测量InP和Ga_(0.47)In_(0.53)As的内价带吸收

内价带吸收(IBA)对确定长波长半导体激光器的微分量子效率是重要的,而对确定其阈值电流就不那么重要。在此,报道了洲量Ga_(·47)In_(·53)As和InP的IBA的频谱特性及IBA对温度的依赖性。测试材料两边是晶格匹配于InP的Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)组份。用半绝缘掺Fe衬底上生长的～15μm厚外延层,就能进行Ga_(·47)In_(·53)As的IBA测量。通过霍尔测景确定每种样品的载流子密度。从远红外到能隙所记录的吸收光谱表明,在1～2μm区间主要吸收是空穴从浓空穴带     

用液相外延技术制备单异质结AlGaAs/InGaP红色发光LED

采用超冷技术的液相外延方法在 n-型GaAs 衬底上生长了高质量掺 Te 的 Al_(0.7)Ga_(0.3)As/掺 Mg 的 ln_(0.5)Ga_(0.5)P 单异质结发光二极管。详细地介绍了未掺杂及 Mg 和Zn 掺杂的 ln_(0.5)Ga_(0.5)P 层的生长条件和特性。当 Mg 掺杂层中的空穴浓度为1×10~(18)cm~(-3)时光致发光强度最高。用电子束诱导电流,电流—电压测量,电致发光,光输出功率和外量子效率等评价了用异质结制备的二极管的特性。适当地控制 Mg 掺杂 ln_(0.5)Ga_(0.5)P 有源层的空穴浓度和 Te 掺杂 Al_(0.7)Ga_(0.3)As 窗口层的电子浓度,可使 p—n 结准确地定位在金属结上,p—n 结的定位由电子束诱导电流技术测量。通过电流—电压测量,获得了理想系数为1.65的1.5V 正向导通电压和高于20V 的击穿电压。在20mA 时, 发射峰值波长和电致发光光谱峰值和半最大值时的全宽度分别为6650和250(?)。用100mA DC 驱动时,未封装二极管的光输出功率达150μW,外量子效率为0.085％-0.10％。     

GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光《详细摘要》

一、实验实验用的激光器是从n-GaAs:Te衬底上生长一个比较厚的缓冲层(10～20μ)然后再进行多层外延生长得到的。典型的数据为N-Ga_(0.7)Al_(0.3)As∶Sn～2μ,P-GaAs∶Si～0.5μ,P-Ga_(0.7)Al_(0.3)As∶Ge～2μ,p-GaAs∶Ge～2μ。实验装置如图〈1〉。红外显微镜将激光器的端面象投影在狭缝上。激光器的结平面在X-Z平面内,狭缝的长轴沿Z方向,PbS探     

有机金属化学汽相淀积生长的626.2nm AlGaInP双异质结激光器的脉冲工作(300K)

有机金属化学汽相淀积生长的(Al_(0.55)Ga_(0.45))_(0.5)In_(0.5)P/(Al_(0.17)Ga_(0.83))_(0.5)In_(0.5)P/(Al_(0.55)Ga_(0.45))_(0.5)In_(0.5)P双异质结激光二极管实现了室温脉冲工作。激射波长626.2nm,是迄今报导的AlGaInP双异质结激光器的最短激射波长,腔长为200μm、条宽为20μm的激光二极管的阈值电流密度为50KA/cm~2。     

新的高速长波Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.47)In_(0.53)As多量子阱APD

一种新的长波(λ=1.3μm)超晶格雪崩光电二极管已工作。该器件结构为p~+in~+,是采用MBE生长的,在p~+和n~+Al_(0.48)In_(0.52)As透明层之间,由35个周期的Al_(0.48)In_(0.52)As(139A)/Ga_(0.47)In_(0.53)As(139A)多量子阱     

能获得均匀阈值电压的GaAs栅SISFET

<正> 日本电子综合技术研究所最近试制了一种以GaAs作栅材料的自对准增强型FET—SISFET,获得了均匀的阈值电压。制作方法是:在半绝缘GaAs衬底上,用分子束外延方法连续生长非掺杂的GaAs(1.35μm)、非掺杂的Al_(0.4)Ga_(0.6)As(4nm)、掺硅的N~+-GaAs(0.5μm)。掺硅层的载流子浓度为1×10~(18)cm~(-3),生长温度约为690℃,GaAs层的生长速度为0.68μm/h,AlGaAs层的为     

