侧向注入的载流子注入型SOI光开关中的热效应分析V

根据热场方程,分析了侧向载流子注入pin结SOI脊波导器件中的热光效应影响,数值分析和实验现象表明,在该类电光子器件中,载流子注入产生的热光效应影响明显,尤其对于SOI材料的小截面脊波导结构。如1000微米调制长度的器件,在正常工作时,温升引起的折射率上升已占总的效应的1/8;同时提出了通过调整电极位置来进行散热的减小热光效应影响的方案。     

电荷以电流积分方式通过MOS晶体管注入CCD中引起的噪声

此文是对在CCD输入端(相当于一个MOs晶体管)由积分噪声电流所引入的噪声电荷进行评价。信号源噪声及输入晶体管的噪声贡献可与CCD的其它噪声区分出来。此外,从我们对于在弱反型和强反型状态中工作的MOS晶体管1/f噪声的测试结果,与先前报导的结果相比取得了很好的一致性。     

CMOS模拟开关中的闭锁现象及消除方法

本 文描述了CMOS集成电路中的闭锁现象的机理,分析了寄生PnPn可控硅的触发条件.提出了防止CMOS模拟开关电路闭锁的措施,以及本电路的版图设计和工艺设计的原则,从而实现消除闭锁现象的目的.最后介绍了研制中的CMOS模拟开关的抗闭锁性能和电路性能.     

注入光敏器件与MOS场效应结构比较

通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种ＭＯＳ效应结构，对文献「９」中得出的不同的结论和所讨论的问题阐述了自己的见解。     

MOS晶体管沟道注入区的激光退火

本文描述了n沟MOS晶体管注入栅区的激光退火技术,测量了激光退火样品和热退火样品的阈值电压漂移和注入剂量的关系。与阈值电压漂移理论值相比表明,激光退火能产生完全的电激活,而不会发生扩散再分布,这与960℃下的热退火大不相同。     

MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究

对MOS结构器件．要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有根多种．如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比较常用、有效的方法,分析了这些方法的优点和局限性。     

ADI推出业界最低电容和电荷注入的SPDT模拟开关

ADI公司推出两种工作在±12V或±15V的单刀双掷(SPDT)模拟开关ADG1233和ADG1234,该器件可提供业界最低的电容和电荷注入。这两种器件的关态电容为1.5pF,电荷注入小于1pC,非常适合需要低尖峰和快速设定时间的高端数据采集以及取样保持应用,该器件的快速开/关速度(120/40ns)以及-3dB带宽900MHz使它们十分适合用于视频开关(可能需要外接视频缓冲器)。该开关的导通电阻为120欧姆,通道间电阻匹配为3.5欧姆,在0V到VDD信号范围内的电阻变化为20欧姆。ADG1233和ADG1234器件可满足工业设计工程师对模拟开关要增加数据采集速度的需求。这…     

OLED器件电荷注入模型的MATLAB分析计算

介绍了电荷从OLED金属电极注入到一个随机跳跃体系（例如配对聚合物或分子掺杂聚合物）的模型。它包括电荷载流子从电极的费米能级到介质跳跃态分布尾态之间的注入,其结果可能是电荷载流子返回到电极,或者是受到镜像引力势的作用而形成扩散逃逸。后者类似于一维Onsager型激子解离。该模型将注入电流处理为电场、温度以及跳跃态分布能量宽度的函数。提出了OLED器件中相对电流密度的概念。介绍了用MATLAB软件分析计算该模型的方法和技巧。     

MOS结构热激电流谱的测量与分析

本文用热激电流法测量了MOS结构在77K～600K温度范围的热激电流谱。热激流谱从低温到高温给出了SiO_2-Si界面的界面态、Si表面体深能级、SiO_2中的可动离子——H~ 、Na~ 、K~ 等的电流峰、由谱线计算了界面态分布曲线、体深能级位置,可动离子的激活能及其浓度等参量,分析了高温热激电流谱的性质;提出了识别界面态与体深能级电流峰的方法。     

