真空蒸镀聚乙烯醇薄膜

采用真空蒸发沉积(蒸镀)聚乙烯醇薄膜,通过SEM和光学显微镜观察聚乙烯醇薄膜呈现典型的岛状形式并均匀分布于衬底表面,且以梯田状台阶式长大.衬底温度是影响PVA薄膜沉积速度的主要因素.红外光谱分析表明其蒸镀薄膜的主要化学结构特点是羰基代替了部分羟基.     

二氧化铈对准晶真空蒸镀薄膜的影响

采用DMD-450真空镀膜仪将Al65Cu20Fe15准晶粉末沉积在Q235钢表面制备薄膜。研究了二氧化铈对薄膜的组织和结构的影响。采用透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）等分析了薄膜的组织结构和表面形貌。利用纳米压痕仪（MTS）测试了薄膜的显微硬度和弹性模量。结果表明：通过准晶粉末真空蒸镀可以形成准晶薄膜。其组成相有CuAl2，A1Cu3 and I（Al65Cu20Fe15）相等。薄膜的成分取决于制备工艺。二氧化铈对薄膜的结构没有产生明显的影响。但是薄膜的显微硬度和弹性模量随二氧化铈添加量的增加而提高。当二氧化铈添加量为5％（质量分数）时，薄膜的显微硬度达到9．0GPa，弹性模量最高达到190GPa。此外，二氧化铈的添加明显增加了薄膜的耐蚀性能。     

建筑玻璃真空蒸镀薄膜厚度的理论计算

本文对建筑玻璃大面积多蒸发源真空蒸镀的膜厚均匀性进行了理论分析，给出了膜厚及其分布的计算公式和计算实例．对如何提高薄膜的均匀性进行了讨论．     

电子束蒸镀纳米TiO_2薄膜结构、相组成及亲水性研究

利用电子束蒸镀技术在石英玻璃和单晶Si〈100〉上制备了纳米TiO2薄膜,研究了衬底温度和退火温度对其结构、相组成和亲水性能的影响。结果表明,衬底温度为40~240℃时,石英玻璃上制备的薄膜为无定型TiO2,单晶Si〈100〉上制备的薄膜为弱结晶性的金红石TiO2,两类薄膜的亲水性均很差。退火温度显著影响薄膜的相组成及亲水性能。石英玻璃上不同衬底温度制备的TiO2薄膜经550,650℃退火后均转变为锐钛矿TiO2,具有很好的亲水性能。单晶Si〈100〉上不同衬底温度制备的TiO2薄膜经550~950℃退火后,均由金红石和锐钛矿TiO2混晶组成,且随退火温度升高,薄膜中锐钛矿TiO2含量逐渐增加;随退火温度升高,衬底温度为40℃时制备的TiO2薄膜的亲水性能逐渐降低,而衬底温度为240℃时制备的TiO2薄膜的亲水性能逐渐增强。     

真空蒸镀阻隔包装薄膜——应用在微波炉上的复合包装薄膜制备方法

近年来，迅速发展的微波加热技术给微波食品的包装及需．经微波杀菌消毒的一类商品的包装提出更高的要求，即包装材料不仅要有优良的阻隔性能，而且还要耐高温、微波透过性良好等性能，传统的包装薄膜很难全面具备这些特点。因而日本、意大利、德国、英国、美国、加拿大等工业发达国家投入大量的人力物力研究开发新型的高阻隔性包装材料：SiOX和其他非金属氧化物镀膜包装材料，争取在未来这一技术、材料市场上占据有利地位。这类材料除了阻隔性能可以与铝塑复合材料相媲美外，同时还具有微波透过性好、耐高温、透明、受环境温度影响小等特点，特别在商品保香方面，效果如同玻璃瓶包装一样，长期储存或经高温处理后，不会产生异味。能广泛应用于食品、药品、化妆品、医疗器械等包装安全卫生性能要求高、货架寿命较长的一类商品的包装，尤其适合作为微波加热技术应用的一类商品包装材料。     

磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响

采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1%时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55μm,晶化率为96.82%,且晶粒的均匀性最佳。     

