一种新型高线性度MOS采样开关

提出了一种提高MOS采样开关线性度的新方法。通过采用电阻分压电路实现一个处于线性工作状态的“复制”MOS管,使其与采样MOS管具有相同的阈值电压。较之传统栅压自举开关,此新型MOS采样开关能够消除由于阈值电压随输入信号变化所产生的非线性。基于Char-tered 0.35μm标准CMOS工艺设计的新型采样开关,在输入信号为30 MHz正弦波,峰-峰值为1V,采样时钟频率为80 MHz时,无杂散动态范围达到了110 dB,较之自举采样开关提高了12 dB左右;同时,导通电阻的变化减小了90%。     

一种高线性度CMOS栅压自举采样开关

分析了影响MOS采样开关性能的非理想因素,提出了一种新型的栅压自举采样开关,该结构不仅能通过稳定开关管的栅源电压消除导通电阻变化带来的影响,而且能通过虚拟管来消除电荷注入带来的影响。基于华润上华0.13 um标准数模混合工艺,采用Cadence软件对电路进行了模拟,模拟结果显示这种开关线性度高,适合应用于高速高精度模数转换器中。     

一种高线性度CMOS自举采样开关

作为ADC系统与外界的接口,采样开关的性能优劣直接决定了ADC所接收到的信号纯度和真实性。高线性度的CMOS开关可在极大程度上抑制采样时间不确定、时钟馈通和电荷注入等非线性误差。文章首先讨论了MOS采样开关非线性的来源和互补型CMOS采样开关的不足之处,然后设计实现了一种高线性度CMOS自举采样开关。仿真结果表明所设计的高线性度CMOS自举开关的SFDR达101.5dB,可以适用于16位精度的ADC应用要求。     

一种新型栅压自举采样开关

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种新型的栅压自举采样开关。采用镜像结构,增加了自举电容。采用时钟控制反相器,减少了MOS采样开关管的栅极节点寄生电容。这些措施有效抑制了电荷共享效应,提高了线性度,提高了采样开关的导通、关断速度。仿真结果表明,在6.25 MHz频率、0.8 V输入正弦波信号、100 MHz采样频率的条件下,该栅压自举采样开关的SFDR为111.3 dBc,SNDR为108.9 dB。     

适于低电源电压应用的新型MOS自举采样开关

提出了一种适合低电源电压应用的新型MOS自举采样开关电路.通过“复制”自举电容和采样开关作为电荷损耗检测电路,并将检测出的电压降低值重新加到自举电容上,解决了传统MOS自举采样开关在低电源电压下工作时的电荷分享问题.基于0.18μm标准CMOS工艺,对电路进行了仿真.结果显示,在输入频率为60 MHz、峰-峰值为1V、采样频率为125 MHz时,与传统自举采样电路相比,新型自举采样电路采样开关管具有更低的导通电阻,无杂散动态范围( SFDR)提高了8dB,特别适合在低压高速A/D转换器中使用.     

一种用于高速高精度A/D转换器的自举采样电路

介绍了一种新型的CMOS自举采样电路。该电路适用于12位100 MHz采样频率的A/D转换器。采用P型栅压自举开关补偿技术,可以有效地克服采样管导通电阻变化引入的非线性失真,提高采样精度。仿真结果表明,采样时钟频率为100 MHz时,输入10 MHz信号,可得信噪失真比(SNDR)为102 dB,无杂散动态范围(SFDR)为103 dB。信号频率达到采样频率时,仍有超过85 dB的SNDR和87 dB的SFDR,满足高速高精度流水线A/D转换器对采样开关线性度和输入带宽的要求。电路采用SMIC 0.18μm CMOS数模混合工艺库实现,电源电压为1.8 V。     

高性能CMOS采样保持电路的设计

设计了一种基于0.5μm CMOS工艺的高线性、高精度、高速的采样/保持电路.采用一种仅由4个PMOS管、一个电容和一个NMOS开关构成的新型双边信号采样开关,有效地提高了双边信号采样电路的线性度并减小了电路的噪声和失调.仿真结果表明:输入摆幅为1V的156kHz的双边信号,在IOMS/s的采样速率下,其无杂散动态范围(SFDR)为120dB.     

