二次曝光全息干涉技术及其应用

本文对全息曝光技术进行了分析，给出了二次曝光的典型再现光路，并且对制造微电子集成电路上的应用作了展望。     

硅集成电路光刻技术的发展与挑战

从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战.同时,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明(OAI)、光学邻近效应校正(OPC)、移相掩膜(PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪(resist trimming)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍,并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述.     

硅集成电路光刻技术的发展与挑战

从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战.同时,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明(OAI)、光学邻近效应校正(OPC)、移相掩膜(PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪(resist trimming)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍,并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述.     

业界动态

台积电45nm工艺跑前头浸润式曝光显影技木新突破即将迈入量产阶段台积电指出,公司浸润式曝光显影技术所产出几乎零缺陷密度的芯片,己相当符合量产所要求参数标准,不久后可迈入量产阶段,而浸润式曝光显影技术正是台积电45nm工艺所采用主力工艺技术, 台积电不仅证实浸润式曝光显影技术的高合格率及     

双面对准曝光中关键技术研究

对双面曝光技术中的对准方式、曝光光源系统、对准工作台等关键技术进行了研究 ,并通过多年工作实践经验 ,对对准工作台的精度分析作了论述。     

纳米级电子束直写曝光的基础工艺

电子束光刻技术具有极高的分辨率，其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力。本重点对不同的抗蚀剂、电子束／光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究。     

光学投影曝光技术

光学投影曝光是目前 LSI 和 VLSI 中图形复印的主要方法。本文叙述1:1全反射投影曝光技术和缩小投影曝光技术的工作原理、性能、极限和装置,并对这两种方法作一比较。     

100 nm分辨率交替式移相掩模设计

讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层叠加曝光的方案,并针对分层叠加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得出了分层叠加曝光在100nm技术节点中也可以实现的结论。     

改善深亚微米光刻图形质量的途径

本文对目前用于提高亚半微以影光刻机成像分辨力、增大焦深的一些新技术；大数值孔径和短波长技术、倾斜照明技术、相移掩模技术、光瞳波技术，多焦面曝光技术以及表面成技术的和现状作了较为详细的阐述，提出了增大０．３５μｍ图表的分辨力和焦深的途径。     

岩石弹性参数的激光散斑自动化测量

以单光束散斑干涉计量技术对岩石样品作二次激光散斑曝光底片，通过逐点分析获得散斑干涉条纹归咎，应用计算机图像处理技术快速测量散斑条纹，实现岩石散斑的自动化测量。     

基于电子束光刻的LIGA技术研究

提出了基于电子束的LIGA(Lithographie，Galvanoformung，Abformung)技术新概念。根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀深度的影响进行了理论分析，并在SDS—2电子束曝光机上分别采用5keV、10keV、15keV、20keV、25keV、30keV等能量的电子束对国产胶苏州2号进行了曝光实验，得出了能量／刻蚀深度关系曲线。用5keV、30keV两种能量的电子束，通过改变曝光时间进行了曝光剂量对刻蚀深度的影响实验，得出了曝光剂量—刻蚀深度关系曲线。实验结果表明，增大电子束能量或增强曝光剂量，就可以增大刻蚀深度，证明了基于电子束光刻的LIGA技术不但是可行的，而且更易于加工各种带曲率的微器件。     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

新型单帘航摄焦平面快门

快门是控制感光介质曝光量的重要组件,为使航摄快门适应面阵CCD相机对空间结构上的要求,同时做到幅面曝光时间均匀、曝光时间调节范围大、并且曝光时间连续可调,设计了新型帘幕式快门。在分析了快门的曝光原理的基础上推导出快门有效曝光时间计算公式,并结合快门的有效曝光时间计算公式设计了单帘式快门,采用帘幕环绕面阵CCD的快门结构形式,快门帘幕采用四辊轴的结构形式,并利用正时带实现了快门的曝光功能,利用高斯误差合成对快门系统的精度进行了分析计算,得到系统的曝光精度为0.057。实验结果显示,快门能够实现1/50~1/250 s的曝光时间调节范围,通过光电法实验测得快门的曝光精度达到0.056,满足0.1的曝光精度指标要求。     

接触接近式曝光机曝光方式浅析及实例

不同的曝光方式适应不同的曝光工艺,对接触接近式曝光机的曝光方式进行了研究,分析了不同曝光方式适用的场合。并给出了一个通过改进曝光方式实现曝光工艺的成功实例,进一步证明了将产品生产工艺知识融入到半导体设备设计研发过程中的必要性。     

改造双极生产线Cr版代替明胶版光刻技术研究

本文叙述了用匀胶铬版制作光刻掩模代替超微粒干版制作光刻掩模的工艺过程，文中就图象发生器直接曝光匀胶铬及图象的黑白反转工艺作了较为详尽的介绍，对集成电路的光 刻技术有一定参考作用。     

PREVAIL--下一代电子束投影曝光技术

PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术，采用可变轴浸没透镜，对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在1mm^2子场的情况下，运用步进扫描曝光方式，在100nm临界尺寸下具有较高的产量，也EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有力竞争者。     

卡诺公司发表了具有划时代意义的半导体装置

卡诺公司是当代世界上首次将波长为200—260nm的远紫外光曝光技术运用于实际中去的。该公司运用远紫外曝光技术,成功地获得了最小线宽0.5mm的超微细图形。发表了能曝光5英寸片子的全自动的分离式半导体图形曝光设备“卡诺PLA——520FA”(接近式直线对准)。它是在已经发表了的“卡诺PLA——500FA”的基础上又发展了一步的新型图形曝光装置。该装置的曝光系统采用了远紫外光。它用激光和微型计算机控制,实现了光掩模和     

光刻机光强影响因素分析

曝光系统是接触接近式光刻机的核心部件,系统的曝光强度对光刻工艺有很大的影响。通过对曝光光路系统进行详细分析,对影响光强的各种因素进行了论述和计算,为进一步改善曝光系统光强指明了方向。     

纳米级电子束直写曝光的基础工艺

电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.     

纳米级电子束直写曝光的基础工艺

电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.