SRAM的高成品率优化设计技术

提出了一种嵌入式SRAM的高成品率优化方法:通过增加冗余逻辑和电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元。利用二项分布计算最大概率缺陷字数,从而求出最佳冗余逻辑。将优化的SR SRAM64 K×32应用到SoC中,并对SR SRAM64K×32的测试方法进行了讨论。该SoC经90 nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6 mm×5.6 mm,功耗为1997 mW。测试结果表明:优化的SR SRAM64 K×32在每个晶圆上的成品数增加了191个,其成品率提高了13.255%。     

一种新颖的高可靠CMOS SRAM 单元

本文提出了一种新颖的8管抗SUE,高噪声容限的SRAM单元。通过在每个访问晶体管上增加了一个并联的晶体管,上拉PMOS的驱动能力可以设计的比传统单元的PMOS的驱动能力更强,读访问晶体管可以设计得比传统单元的读访问晶体管更弱。因此保持,读噪声容限和临界电荷都有较大提高。仿真结果表明,与传统的6管单元相比,合理设计上拉晶体管尺寸后,临界电荷提高了将近3倍。保持和读静态噪声容限分别提高了72%和141.7%。但该新式单元的面积额外开销为54%,读性能也有所下降,适用于高可靠性应用,如航天,军事等。     

赛普拉斯新异步SRAM：SRAM

赛普拉斯半导体公司推出具有错误校正代码（ECC）的16Mb快速异步SRAM。片上ECC功能可使新的SRAM具有高水准的数据可靠性,而无需另外的错误校正芯片,从而简化设计并节省电路板空间。该器件可确保工业、军事、通信、数据处理、医疗、消费电子和汽车等应用领域里的数据安全。     

高增益微波低噪声微带集成化晶体管放大器

本文叙述2千兆赫波段、增益70分贝以上的微带集成化晶体管低噪声放大器的设计制作。实验测试结果:放大器噪声系数为4分贝上下,3分贝带宽为200兆赫。放大器具有体积小、耗电量低工作稳定的特点,对于改进微波技术工作是很有意义的。     

超高速高电子迁移率晶体管集成电路研制概况

叙述了最近几年来国外研制超高速高电子迁移率晶体管集成电路的进展情况。现在用该器件做成了直接耦合场效应晶体管逻辑电路,在77K下,环形振荡器的延迟时间已经缩短到5.8ps/门,1/2分频器的输入频率是13GHz。因此,研制结果表明高电子迁移率晶体管是当前已知的半导体器件中速度最快的一种器件,这种器件非常适合制造高速LSIC,对开发超高速电子计算机有重要意义。     

新概念SRAM

<正>据日本《电视学会志》1989年第1期报道,日本东芝公司在实验中首先发现双极晶体管具有双稳态特性,并根据这种现象研制成由两种器件构成的新概念SRAM.该公司着眼于减少构成SRAM的器件数,根据偏置条件(基极和收集极电压)使双极的基极电流反转,发现并确认所产生的双稳态特性.具体情况是:基极电压在0.5V以下和0.9V以上时,电流从基极向发射极流动,在0.5～0.9V范围内电流从收集极向基极反向流动.为了存贮信息,以前的SRAM单元由双稳态多谐振电路的6个元件(4个MOS晶体管     

SRAM新结构

<正> 据有关方面报道,国外5家半导体公司(Cypress Semiconductor,Integrated Device Technology,MicronTechnology,NEC,三星电子)最近发表了 SRAM 新型结构(QDRⅡ/DDRⅡ)。实现了333MHz 的工作频率。封装也趋于最佳化:13mm×15mm FBGA 封装,实现了165 I/O。采用该结构的18位 QDRSRAM 正处于评价之中。预计2001年第4季度开始出样品。     

低功耗绝热SRAM

文章提出了一种新的绝热电路,并以该绝热电路为驱动,设计了一种低功耗绝热SRAM.由于所提出的绝热电路能以完全绝热的方式回收位线和字线上大开关电容的电荷,因此使该SRAM的功耗大大减小.我们采用0.25μm TSMC工艺,在时钟频率25～200MHz范围内对绝热SRAM进行了能耗和功能的HSPICE仿真,结果显示,与用传统的CMOS电路设计的SRAM相比,可节能80%左右.     

网络应用中的SRAM

引言同步S R A M的传统应用领域是搜索引擎,用于实现算法。在相当长的一段时间里,这都是SRAM在网络中发挥的主要作用。然而,随着新存储技术的出现,系统设计师为SRAM找到了新的用武之地,如:NetFlow(网流)、计数器、统计、包缓冲、队列管理和存储分配器。如今,人们对所有路由器和     

用于ECL超高速电路的高阻多晶硅隔离工艺

分析了高阻多晶硅隔离的电学和工艺可能性,介绍了用高阻多晶硅隔离制造ECL超高速电路的主要工艺技术和结果,分析了这种隔离结构的某些特点和优越性。     

36．Mbit／18-Mbit SRAM：SRAM

赛普拉斯半导体公司推出新型36．Mbit和18-Mbit容量的四倍速（QDR）和双倍速（DDR）SRAM。这些新的存储器件是65-nm同步SRAM,最高容量可达144Mbit,速度最快可达550MHz。     

QDR-IV：SRAM

赛普拉斯半导体公司推出四倍速（QDR-IV）SRAM。赛普拉斯的QDR-IVSRAM有144Mbit和72Mb．1两种容量,可满足下一代交换机和路由器的100-400Gigabit线卡对随机传输速率的要求。     

无线芯片在高集成化中寻找机遇与困惑

本文从多个角度介绍了在无线芯片日益高集成化的趋势下，各种无线技术集成在一起带来的市场发展新机遇以及遇到的具体问题，力求从多个公司的角度探讨无线芯片未来发展的主要方向。     

集成化激光器

最近，英国标准电讯实验室的科学家成功地把产生激光所需的电流强度降至目前最低的“阀值”。他们取得的20℃时的4.5毫安的电流强度，是1.3微米波长半导体激光的最低阈值。     

超高速化合物半导体器件：InP基高电子迁移率晶体管

以高电子迁移率晶体管，异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点，封装，测试及其应用。     

超高速MODEM

生命短暂,稍纵即逝！超高速调制解调器能使您以极高的速度冲入Web世界。