适用于中频采样的CMOS自举采样开关

分析了影响CMOS采样开关性能的非理想因素,针对中频采样A/D转换器对采样开关特性的要求,改进得到了一种新型的CMOS自举采样开关.较之传统栅压自举开关,此新型MOS采样开关能够消除由于阈值电压随输入信号变化所产生的非线性.基于0.18 μm标准CMOS数模混合工艺对电路进行了模拟,模拟结果显示,在输入信号为2.39 MHz正弦波,峰峰值为2V,采样时钟频率为100 MHz时,开关的无杂散动态范围达到116.7 dB,较之传统自举采样开关提高了15dB左右.试验结果表明该栅增压电路非常适用于高速中频采样.     

一种低功耗高性能自举采样开关

提出了一种基于TSMC 40 nm/0.9 V CMOS工艺设计的适用于音频范围的低功耗高性能栅压自举采样开关电路。通过PMOS晶体管的衬底和漏极相连接代替了时钟放大模块,极大降低了电路整体的功耗。在输入端增加了一个NMOS晶体管,随着开关时钟的开启/关闭,通过抑制核心采样晶体管的体效应,可以有效提高开关线性度。鉴于音频信号的范围,选用频率为19.53 kHz、幅值为0.3 V的正弦波信号进行10 MHz采样频率的高速采样仿真,与传统结构相比,有效位数(ENOB)、信噪比(SNR)、无杂散动态范围(SFDR)和总谐波失真(THD)四项性能指标分别提升了5.5%、3.7%、13.8%和5.4%,并且功耗降低了36.8%。     

一种用于Pipeline ADC的高线性度栅压自举开关

在流水线模数转换器(Pipeline ADC)电路中,栅压自举开关中的非线性电容会对开关管的导通电阻产生直接的影响,导致采样非线性。设计了一种三路径的高线性度栅压自举开关,采用三个自举电容,分别构成两条主路径和一条辅助路径,使得输入信号在通过两条主路径传输到开关管栅端时加快栅端电压的建立,同时利用辅助路径驱动非线性电容,减少电路中非线性电容对采样电路线性度的影响,从而增强信号驱动能力,提高整体电路的精度。本文设计的栅压自举开关应用于14 bit 500 MHz流水线ADC的采样保持电路中。采用TSMC 28 nm CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在输入频率为249 MHz,采样频率为500 MHz的条件下,该栅压自举开关的信噪比(SNDR)达到92.85 dB,无杂散动态范围(SFDR)达到110.98 dB。     

一种高性能高动态范围CMOS模拟开关

基于3V、0．34μm CMOS工艺技术，设计了一种提高信号幅度的自举模拟开关，其线性区的导通电阻约为0．5Ω；输入信号通过该开关后，动态范围达到满幅度，并能将O～3V的时钟电压提升到0～6V。该开关适用于A／D转换器中的采样／保持电路和开关电容的滤波电路。     

一种适于Rail-to-Rail输入的2.5 V CMOS模拟采样电路

文本分析了影响低压CMOS采样电路性能的主要因素，设计了一种适合在2．5V电源下工作的CMOS自举开关采样电路。其输入信号的动态范围为0—2．5V，并给出了0．6μm标准CMOS工艺条件下的Hspice模拟结果。     

一种CMOS高速采样/保持放大器

文章分析了采样／保持电路的基本原理，设计了一种CMOS高速采样／保持放大器，采样频率可达到50MHz，并用TSMC的0．35μm标准CMOS工艺库模拟了整体电路和分块电路的性能。     

CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的研究

本文介绍CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的设计,版图设计,工艺及电路性能。从理论和实验中分析了常规工艺中影响击穿电压的几个关键工艺参数。