真空蒸镀硬脂酸包覆SnAgCu无铅焊料合金粉末研究

微细无铅焊料合金粉末易团聚和氧化,通过表面改性处理可提高其分散性及抗氧化性。本文以紧耦合气雾化法所制备的SnAgCu合金粉末为原料,采用真空蒸镀法对SnAgCu合金粉末进行包覆硬脂酸的改性研究,研究蒸镀温度、蒸镀时间等工艺条件对SnAgCu合金粉末改性效果的影响;采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)对包覆后合金粉末的形貌及结构进行观测,采用X射线光电子能谱仪(XPS)和碳硫联测仪分别对包覆后粉末的光电子能量和C含量进行测试。研究结果表明:合适的真空蒸镀条件是蒸镀温度70℃,蒸镀时间12h,真空度低于1.6×10-2Pa,在此条件下可得到均匀致密、厚度为5～10nm的包覆层;硬脂酸包覆SnAgCu合金粉末遵循岛状生长机理,其包覆行为是物理吸附过程。     

玻片基板温度对磷掺杂真空蒸镀多晶硅薄膜的影响

为进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀法结合金属铝诱导退火处理在玻璃衬底上制备了掺杂磷的多晶硅薄膜。采用扫描电镜、激光拉曼光谱仪等研究了基板温度对磷掺杂多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随基板温度升高,薄膜的晶粒大小和晶化率呈先增大后减小的趋势,基板温度为150℃时,晶粒尺寸显著增大,达0.45μm左右,且具有较高的结晶度,薄膜晶化率可高达94.95%。     

蒸镀TiO2薄膜的面料

采用真空蒸镀法制备了负载纳米TiO2织物。利用扫描电镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）分别分析了其表面形貌和晶体结构,探讨了负载TiO2和热处理对棉织物的抗紫外线性能的影响。萁结果表明：在蒸镀条件相同的前提下,蒸镀时间为13s且经过热处理的负载纳米TiO2织物的抗紫外线性能较好。     

Structural and optical characterization of CuInS2 thin films grown by vacuum evaporation method

Structural and optical properties of CuInS₂ thin films grown by the single-source thermal evaporation method have been studied. The films were annealed from 100 to 500 °C after an evaporation in air. The surface morphology was investigated by scanning electron microscopy. The maximum grain size of the samples after annealing at 400 °C was over 500 nm. The EPM analysis concluded that the polycrystalline CuInS₂ thin films after annealing below 100 °C were Cu-rich, and those annealed above 200 °C were In-rich. The bandgap energy of the CuInS₂ films after annealing above 300 °C was about 1.48 eV.     

TiO2-KTaO3复合薄膜制备与湿敏传感性质研究

通过溶胶凝胶法和旋涂法制备了单层和双层TiO2-KTaO3薄膜,并在不同的温度下退火1h,研究了该薄膜的湿敏传感特性.通过扫描电镜和X射线衍射研究了薄膜的形态特性,发现该薄膜具有纳米颗粒和毛细多孔结构.环境湿度变化从12%RH～97%RH的变化过程中,在500℃下退火的TiO2/KTaO3薄膜具有很高的灵敏度.对比单层薄膜,双层薄膜显示出有更大的电阻变化范围.还研究了TiO2/KTaO3薄膜的湿敏传感机理.     

离子辅助蒸发(1-x)TiO2-(x)Ta2O5薄膜及其光学性能研究

采用离子辅助蒸发的方法，以不同配比的Ta2O5和TiO2混合物为初始膜料在K9玻璃上制备了TiO2-Ta2O5混合薄膜，并对其透射性能和光学常数进行研究。实验结果表明，薄膜在可见光范围内的平均透射率在82％以上，并随着Ta2O5含量的增加而增加；薄膜的折射率在1．80～2．07范围内变化（550nm）。对同-Ta2O5含量的薄膜来说，退火后TiO2薄膜和80TiO2—20Ta2O5薄膜的折射率较退火前提高，而90TiO2-10Ta2O5薄膜的折射率较退火前降低。     

