相的出现. 掺杂镧的SnO2样品(SnO2:La)对乙醇有较高的气敏性. 分析了气敏机理. SnO2:La的灵敏度随着乙醇浓度的增加而增加,随温度的升高呈现波动状,且当温度在250℃时,SnO2:La对1.00′10-4乙醇的灵敏度最大,可达到101.1. 在此条件下其响应时间和恢复时间约为5 s.     

Ti/SnO2+Sb2O3/PbO2电极在硫酸溶液中Cr3+氧化的电化学性能

对用聚合前驱体溶液通过热分解法制备的Ti/SnO2+Sb2O3/PbO2电极在硫酸溶液中Cr3+电化学氧化的电化学性能进行了研究. 分别测定了以Ti/SnO2+Sb2O3/PbO2和PbO2为阳极，硫酸介质中Cr3+电化学氧化过程的极化曲线、抗腐蚀性以及不同操作电流密度、Cr3+浓度、反应温度、硫酸浓度下的电流效率. 实验结果表明，聚合前驱体溶液通过热分解法制备的Ti/SnO2+Sb2O3/PbO2电极与PbO2电极相比具有更高的电催化活性和抗腐蚀性.