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基于失效机理的半导体器件寿命模型研究 总被引:1,自引:0,他引:1
微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要,为了在较短的时间内得到产品可靠性数据,使用加速寿命试验是十分有效的方法.而使用加速寿命试验进行可靠性分析,关键是能够得到合适的寿命模型.不同的失效机理对器件寿命的影响是不同的.详细考虑了半导体器件的3个主要失效机理:电迁移、腐蚀和热载流子注入的影响因素,介绍了相应的寿命模型,并且通过具体的数据计算所得到的加速因子,对半导体器件在不同状态下的寿命情况进行了比较. 相似文献
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基于电子散斑干涉技术快速评价半导体器件可靠性 总被引:2,自引:1,他引:1
提出了一种基于电子散斑干涉(ESPI)技术的快速评价半导体器件可靠性的新方法.通过给试件施加序进的加速温度应力,采用ESPI技术测量其封装离面位移随温度变化的规律预测其工作寿命.对简单半导体器件样品进行了实验,得到了散斑条纹图随试件温度的变化规律,根据变化规律快速提取出了试件的激活能,推算出了试件常温条件下的工作寿命.... 相似文献
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针对LED照明产品,提出一种寿命快速评价的方法.通过对样品在3种温度应力水平下进行加速寿命实验,以光通量的衰减作为失效判据,并对实验结果进行了分析,以威布尔分布来描述产品的寿命分布,利用最小二乘法和阿伦尼斯模型对试验数据进行统计分析,最终外推得出正常应力水平下产品的寿命. 相似文献
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持续努力提高元器件及材料可靠性的结果,诞生了许多的高可靠性产品。由此减少了故障发生的机会,而具体作可靠性评价试验则需要很长时间。人们希望进行更短时间获得有效结果的评价试验,即加速试验。但是所谓加速试验并非单纯加强应力缩短时间即可,同时它也不是全能的试验。理解了这一 相似文献
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COB封装的LED器件应用日趋广泛,但是其寿命评价方法仍限于做3000h或6000h的光通维持率试验,试验本身耗时较长,因此本文基于半导体器件的指数衰减规律和LED光通量的慢退化特性提出一种加速试验方法,对器件进行高温加速寿命试验,并对试验结果进行计算,得到了器件在加速试验温度下的L70寿命,然后利用相应水平的激活能,得到了在较低结温下的L70寿命。 相似文献
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通过对引信寿命评估试验和高加速寿命试验(HALT)的特点进行分析,针对目前引信寿命试验的不足之处,提出了利用HALT中的有效信息来改进引信寿命评估的方法,例如:通过选择积极的加速因子和估算试验所需的时间来改进加速寿命试验,使之能够快速、精确地评估产品的寿命;在引信的研制过程中,当样本量较小时,可以利用改进的加速寿命试验来进行引信寿命的评估,使之能够快速地评估引信的中位寿命。 相似文献
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分析了业务模型、设备架构对分组传输设备能耗的影响程度,调研了分组转发类设备现有的能耗测试与评估方法及相关标准化组织,并对比各测试方法间的差异性和适用场景,探索性地提出了更适于PTN设备能耗评估测试方法。 相似文献
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基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过104次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。 相似文献
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