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全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展,并对这些模型进行了评述,其中RPI模型是基于阈值电压的TFT模型的典范.虽然TFT模型已经有所发展,但成熟度还远远不够.最后提出了改进多晶硅TFT模型的方向和策略,包括二维器件模拟的应用、基于表面势模型的发展、多晶硅材料特性的应用、统一模型的发展、短沟效应的建模和参数提取等. 相似文献
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TFT-LCD是当前平板显示(PFD)的主要品种之一,已成为平板显示技术中的支柱产品。本文从基本原理和特性开始,以丰富的资料较全面地对TFT-LCD显示技术的发展现状作了详实论述,为平板显示业者提供参考。 相似文献
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报道了制备在50mm石英玻璃衬底上的透明氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),采用了底栅和顶栅两种结构进行比较.ZnO沟道层由射频磁控溅射方法制备,SiO2薄膜作为栅绝缘层.结果发现底栅结构的ZnO-TFT具有较好的电学性质,该器件工作在n沟道增强模式,具有较好的夹断效应和饱和特性,其场效应迁移率、阈值电压和电流开关比分别为18.4cm2/(V·s),-0.5V和104.顶栅结构的ZnO-TFT则工作在n沟道耗尽模式,没有明显的饱和特征.不同结构ZnO-TFT电学性质的差别可能是由于不同的ZnO/SiO2界面特性所致.两种结构的ZnO-TFT在可见光波段都有很高的光学透过率. 相似文献
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以原子层低温沉积技术(ALD)制备的氧化锌(ZnO)作为薄膜晶体管载流子传输层,将其与光电敏感性极高的CsPbBrI2全无机钙钛矿薄膜复合进一步研制出光电晶体管用于光电探测。氧化锌薄膜晶体管可在150℃低温条件下制备且无需高温退火,同时,CsPbBrI2钙钛矿薄膜也可以在低温工艺下制备。结果显示,CsPbBrI2/ZnO光电探测器表现出较好的性能,可对365 nm至600 nm波长的光辐射有光响应。在500 nm波长的光照射下,最大响应度和探测率分别可达2×103A/W和3×1014Jones。CsPbBrI2/ZnO光电晶体管的瞬态响应显示出250 ms的上升时间和200 ms的下降时间,并且在长时间测量后瞬态行为保持不变。 相似文献
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以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管 (ZnO-TFT) 成功运作目的.ZnO-TFT 的电流开关(on/off)比达到104以上.ZnO-TFT 在可见光区平均光透过率大约为80%.以上表明利用ZnO 替代传统 Si 材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的. 相似文献
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Jae‐Heon Shin Ji‐Su Lee Chi‐Sun Hwang Sang‐Hee Ko Park Woo‐Seok Cheong Minki Ryu Chun‐Won Byun Jeong‐Ik Lee Hye Yong Chu 《ETRI Journal》2009,31(1):62-64
We report on the bias stability characteristics of transparent ZnO thin film transistors (TFTs) under visible light illumination. The transfer curve shows virtually no change under positive gate bias stress with light illumination, while it shows dramatic negative shifts under negative gate bias stress. The major mechanism of the bias stability under visible illumination of our ZnO TFTs is thought to be the charge trapping of photo‐generated holes at the gate insulator and/or insulator/channel interface. 相似文献
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Himchan Oh Sang‐Hee Ko Park Min Ki Ryu Chi‐Sun Hwang Shinhyuk Yang Oh Sang Kwon 《ETRI Journal》2012,34(2):280-283
By inserting H2O treatment steps during atomic layer deposition of a ZnO layer, the turn‐on voltage shift from negative bias stress (NBS) under illumination was reduced considerably compared to that of a device that has a continuously grown ZnO layer without any treatment steps. Meanwhile, treatment steps without introducing reactive gases, and simply staying under a low working pressure, aggravated the instability under illuminated NBS due to an increase of oxygen vacancy concentration in the ZnO layer. From the experiment results, additional oxidation of the ZnO channel layer is proven to be effective in improving the stability against illuminated NBS. 相似文献
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文章用RF—PECVD设备制备了G—SiNx薄膜,研究了TFT器件击穿电压的测定与分析方法,并对成膜条件中的SiH4流量以及G-SiNx膜厚进行浮动变化,以及研究TFT器件击穿电压的变化方式。结果表明:随着SiH4/NH3流量增大,其耐压性降低;增大绝缘膜厚度,耐压性随之增大。文章对TFT耐压性测量方法的探讨以及PECVD工艺条件与耐压性的相关关系的研究。对于制备合格的氮化硅薄膜提供了借鉴与指导。 相似文献
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ZnO基薄膜晶体管的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。 相似文献