新型高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4447

Linear Technology推出高速同步MOSFET驱动器LTC4447,该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。该驱动器加上功率MOSFET和一个凌力尔特公司的DC／DC控制器,就可组成一个完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型DC/DC转换器。     

凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4447

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4447,该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这个驱动器加上功率MOSFET和一个凌力尔特公司的DC/DC控制器,就可组成一个完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型DC/DC转换器。     

A3942：四通道MOSFET控制/驱动器

Allegro推出新款四通道高端MOSFET控制／驱动器IC，完善其现有汽车MOSFET预驱动器系列。Allegro A3942旨在通过使用电流源拓扑的门极驱动器输出，驱动高端配置中的四个N通道MOSFET。A3942通过使用该拓扑，无需使用门级电阻器和自举电容器。该新型器件包含在系统控制器和不同大电流负载之间提供高效接口所必须的模块内，汽车引擎控制系统一般安装有该类负载。A3942设计于极大电压范围（4．5V至60V）和全汽车温度范围内运行，适用于12V和24V引擎控制系统。     

凌力尔特推出100V高速同步N沟道MOSFET驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology）推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压（100V）、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。     

瑞萨发布第二代“集成驱动器MOSFET”

瑞萨科技公司宣布推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端功率MOSFET的R2J20602NP,可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器(VR)。样品供货已从2006年12月在日本开始。R2J20602NP符合英特尔公司提议的“集成驱动器MOSFET(DrMOS)”封装标准。它集成了一个驱     

电源

DC/DC转换器简化了负载点电源设计 DC/DC转换器TPS54350集成了高端MOSFET和一个可选的低端外部MOSFET门驱动器,高性能电压误差放大器可最大限度地提高瞬时条件下的性能,支持高效率同步或低成本非同步操作,带有互动软件开发工具和评估模块。     

Allegro推出新款汽车级三相MOSFET预驱动器IC

Allegro宣布推出新款汽车级三相MOSFET预驱动器IC,专为在电动助力转向系统中常见的BLDC电动机、发动机风扇、变速箱作动器和液压泵设计。Allegro A4933主要用于高功率、高扭矩和高温相结合的情况下,需要MOSEFT预驱动器的极端应用,MOSFET预驱动器可提供大型MOSFET门极驱动器和切换能力。     

预充电电容器确保高端启动

在高端MOSFET驱动电路中,当使用一只高压电桥驱动器时,如IR2110或较新型的IR2155,完整的驱动电路在加上电压时就会出现不稳定的现象。主要问题出在自激(bootstrap)电容器上,就是说,这种电容器在加上电压时会产生放电。这样,飘动的电压无法实现其驱动高端     

研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET驱动器

研诺逻辑科技有限公司宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V其半桥双金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。AAT4910双MOSFET驱动器采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。     

数控扩音器前置放大器PGA2500

MAX8546是MAXIM公司的一款低价高性能的电压模式PWM降压变换控制器，可以使用廉价铝电解电容或钽电容作输出电容。该器件在2.7V～28V的输入范围内无需额外的偏置电源。其内置的自适应NMOSFET驱动器可在监测到低端MOSEET完全关断后才打开高端MOSFET，因此从根本上消除了上下MOSFET贯穿的情况。MAX8546具有完整的保护功     

产品

通用IC瑞萨推出集成了驱动器和MOSFET的高效微型系统级封装瑞萨科技近期发布了一款集成了驱动器和MOSFET的系统级Driver-MOSFET Integrated SiP。该器件集成了一个驱IC和同时具备高端及低端功能的两个功率MOSFET,可提供引脚封装。适用于PC和服务器用CPU开关操作管理的稳www.renesas.comADE7760和ADE7761增加防窃电检测功能美国模拟器件(ADI)公司新推出的电能计量芯片ADE7760 和输入为5 V单电源、20 mW功耗,在500:1电流动态范具有小于0.1%增益误差。新增加的防窃电检测功能可以减,适用于家庭住宅防盗电电能表。Infineon…     

为IGBT和MOSFET馈电的高端驱动器

图1 使用这种低成本电路可驱动高端FET或IGBT。图1所示是可以为脉宽调制器与高端IGBT(绝缘栅双极三极管)或MOSFET开关之间提供接口的中小型电源系统。当采用ICL7667或MIC4423等FET驱动器作为缓冲器时,可以将其作为TTL或CMOS电路与H桥的接口。当OA为正时,D_1导     

麦瑞半导体推出新型85V全桥MOSFET驱动器

正麦瑞半导体公司(Micrel Inc)推出一款85V全桥MOSFET驱动器MIC4606,该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。2013年推出的极其成功的85V MOSFET驱动器系列的成员,专注于满足多种应用不断增长的电力需求。85V MIC4606     

国际整流器公司（IR）宣布推出200V双智能型二次侧整流器驱动器IC

国际整流器公司（简称IR）扩展其Smart Rectifier IC系列,推出为AC—DC功率转换器设计、适用于高端液晶电视的IR1168。这款200V双智能型二次侧整流器驱动器IC,用于驱动在共振半桥拓扑上作为同步整流器（SR）的两个N通道功率MOSFET。与传统的变流器SR方式相比,IR1168能够基于接近零电流转换的MOSFET漏极感应电压而准确判断启动或关闭,因此剔除了额外组件,简化设计。     

Sealing公司单极步进电机控制器

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出IR5001S通用高速控制器／N沟道功率MOSFET驱动器，用于高性能有源ORing电路。这款有源ORing集成电路采用SO-8封装，配合外置MOSFET一起使用，可取代传统的二极管ORing，既能显著提升效率，又可降低功耗。许多高端系统，诸如运营商级通信设备、电信和数据通信系统服务器等，需要不间断运行，而有源ORing正好可以满足他们的需要。     

FAN3XXX系列高速低端MOSFET驱动器概述

FAN3XXX系列是飞兆公司 (FAIRCHILD)2007年10月推出的新产品,是一种高速低端MOSFET驱动器系列.该系列各种驱动器与PWM控制器及功率MOSFET组合可设计出各种高频、大功率开关电源.     

麦瑞半导体推出新型85V全桥MOSFET驱动器

正高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司(Micrel,Inc.)近日推出一款85V全桥MOSFET驱动器MIC4606,该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。这款元件是麦瑞半导体最初于2013年推出的极其成功的85V MOSFET驱动器系列的成     

元器件与组件

MLP封装的ULTRAFET器件；无卤素树脂二极管；针对CPU稳压器的集成驱动器MOSFET;用于照明系统的MOSFET；采用WL-CSP封装的功率MOSFET。     

升压／降压开关稳压器LM5118

LM5118的效率为95％,可设定开关频率最高可达500kHz,在停机模式时的电流极低。此外,LM5118可以在降压和降压／升压两种模式之间平稳地切换。若输入电压远远高于已调整输出电压,LM5118芯片便会执行降压稳压器的功能,但若输入电压降至接近输出电压的水平,芯片便会逐渐改用降压／升压模式。此外,LM5118芯片内置的多个驱动器可以分别支持高端降压MOSFET及低端升压MOSFET。     

针对应用选择正确的MOSFET驱动器

目前,现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多,达使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程.