英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存

正英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128 Gb存储器,并表示将立即使用相同的制程量产20 nm的64 Gb NAND闪存元件,而新的128 Gb元件预     

Numonyx发布41纳米32Gb闪存技术

由Intel和意法半导体合资的Numonyx近日公布了最新的32Gb（4GB）闪存技术。这款芯片采用了更小的41纳米制程，可以在同等面积下将闪存容量提升一倍，也就是说MMC大小的存储面积上就可以存32GB的数据，而microSDHC目前最大为8GB。     

东芝开发43nm CMOS的16Gb NAND闪存

东芝宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43nm工艺技术制造。新型芯片大小约为120mm^2.存储单元聚集在平行排列的64单元NAND串中，并且受其控制，存储单元的数量是56nm产品的一倍，两端均配有一个虚设的字线单元，用于避免程序干扰。同时，通过在电路中加入高压开关，减少字线驱动所需的控制栅驱动电路数量。     

美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit,可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。     

国际要闻

<正>东芝今年开始生产闪存芯片采用43nm制程据日本经济新闻日前报道,东芝最快将在本会计年度开始采用43nm制程生产闪存芯片,以降低生产成本。     

Spansion开创闪存技术发展新里程

日前,Spansion即在台展出90nm MirrorBit技术的单芯片1 Gb GL NOR闪存,并且示范操作1 Gb ORNAND产品的工作芯片.Spansion位于德州奥斯汀的旗舰制造厂F ab 2 5所生产的Spansion 90nm MirrorBit技术的产品,为极受关注的高容量闪存开发计划奠定了基础.     

三星宣布投产40纳米8Gb融合闪存芯片

三星电子宣布,采用40nm工艺的Flex—OneNAND融合式闪存芯片已经投产,容量也达到了8Gb。Flex—OneNAND是三星在2007年研发成功的一种新型闪存技术,将单层SLCNAND和多层MLCNAND整合在了一块硅片上,有利于减少     

三维技术化解半导体工艺发展危机

工艺变革令芯片面貌一新2006年12月,在半导体制造技术国际会议"IEDM(国际电子器件会议)2006"上,全球最大的NAND闪存供应商三星电子宣称,按照目前的工艺发展趋势,闪存的容量也许只能增大到64Gb。     

SLC NAND闪存针对嵌入式市场升级工艺标准

日前,Spansion公司宣布其首个单层单元(SLC)系列Spansion NAND闪存产品开始出样,它采用4xnm浮栅技术,专门用于汽车、消费及网络应用的数据存储需求。Spansion SLC NAND将分为3.0V和1.8V两个系列,存储容量在1Gb～8Gb之间,该产     

SLCNAND：闪存

Spansion公司推出译层单元（SLC）系列SpansionNAND闪存产品。这一新SLC NAND闪存产品采用4×nm浮栅技术，专门用于汽车、消费及网络应用的数据存储需求。SpansionSLCNAND将分为3．0V和1．8V两个系列，存储容量在1Gb-8Gb之间，该产品性能更为出色、温度范围更广、享有长期技术支持并且符合严格的可靠性要求。     

存储器件

4-BITS-PER-CELL(X4)闪存SanDisk宣布将大量生产基于多层单元(Multi-Level Cell,简称MLC)技术的高效能4-bits-per-cell(X4)闪存。该项突破性科技采用43nm技术,支持64GB单内存芯片,以高内存容量满足日新月异的内存应用程序。     

Spansion发布MirrorBit Quad方案

Spansion发布了其第一个MirrorBit Quad解决方案系列,MirrorBit Quad技术能够在每个单元中存储四比特数据,是所有其它闪存技术的两倍。另外,这种技术的成本较低,裸片的尺寸也小于市场同类闪存解决方案。第一批MirrorBit Quad产品的容量为256Mb～2Gb。Spansion计划在今年晚些时候发布面向数字电影、MP3、游戏机和USB闪存驱动等可移除式应用的65nm产品。另外,Spansion还计划在电子书和GPS导航系统等集成式应用中采用MirrorBit Quad技术。     