高效率Ku波段HBTMMIC功率放大器

<正> 这种MMICPA所用的器件结构是用MOCVD系统生长的,依次为1.5μm厚的重掺杂n-GaAs下集电极、0.7μm厚的掺杂为2×10~(16)cm~(-3)的集电极、5×10~(19)cm~(-3)碳掺杂基极(厚度80nm)、100nm厚的掺杂浓度为5×10~(17)cm~(-3)的Al_(0.35)Ga_(0.65)As发射极和200nm厚的掺杂     

分辨力500的AIGaAs-GaAs双波长光电探测器

一种分辨力500的Au—(N)Al_(0.07)Ga_(0.93)As—(n)GaAs肖特基势垒双波长光电探测器已研制出来。通过改变反向偏置,探测器的光谱响应范围可以从0.82μm变化到0.87μm。于是,这种二极管能够用来波分复用两种不同波长的光信号(0.8和0.85μm)。它为双信道通信系统提供了一个实用的探测器。该二极管是根据相邻的Au—AlGaAs肖特基势垒和AlGaAs—GaAs异质结的相互作用产生的能带重调效应而制作的。     

用MBE法生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的半绝缘Al_xGa_(1-x)As缓冲层

用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和Al_xGa_(1-x)As缓冲层组份之间的关系。当Ⅴ族与Ⅲ族元素束流强度比增加时,以Al_(0.4)Ga_(0.6)As层作缓冲层的击穿电压比以GaAs层作缓冲层的击穿电压要高得多,而且在Al_(0.4)Ga_(0.6)As上生长的GaAs有源层具有很高的质量。     

数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进

研究了In_(0. 83)Al_(0. 17)As/In_(0. 52)Al_(0. 48)As数字递变异变缓冲层结构(DGMB)的总周期数对2. 6μm延伸波长In_(0. 83)Ga_(0. 17)As光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP衬底上生长的In_(0. 83)Al_(0. 17)As/In_(0. 52)Al_(0. 48)As DGMB结构的总周期数从19增加到38,其上所生长的In_(0. 83)Ga_(0. 17) As/In_(0. 83)Al_(0. 17)As光电二极管材料层的晶体质量得到了显著改善.对于在总周期数为38的DGMB上外延的In_(0. 83)Ga_(0. 17)As光电二极管,观察到其应变弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致发光强度和光响应度均增强,同时暗电流水平被显著抑制.这些结果表明,随着总周期数目的增加,DGMB可以更有效地抑制穿透位错的传递并降低残余缺陷密度.     

共腔双区激光器的外量子效率

推导了共腔双区激光器的外量子效率,计算了GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH共腔双区激光器的外量子效率与注入电流的关系.测量了GaAs一Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH共腔双区波导激光器的外量子效率,实验结果和理论分析基本一致.     

高可靠性GaAlAs可见光MCSP激光器

研究了具有凹形有源层的CSP(平面沟道衬底)激光器作为数字音频唱片和光学视频唱片再现系统的光源,这种激光器被称为改进CSP(MCSP)激光器。本文着眼于有源层厚度和限制层的P-掺杂剂对激光器寿命的影响。同时发表了74只激光器的加速寿命试验结果。将有SiO_2半波长厚度单面保护层的激光器芯片P面朝下用Pb-Sn焊料烧结在热沉上。激光器腔长为300μm。从有源层厚0.025～0.06μm的30多块外     

In0.53Ga0.47As/InP高速光电二极管材料生长及光电性能

利用低压MOCVD技术制备PIN结构的InP基InGaAs外延材料。采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次Zn扩散、多层介质膜淀积、Au/Zn p型欧姆接触、Au/Ge/Ni n型欧姆接触等标准半导体平面工艺,设计制造正入射平面In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩光电二极管器件。该器件采用与InP衬底晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As材料做吸收层,InP材料做倍增层,同时引入InGaAsP梯度层。探测器件光敏面直径50μm,器件测试结果表明该器件光响应特性正常,击穿电压约43 V,在低于击穿电压3 V左右可以得到大约10 A/W的光响应度,在0 V到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右。光电二极管在8 GHz以下有平坦的增益,适用于5 Gbit/s光通信系统。     

808 nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器

设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,其发射波长为808 nm,腔长为900 μm,条宽为100μm.其外延结构与通常的808 nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层.对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阚值电流偏大、导通电压偏高的直流特性.经4 200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性.     

