一种计算正电子在金属单空位中寿命的简单方法

在Manninen等人的理论计算的基础上,根据无逃逸模型(即正电子被单空位捕获后一般不能逃逸)提出了一种计算正电子在金属单空位中寿命的简单方法。 我们注意到Manninen的理论计算值和实验值偏离较大,认为产生这种偏离的主要原因是他们把均匀电子气中的Brandt公式运用到非均匀电子气中。考虑到正电子的湮没率λ(其倒数为寿命τ)应直接从λ=∫|ψ+(r)|~2n(r)γ(n)dr计算。式中,ψ(r)为正电子波函数,n(r)为电子密度,γ(n)为增强因子。按照无逃逸捕获模型及湮没率和单空位中电子密度的具体形式关系不大的看法,我们对Manninen利用HKS法计算所得的单空位中的正电子波函数作了球Bassel近似,对电子密度作了抛物线近似,同时取增强因子γ(n)≈γ((0)),其中n(0)为r=0处的电子密度。对于简单金属,我们得到如下公式     

金属铜缺陷的正电子湮没寿命谱的理论研究

金属缺陷的研究工作一直是凝聚态物理中比较活跃的领域之一,这不但在学术上有重要价值,而且在实际应用领域有着深远意义。正电子技术使我们有可能在低浓度和A尺度上研究缺陷的电子结构。通过金属缺陷的研究可以使我们加深缺陷对金属材料性能的影响的理解,以便找出提高材料性能的方法。本文我们研究了Cu中1、2、3、4、6、 9、10、13、15空位团,Cu中H-、He-空位团复合体(1、2、3空位)的电子结构和正电子湮没寿命谱。我们采用胶体模型,利用密度泛函理论和交换能关联能的局域密度近似。在本模型中我们对缺陷作了球对称近似,这时正电荷分布n_(ext)(r)为:     

铁中空位的正电子湮没特性

从第一性原理和二分量密度泛函理论出发．应用离散变办法和嵌入集团模型完全自洽地计算了不同相状态的铁单空位的正电子湮没特性．同时讨论了晶格膨胀和晶格弛豫对正电子湮没特性的影响。     

不同相结构Cu－Zn合金脱锌腐蚀的正电子寿命研究

测量了α、β、γ、ε四种单相Ｃｕ－Ｚｎ合金脱锌腐蚀前后的正电子寿命谱．发现脱锌腐蚀速率与材料腐蚀过程中产生的非平衡空位的体积百分比有正变关系．进而时Ｃｕ－Ｚｎ合金脱锌腐蚀的微观机理进行了讨论。     

云母钛珠光颜料的正电子寿命谱研究

用正电子湮没技术测量了云母钛珠光颜料的正电子寿命和强度与煅烧温度，包覆量等的关系，并与Ｘ射线衍射，透射电镜等方法进行了比较。     

超高分子量聚苯乙烯中的正电子寿命谱

以２，３－二氰基－２，３－二（ｐ－Ｘ取代苯基）丁二酸二乙酯（Ｘ＝Ｈ，ＣＨ３，Ｃｌ）为引发剂，用本体法合超高分子量聚苯乙烯，研究了不同引发剂对苯乙烯聚合物正电子湮没寿命谱的影响。通过比较聚合物的分子量和自由体积，表明引发剂的分解速率对自由体积有较大的影响，而浓度对自由体积的影响不大。     

辐照接枝氟塑料的正电子寿命谱研究

用正电子湮没寿命谱研究了对聚四氟乙烯和聚合氟乙丙烯进入γ辐照接枝的反应机理。结果表明：γ辐照和辐照接枝使聚合物的凝聚态结构发生了变化。随着辐剂量的增加,接枝率不断提高,而正电子湮没长寿命产生明显改变。说明了辐照接枝主要发生在非晶区以及非晶区和晶区的交界处,将实验结果与红外光谱进行了比较。     

正电子湮没寿命谱指数函数拟合程序

本文提供一个从正电子湮没寿命谱中消除时间分辨函数的影响作指数函数拟合的方法。用剥皮法给出参数初值和拟合数据的起始点,使所用高斯-牛顿法中的迭代过程迅速而准确地达到收敛。编制的计算程序(PLSEF)经使用证明效果是好的。     

用正电子湮没寿命技术研究塑性变形纯Ni的回复过程

本文用正电子湮没寿命方法研究了塑性变形镍(含0.01％杂质)的回复过程的特点及杂质在缺陷回复过程的作用和影响,计算了形变为10％的试样中的位错密度及形成空位团的有效空位浓度。     

正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱的自动获取和处理技术

本文介绍的正电子湮没寿命谱和正电子湮没多普勒展宽谱的数据自动获取和处理技术使Can-berra S-40或S-35型多道分析器与IBM-PC/XT微型计算机之间实现了相互通讯及全套的解谱数据处理和原始数据存盘、计算结果存盘及列表绘图等自动获取和处理数据的工作。使IBM-PC/XT微型计算机用于正电子湮没寿命谱仪或多普勒展宽谱仪的在线处理工作得以实现。     