Sun与三星合作开发高性能服务器闪存芯片

三星日前已与Sun开展合作,双方将共同开发用于固态闪存盘的单层颗粒（SLC）NAND闪存芯片。两家公司宣称,与现行标准的SLC闪存芯片相比,新的服务器级SLC NAND闪存的数据写入与擦除速度要比前者快五倍。此外,新设计还将极大地延长高性能数据处理服务器的生命周期。     

Pretec与世平集团携手抢攻储存记忆卡

全球最小U SB随身碟i-D isk Tiny以及CU-Flash研发制造商――以Pretec品牌营销全球的希旺科技,于日前推出全球容量最大的SD记忆卡4G B SD记忆卡。Pretec4G B SD记忆卡是高速系列133x SD记忆卡的再一次突破。133x SD记忆卡的全系列容量为256M B～4G B,其存取速度可高达每秒20M B,是目前SD1.1规格下,全球最高速的SD记忆卡。由于Pretec采用了65nm制程的16G b SLC N A N D闪存,因而相对比使用M LC N A N D闪存的产品拥有更长的使用寿命,约达10倍之多,且存取速度快了200%～500%。目前,Pretec133x4G B SD记忆卡的样品价为每…     

Spansion宣布未来无线数据存储设备发展计划

针对移动电话市场的统一闪存平台可将容量从16Mb扩展到5Gb新型ORNAND闪存架构将NOR代码执行和NAND数据存储功能集成到一个产品中     

英特尔公司称EUV光刻技术的发展赶不上其工艺进展的步伐

在最近召开的SPIE高级光刻技术会议上,Intel公司称EUV光刻技术应用到大批量生产的时间点将会迟于Intel推出14 nm制程产品的时间点,而且按现在的发展趋势来看,很可能连Intel的10 nm制程都会赶不上!不过对其它芯片代工厂以及内存芯片制造商而言,仍有可能赶在他们推出16/14 nm制程产品时     

拓宽闪存市场Spansion出台“三年计划”

Spansion公司日前在华宣布了其未来三年旨在拓宽其闪存产品市场的的发展战略，基于MirrorBit技术的无线数据存档设备的研发计划；二．计划于2007年利用65nm光到技术将MirrorBit内存产品扩展到8Gb容量；三，推出ORNAND架构；四，发展闪存逻辑业务。     

0.09μm工艺缩小快闪存储器尺寸

美国加州圣尼维尔（Sunnyvale）的SanDisk公司和该州伊尔文（Irvine）的东芝美国电子元件公司合作开发了0.09μm工艺，从而使二元和多级元（Multi-levelcell,MLC）NAND快闪存储器容量和竞争力提高。新的工艺将使目前0.13μm工艺产品的存储容量提高一倍，并且使产品体积缩小，生产成本降低。两公司在发展计划中提出未来存储产品的容量将进一步提升，包括 2Gb和4Gb MLC NAND快闪存储器。在单片存储卡上集成多个闪存芯片，将使手持设备能够存储数十分钟长度的DVD视频，成千上万的高分辨率图像，超过30小时的数字音乐，或者数千兆的数…     

三星开发16芯片封装技术

2006年11月2日国际报道,在对减小MP3播放机、手机尺寸的永无止境的追求中,三星已经发现了一种新的封装技术,能够在原来只能容纳一个内存芯片的空间中封装16个内存芯片。当采用8Gb的闪存芯片时,整个模块的容量将达到16GB。这种多芯片封装技术能够在一个模块中包含不同类型的芯片     

TRANSVIDEO公司选择ADI公司的BLACKFIN处理器

由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC近期宣布，它正在向嵌入式市场的客户提供全球第一款单芯片1Gb NOR闪存样品。这款基于90nm MirrorBitTM技术的1Gb MirrorBit GL是目前市场上容量最高的单芯片NOR闪存器件。