CEM-1覆铜板的研制

本文介绍了CEM-1覆铜板用环氧树脂的增韧改性、CEM-1覆铜板的制作及其性能。     

无卤型CEM-1覆铜板的开发

研究了采用含磷环氧树脂和氢氧化铝作为阻燃剂,开发出不含卤素和锑元素的无卤型CEM-1覆铜板。产品性能符合IPC-4101/4110标准,卤素含量达到JPCA-ES-01-1999标准要求。     

高导热高耐热CEM-3覆铜板的开发

本文重点介绍开发高导热高耐热CEM-3覆铜板的技术背景、技术路线和技术成果。     

成本优势促环氧复合基覆铜板发展

在环氧树脂覆铜板中除玻纤布覆铜板外，另一类是复合基覆铜板（Composite Epoxy Material）。该类产品虽然性能上有不足，但由于具有成本优势而在某些领域，也逐步在开拓自身的市场。复合基覆铜板包括CEM-1覆铜板、CEM-3覆铜板。中国环氧树脂行业协会专家介绍，按基材区分覆铜板主要产品有2大类：纸基覆铜板和玻纤布基覆铜板，其中纸基覆铜板主要用于电视机等家用电子产品，[第一段]     

含氮酚醛树脂的合成及其在环保型CEM—1覆铜板中的应用探索

介绍了一种含氮酚醛树脂的合成方法,并对其在环保型CEM-1覆铜板中的应用进行了初步探索。     

CCL覆铜板基材

日本KITANO公司FCCL扩产；生益科技受惠于大量新品及高中档产品；FCCL厂台虹科技加入软电联盟；住友电木CEM-3从静岗移至澳门生产；铜箔基板厂五月起营收将走高；无铅基材需求带动联茂业绩；[编者按]     

环氧玻璃布面玻纤纸芯覆铜板工艺浅析

该文简述CEM-3覆铜板的工艺路线和工艺要点。     

2007年度覆铜板行业调查统计分析报告

1．2007年全国覆铜板的总生产能力2008年3月,CCLA进行了一次较大范围的全国覆铜板生产能力的调查,信息来源是通过走访、网站、杂志及有关人员介绍,汇集了全国133家玻璃布基、CEM-3复合基、纸基、CEM-1复合基、挠性、铝基覆铜板厂家的资料。至2008年3月底前,全国刚性覆铜板的总生产能力达到3650万平方米／月,其中玻布基及CEM-3复合基覆铜板2509万平方米／月,     

高Tg阻燃硬质覆铜板的研制

将一种新裂多元胺裂苯并噁嗪与环氧树脂或阻燃剂进行复配．以KH560处理的平纹玻璃布为增强材料，制备了一种新裂的高Tg和高热稳定性的阻燃覆铜板基板。该苯并噁嗪具有优良的热稳定性和耐热性，通过与环氧树脂进行复配，其Tg仍大于208℃。该复合树脂体系起始分解温度（5％的热失重温度Td）大于365℃，800℃残炭大于45％。同时该复合体系的耐锡焊性能在288℃中大于360秒，阻燃性能达到UL94-V0或Ⅵ级。     

一种性能优异的毫米波温度补偿电路设计

采用温度传感器电压控制毫米波电调二极管,设计了一种新的毫米波温度补偿电路,与放大器增益链路的常用几种温度补偿电路相比较,其具有电路形式简单、温度补偿精确等显著特点.测试结果表明在-40℃~+70℃温度范围内毫米波增益波动1 dB,该电路对温度补偿电路的工程化使用具有重要意义.     

碲化镉和碲镉锌的深低温光致发光研究

本文报道了用热壁熔体法,布里奇曼法等多种工艺技术制备的 CdTe、Cd_xZn_(1-x)Te单晶体材料和薄膜材料在1.8K深低温下光致发光的测量结果.从光致发光谱中识别出(D~°,X)、(D~+,X)、(A~°,X)、DAP等一系列谱线.逐个分析了它们的物理起源,并由此进一步讨论了晶体中的残留杂质、缺陷、结构完整性、组份均匀性等与材料质量有关的问题.     

室温下Si/Si1-xGex共振隧穿二极管的数值模拟

采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0.23时,模拟结果的峰谷电流比为1.14,与实验结果相吻合.     

一类有序作业分组问题的数学模型

对于一批有特定加工次序要求的作业最少分组问题，提出了适当的实现方法，利用特殊的0-1规划，建立了一个适用的数学模型，并给出了相应的理论证明。数值试验表明提出的求解模型是有效的。     

A Novel Room‐Temperature Multiferroic System of Hexagonal Lu1−xInxFeO3

In the present work, h‐RFeO₃ multiferroic ceramics are designed and created by introducing chemical pressure (In‐substitution for Lu) in LuFeO₃. Lu_1?xIn_xFeO₃ (x = 0‐0.75) ceramics are prepared by the standard solid‐state reaction process. The crystal structure of the present ceramics is tuned from centrosymmetric Pbnm (x = 0) to non‐centrosymmetric P6₃cm (x = 0.4–0.6), and subsequently to centrosymmetric P6₃/mmc (x = 0.75), while the Pbnm and P6₃cm biphase structure is detected for x = 0.25. The Curie temperature for the polar P6₃cm (x = 0.4–0.6) phase decreases from >1000 to ≈550 K with increasing x. Cloverleaf ferroelectric domain structures are determined in polar Lu_0.5In_0.5FeO₃ samples, and the ferroelectric domain walls at atomic scale are evaluated by the aberration‐corrected high‐angle annular dark‐field scanning transmission electron microscopy (HAADF STEM), where the spontaneous polarization of 1.73 µC cm^?2 is determined for x = 0.5. The spontaneous polarization is also confirmed by calculating the site displacement from the centrosymmetric phase based on the X‐ray diffraction (XRD) data. Meanwhile, two magnetic transitions are determined for all compositions, that is, paramagnetic to antiferromagnetic transition at Néel temperature T_N (≈350 K for x = 0.4–0.6), and antiferromagnetic to weak‐ferromagnetic transition at spin‐reorientation temperature T_SR. The co‐presence of ferroelectric and antiferromagnetic orders confirms the present ceramics as promising room‐temperature multiferroic materials.     

两端镜像对称缺陷三元光子晶体的特性研究

运用光学传输矩阵理论,研究了两端镜像对称缺陷层一维三元光子晶体的光传输特性,并比较了一维三元光子晶体与一维二元光子晶体的禁带特性.数值模拟结果得出:一维三元光子晶体的禁带明显宽于二元光子晶体;且在三元光子晶体两端加相同缺陷层后,禁带展宽的同时出现了多个窄的透射峰.考察了影响透射峰的主要因素,缺陷层的折射率越大,透射峰越尖锐;缺陷层的光学厚度在500 nm到800 nm范围内,缺陷层的光学厚度越大,透射峰越尖锐,且向长波方向移动;光子晶体的周期数越大,透射峰越尖锐,且透射峰的个数增加.这种结构可用来实现多通道窄带滤波器,通过调节各个参数可得到所需要的波长以及通道数目的窄带滤波器.     

考虑库仑散射屏蔽效应的Si1-xGex pMOSFET低场空穴迁移率模型

在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用,由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正。并且详细讨论了等效体晶格散射迁移率随掺杂浓度Nd和组分x的变化。利用该模型,对影响空穴迁移率的主要因素进行了分析讨论。通过模拟得出,增加组分x可以显著提高等效体晶格散射迁移率,从而可以提高PMOSFET的空穴迁移率。