光控MOS栅固态继电器的电路分析与模拟

光控MOS栅固态继电器是由MOS栅控晶闸管、开关三极管、光电耦合器、增强型MOSFET和齐纳二极管组成的新型开关器件。文章提出了光控MOS栅固态继电器的电路结构，详细分析了它的工作原理及其光电特性。     

SOI电光开关中热光效应分析

分析了 SOI(silicon- on- insulator) 2× 2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响。采用二维半导体器件模拟器 PISCES- 对器件进行了模块。结果表明 ,热光效应对等离子色散效应的影响与调制区长度密切相关 ,当调制区长度较短时 ,热光效应的影响不容忽视 ;当调制区长度大于 5 0 0μm时 ,这种影响可以忽略不计。     

电压开关中的常见挑战

设计自动化的测试系统开关需要搞清楚要开关信号和要执行测试的特点。例如,在测试应用中承受开关电压信号的最合适的开关卡和技术取决于其涉及电压的幅值和阻抗。     

通过对耗尽型场效应晶体管与埋沟MOS电容器的测量来分析体内转移电荷耦合器件的特性

对于体内转移电荷耦合器件的特性分析可以借助于MOS电容器与场效应晶体管的测量结果。我们在MOS电容器和场效应晶体管的氧化层与衬底之间加了一层极性与衬底相反的浅掺杂层,用这样的模型来解释这些器件中观察到的电容——电压(C—V)特性的频率关系。     

基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

从载流子在MOS结构反型层内的分布出发,利用表面有效态密度(SLEDOS：SurfaceLayer Effeotive Density-of-States)的概念,在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型.该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响,采用了一种新的高效的迭代方法,具有较高的计算效率和足够的精度要求.     

基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

从载流子在 MOS结构反型层内的分布出发 ,利用表面有效态密度 ( SLEDOS:SurfaceLayer Effective Density- of- States)的概念 ,在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型 .该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响 ,采用了一种新的高效的迭代方法 ,具有较高的计算效率和足够的精度要求     

热电/CCD混合式焦平面:电荷直接注入的分析与设计

1.导论由于热电摄像管的发展,产生了一系列廉价又可在室温下工作的热像仪。近来,注意力又转到了大规模(包含几百至几千个探测器)热电列阵的固态读出上,特别是二维列阵与硅CCD的互连问题上。其目的是改进尺寸、功率要求和坚固性等物理特性及提高对景物温度的识别能力。本文给出电互连与热互连的理论分析;确定关键的设计参数(器件参数与几何尺寸的关系);对一适当的设计研究其信号和噪声性能;预示噪声等效温差(NEFD)在0.5℃左右;并在特制的CCD上进行了实验检定。热电-硅CCD混合式器件的设计很大程度上取决于热电和CCD之间的互连考虑。简     

注入光敏器件工作原理的模拟与分析

通过数值求解双极半导体器件的基本方程，研究了载流子在注入光敏器件内部的运动，得到了器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件的工作原理。     

注入光器件工作原理的模拟与分析

通过数值求解双极半导体器件的基本方程,研究了载流子在注入光敏器件内部的运动,得到器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件工作原理。     

MOS模拟集成电路的噪声分析和低噪声设计

本文论述了MOS器件的噪声和电路噪声的分析方法,提出了MOS模拟集成电路的低噪声设计原则,对开关电容网络中的1/f噪声和抽样过程所产生的混叠噪声作了较详细的说明,并以MOS运算放大器单元电路,开关电容积分电路为例作了噪声分析与低噪声设计,最后介绍了实验单元电路及其实测结果.     

MOS模拟集成电路的噪声分析和低噪声设计

本文论述了MOS器件的噪声和电路噪声的分析方法,提出了MOS模拟集成电路的低噪声设计原则.对开关电容网络中的1/f噪声和抽样过程所产生的混叠噪声作了较详细的说明,并以MOS运算放大器单元电路、开关电容积分电路为例作了噪声分析与低噪声设计.最后介绍了实验单元电路及其实测结果.