TiO2薄膜超亲水特性的研究

采用溶胶-凝胶法制备TiO2薄膜，研究了薄膜厚度、孔隙率、热处理温度、掺杂等因素对滞膜亲水性的影响，结果表明：当TiO2薄膜的厚度小于87.2nm时，随着膜厚的增加，接触角降低。当膜厚大于87.2nm时，接触角基本不变；孔隙率的增加，掺杂SnO2均有利于超亲水性的改善，热处理温度为450～662℃时薄膜亲水性最好。     

Ti靶及TiO2靶溅射TiO2薄膜微观形貌、结构及光学性质研究

利用射频磁控溅射技术通过Ti靶及TiO2靶在氩氧气氛中同时溅射制备TiO2薄膜,并对所得的样品进行不同温度的退火处理。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、拉曼光谱和吸收谱研究了不同的靶材及退火温度对TiO2薄膜晶体结构、微观形貌及光学性质的影响。结果表明:由于靶材的不同,Ti靶溅射时氧分压较低,造成薄膜中存在大量的氧缺陷,晶相发育不完善,颗粒相比TiO2靶溅射时较小,从XRD和拉曼光谱来看,Ti靶溅射得到的TiO2薄膜更有利于金红石相的形成。薄膜的透过率随退火温度的升高而降低,TiO2靶材溅射的薄膜的光学带隙随温度升高而明显降低,而Ti靶得到的薄膜的光学带隙对退火温度的依赖关系不明显。     

真空热蒸发镀CIAS薄膜

采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备Cu In0.7Al0.3Se2(CIAS)薄膜,并对之进行450℃真空硒化退火处理。结果表明,制备的CIAS薄膜具有黄铜矿结构并且以(112)晶面优先生长。真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,更接近CIAS晶体的化学计量比。薄膜为P型半导体,退火后的薄膜禁带宽度减小至1.38 e V,带电粒子数下降至2.41E+17 cm-3,带电粒子迁移率增加至5.29 cm2/(N·s),电阻率升高至4.9Ω·cm。     

低压MOCVD生长TiO2薄膜结构和电性能研究

采用低压MOCVD法沉积生长了TiO2薄膜，研究了Si衬底取向，退火温度，退火时间，退火气氛对其结构和电性能的影响，结果表明，500℃下沉积生长于Si(111)和Si(100)上的TiO2薄膜为锐钛矿相多晶膜，经过600℃以上退火处理后，均可转变为纯金红石相结构。其中，Si(111)上的TiO2薄膜更容易转变为金红石相结构，而Si(100)上的TiO2薄膜，需要更高的退火温度和更长的退火时间才能转变为金红石结构。结果还表明，退火气氛中氧分压的大小对TiO2薄膜的结构无明显的影响。     

柔性染料敏化太阳能电池TiO2薄膜的低温制备技术

简要介绍了柔性染料敏化太阳能电池的特点,综述了柔性染料敏化太阳能电池中TiO2纳米晶半导体薄膜光电极的低温制备技术.     

Structural and optical characterization of Sn incorporation in CuInS2 thin films grown by vacuum evaporation method

Structural and optical properties of non-doped and Sn-doped CuInS₂ thin films grown by double source thermal evaporation method were studied. Sn deposition time is taken between 0 and 5 min. The films were annealed at 250 °C for 2 h in vacuum after evaporation. The X-ray diffraction spectra indicated that polycrystalline CuInS₂ films were successfully obtained after annealing and no Sn binary or ternary phases are observed for the Sn time depositions less or equal to 5 min. The Sn-doped samples after annealing have bandgap energy of 1.45–1.49 eV. Furthermore, we found that the Sn-doped CuInS₂ thin films exhibit N-type conductivity after annealing.     

真空蒸发制备Sb掺杂CdTe薄膜

采用真空蒸发技术在玻璃衬底上制备了Sb掺杂的CdTe薄膜,薄膜为沿(111)晶向择优生长的立方闪锌矿结构的CdTe,结果表明Sb掺杂使得薄膜表面更加均匀致密,改善了薄膜的结晶状况,增大了薄膜的光吸收范围,同时也使薄膜的带隙宽度有所减小,大大降低了薄膜的电阻率.