BaF2正电子寿命谱仪时间分辨率的改进

介绍了不同材料,不同形状的封装对BaF2晶体光收集的影响。使用聚四氟乙烯薄膜对BaF2晶体作伞状封装,光收集效果较好,在此条件下,常规正电子湮灭寿命谱仪的时间分辨率在^22Na能窗下达到180ps。     

用正电子湮没实验研究PbWO_4新型闪烁晶体绿光发光机理

通过正电子湮没寿命谱研究了PbWO_4晶体退火处理前后缺陷的变化;发现氧退火后,晶体正电子寿命值τ_2变小,正电子捕获率κ增大,真空退火反之。并且PbWO_4晶体氧退火后发光主峰位从440nm移到485nm的绿光处,而真空退火晶体发射谱谱形并未变化。从不同退火处理对晶体的影响,提出了PbWO_4晶体中铅空位形成WO_3＋O~-发绿光的发光模型。     

含卤素高聚物的正电子湮没特性

用正电子湮没辐射一维角关联实验装置和正电子湮没寿命谱仪观察了全氟乙烯丙烯共聚物(FEP)系列试样和不同含氯量的聚乙烯系列试样的正电子湮没特性,并分别与聚四氟乙烯均聚物(PTFE)和聚乙烯(PE)进行了对照。结果表明:分子材料的介电性质对正电子湮没特性有明显的影响。极性基团的加入改变了分子链上的电荷密度分布,导致微观偶极电场的产生,使在自由体积内部或陷落在缺陷巾的0-Ps正电子波函数与分子链上轨道电子波函数的重迭几率增加,长寿命τ_3减小;同时,由于卤素原子的电负性较强,抑制了Ps的形成,增加了自由正电子的数目,使角关联曲线低动量成分减小。     

USY沸石中的正电子湮没

用正电子湮没方法研究了Y型沸石脱铝（高温水热处理）前后孔结构的变化，测量了在不同空气压强中的正电子寿命谱。在真空中得到脱铝前NaY沸石有4个寿命分量，脱铝后USY沸石有5个寿命分量．实验结果表明，经离子交换及高温水热处理后沸石中产生了“二次孔”。并且随着吸附空气的增加，USY沸石的τ5、I5明显减小。     

LaCl3:Ce3+闪烁体正电子湮没寿命谱仪

对国内最新研制出的LaCl3：Ce^3＋闪烁晶体时间特性进行了测试,用该种晶体尝试组建了正电子湮没寿命谱仪,时间分辨率达到了350ps。由于LaCl3：Ce^3＋探头在具有快速时间响应特性的同时还具有较高的能量分辨率,用该探头组建正电子湮没寿命谱仪将具有许多潜在的优势。     

正电子在高能电子辐照聚乙烯和聚丙烯中的湮没特性

用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽方法研究高能电子（12MeV）辐照聚丙烯和聚乙烯的不同特性，发现在160kGy剂量内，正电子在聚丙烯内的短寿命成分随着电子辐照剂量的增大而变长，中间成分的强度则减弱，但当剂量为320kGy时，各湮没寿命与没有辐照的样品类似。而长寿命成分的强度不随剂量增加而变化。在电子辐照的聚乙烯薄膜中，当剂量为80kGy时，正电子中间寿命强度I2增加，长寿命成分的强度I5则有所减少。之后，随着电子辐照剂量的增加，则不再变化。正电子湮没γ射线多普勒展宽S参数随电子辐照聚乙烯的剂量变化与I5相同。正电子湮没特性的差别表明高能电子辐照这两种聚合物所引起结构上的变化是不同的，并为其宏观特性（如力学性质变化）的改变提供了微观依据。     

用Monte-Carlo方法计算正电子湮没寿命谱中的衬底效应

用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法模拟计算了＾３２Ｎａ源的正电子在不同厚度Ｍｙｌａｒ膜,Ｎｉ膜衬底中的湮没几率,得出Ｓｉ,Ｆｅ、ＰＥ,ＰＰ４种样品在不同Ｍｙｌａｒ膜厚度下的衬底效应。结果,对ＰＥ、ＰＰ样品衬底铲应较Ｓｉ、Ｆｅ等样品强,表明用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法计算衬底效应是可行的。     

Irradiation effects on thermal diffusivity and positron annihilation lifetime in ceramics induced by neutron and 30 MeV electron

Measurements of thermal diffusivity and positron annihilation lifetime were performed on neutron- and 30 MeV electron-irradiated ceramics. Thermal diffusivity of heavily neutron-irradiated ceramics decreased to a very low level and the difference between specimens was small. Positron annihilation lifetime of these specimens also showed a distinct change; however, the difference between specimens was also small. Accordingly, in this study, electron irradiation was performed to 0.01–0.02 dpa via the 30 MeV KURRI-Linac. The electron-irradiated specimens also showed obvious degradation in thermal diffusivity and an increment in positron annihilation lifetime, and it was clarified that positron annihilation lifetime showed some correlation with thermal diffusivity.