具有最小衬底电流的横向pnp GaAs双极晶体管

制造了注入铍确定发射区和集电区的横向pnp双极晶体管。注入期间,用SiO_2和光刻胶保护基区表面(1～2μm宽),以防止铍离子由此注入。退火期间出现的横向蔓延和扩散,减少了基区宽度,这可通过退火的温度和时间来调整。在n-GaAs有源层和衬底之间淀积一层n型Ga_(0.7)Al_(0.3)As层,铍离子穿透GaAs/GaAlAs界面,在发射区和集电区下面的GaAlAs层内形成了pn结。由于GaAlAs的禁带宽度较大,这就使通过寄生的发射极-衬底二极管的电流比通过GaAs pn结的电流降低了几个数量级。有效基区宽度为0.5μm的器件的共射极电流增益为10。     

半导体、准分子激光器

本文报导作者在美国佛罗里达大学用MBE生长技术研制品格匹配的Al_x Ga_(1-x)As/GaAs单量子阱激光器,波长为820～850nm和In_x Ga_(1-x)As/GaAs应变层单量子阱激光器,波长为900～1100nm,通过理论分析和MBE生     

自掩蔽结构的GaAs异质结双极型微波晶体管

本文提出了一种新型结构的Npn砷化镓双极型微波晶体管,该结构用一个两层的镓铝砷(Ga_(0.4)Al_(0.6)As/Ga_(0.7)Al_(0.3)As)来代替正常的单层作宽发射极用的镓铝砷(Ga_(0.7)Al_(0.3)As)。双发射极结构中的低铝(30％)层紧靠着基区,起宽发射极作用,保持了发射极异质结的良好匹配,并使管子的开启电压Von较小。高铝(60％)层和n~+GaAs顶层相配合,成为一个工艺上易控的选择性腐蚀系统,形成了自掩蔽结构。该结构使晶体管的结面减小,工艺简化,且取得良好的性能。     

0.35μm栅长的GaAs和GaInAs HEMT的理论比较

<正> 用GaAs/Al_(0.32)Ga_(0.68)As,In_(0.15)Ga_(0.85)As/Al_(0.15)Ga_(0.85)As和Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_(0.48)In_(0.52)As三种不同材料系统制作了栅长几乎都为0.35μm的HEMT,我们报道了对这三种HEMT性能所做的理论研究结果。采用综合Morite Carlo模型进行计算,该模型包括实空间转移的整个过程:二维电子气输运特性、不稳定输运及由Poisson方程独立解得到的二维电场分布。根据Ⅰ-Ⅴ特性、跨导和截止频率的测试结果,比较了每种器件的性能。采用这种方法可以完全区别材料参数对器件性能的影响,并将它们分别弄清楚。结果表明,采用InGaAs材料制作的器件的工作性能比传统的GaAs/AlGaAs器件好     

具有缓变带隙基区的双极晶体管

本文综合报导了第一只缓变基区双极晶体管。这个用MBE技术生长而成的器件有一个宽带隙Al_(0.35)Ga_(0.65)As发射区(n=2×10~(16)/cm~3)和一个厚度为0.4μm,其组分从Al_(0.2)Ga_(0.8)As线性变化到GaAs的p~+(=2×10~(18)/cm~3)基区。观察了该器件集电极特性,直流电流增益为35,曲线平坦,接近理想。缓变带隙基区的引入,由于电子感应的准电场作用,使基区渡越时间变得非常小,这就容许我们选择一个很好的方案来减小基区电阻。     

简讯

贝尔实验室的H.J.Stocker 等人用1:1:x(H_2SO_4:H_2O_2:xH_2O、10≤x≤500)作腐蚀剂形成台面In_(0.53)Ga_(0.47)As光电二极管,明显地降低了暗电流。该器件采用(100)InP:Sn或InP:S衬底,靠LPE生长4～7μm厚常规非掺杂n—In_(0.53)Ga_(0.47)As外延层(2～6×10~(15)cm~(-3),在400℃下使蒸发或电镀的Au—Zn和Au—Sn膜合金化10秒钟,形成欧姆接触。用1:1:50(H_2SO_4:H_2O_2:50H_2O)处理20秒的光敏面为6×10~(-5)cm~(-2)的台面光电二极管在10V下的暗电流从BrM处理的10nA降低到1nA。并且其电容仅