砷化镓双异质结高速开关晶体管

本文描述了NpN GaAs双异质结双极型晶体管的设计和制作工艺。给出和分析了这种晶体管的直流特性和开关特性。饱和压降小、开关速度快、能双向运用是这种晶体管的三个主要特点,文章对三种GaAs开关晶体管的优缺点进行了对比和分析。分析的结果表明,对高速开关双极晶体管来说NpN-GaAs双异质结晶体管是最理想的。     

了解这些 就可以搞懂IGBT

<正>绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件,主要用作电子开关,在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管,将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用,如开关电源、牵引电机控制和感应加热。     

意法半导体(ST)推出开关电源用PowerMESH绝缘栅双极晶体管获得专利的器件布局,实现高频开关操作

意法半导体日前推出一系列Powe rMESH绝缘栅双极晶体管,新系列产品为家电电机控制、功率因数校正和电磁加热应用专门设计.V系列绝缘栅双极晶体管采用一项与载流子寿命控制相关的带状布局专利技术,这项技术能够改进器件的集电极-发射极饱和电压特性,同时还能够降低开关损耗,从而使个系列产品适合高达50KHz的开关应用.     

宽温区晶体管研究

通过版图设计,成功地把双极型晶体管(BJT)和双极模式静电感应晶体管(BSIT)有机结合在一起,构成BJT-BSIT组合晶体管。BJT电流增益具有正温度系数,BSIT具有负温度系数,利用这两种相反的温度特性,使BJT-BSIT的温度特性得到了改善。实验和理论都表明采用这种器件结构,是实现晶体管宽温区工作的很好途径。     

砷化镓肖特基势垒场效应晶体管X和Ku-波段放大器

一、引言近年来GaAs工艺有了很大的进展,目前已能制造栅长小于1微米的GaAs肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)。这种器件的最高振荡频率要比双极晶体管高得多。本文只对中描述的MESFET的特性进行简单的讨论,并对低温下MESFET的噪声特性给予评价。其目的是为了证明,GaAs MESVET非常适合于X和Ku波段的宽带运用。利用测得的器件的散射参数,宽带放大器已用比较简便的互作用计算机程序完成了设计。这种计算表明,用简单的匹配网络可得到具有较大带宽的MESFET放大器。除了此最佳的微波双极晶体管有更好的噪声和增益特性之外,     

东芝公司试制出双极形MOS FET

东芝公司首次试制了一种新颖结构的双极MOS FET,这种新结构的晶体管兼 备有MOS FET的高速响应及双极晶体管的大电流控制特性,器件可用于自动控制等要求大电流控制的地方。 本FET就是利用电压控制的MOSFET原理的电导率调变现象,考虑了漏极区域的低阻抗特性的器件。试制器件有耐压为500V和1,000V两个品种,通导     

金槽BSIT：一种新型静态感应晶体管

功率型静态感应晶体管BSIT是一种高频、高速的功率场控制器件,它既具有功率MOS管一样高的开关速度,又具有双极晶体管一样低的导通压降。它不会发生功率MOS管那样的静电击窗,也不会发生双极晶体管那样的二次击穿。它具有很大的过电流能力,有很宽的安全工作区,是一种非常优良的功率开关器件。     

用超小型铁芯控制的DC—DC变换器

一、概述 DC—DC变换器的体积和重量主要取决于变压器,平滑滤波器的大小。为了实现变换器的小型化,必须提高开关频率。高频变换器设计的中心问题是加快开关速度,减少开关损耗。这可从两方面着手;第一,选择快速开关器件,例如功率场效应管等;第二,改善功率开关的激励方法。后者也可使双极性晶体管工作在很高的频率上。为了将频率提高到兆赫量级,必须减小可饱和铁芯的饱和磁通,使用在高频领域也有良好非线性特性的磁芯。本文介绍用无磁致伸缩的钻基非晶材料作可饱和铁芯,双极性晶体管作开关元件,开关频率在兆赫量级小型变换器及其实验结果。     

一种能与CMOS兼容的高频横向双极晶体管

本文介绍了一种能方便地实现与CMOS器件兼容的高频横向双极晶体管。与常规纵向双极晶体管相比,它能使BiCMOS技术具有更低的成本。器件性能也与常规高频纵向双极晶体管相仿。采用这种横向双极晶体管的BiCMOS门电路也与采用常规纵向双极晶体管具有同样优良的性能。     

采用MOS场效应晶体管的VHF高功率放大器

一、前言甚高频发射机用的固体化功率放大器必须要求高稳定、高可靠和维修检测方便。作为放大器件,至今主要还是采用大功率的双极型晶体管。近十多年来,这种管子的输出功率逐步提高。目前,输出功率300～800W的固体化功率放大器已投放市场。由于这种双极型晶体管有以下特性:(1)低电压、     

隔离栅及极性晶体管的驱动与保护

隔离栅双极性晶体管（Insulated Gride Bipolar Transistor）简称IGBT,作为一种新型的开关器件,它与以往的开关器件相比具有不可比拟的优点,正受到越来越多的电源设计人员的重视。简要分析了IGBT在使用中的一些注意事项。     

隧穿晶体管研究进展

随着晶体管尺寸不断缩小,CMOS电路的功耗问题变得日益严重。隧穿晶体管是一种基于载流子的隧道效应工作的器件,可以在室温下实现小于60 mV/dec的亚阈值摆幅,具有很好的低功耗应用前景。但常规的隧穿晶体管导通电流比较小,而且具有双极特性。首先介绍了隧穿晶体管的结构和工作原理。其次,针对常规隧穿晶体管问题,综述了国内外研究进展,包括Ge材料隧穿晶体管、纳米线隧穿晶体管等。最后介绍了一种基于隧穿介质层的新型隧穿晶体管,器件仿真结果表明这种新型器件可以有效抑制双极特性。     

Bi-CMOS双极型晶体管的研制

本文论述了在常规CMOS工艺下制作Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法及制造工艺.首先通过对Bi-CMOS双极型晶体管版图结构的分析,探讨了工作机理,阐明了采用标准CMOS工艺制作高性能Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法.然后,建立了分析计算晶体管直流特性的数学模型,并分析计算了工艺参数、器件结构对器件性能的影响,给出了CMOS工艺全兼容的Bi-CMOS双极型npn晶体管的最佳设计方案.采用常规p阱CMOS工艺进行了投片试制.测试结果表明,器件性能达到了设计指标;器件的电流增益在200以上,与理论计算完全一致.     

双极型TIL晶体管的设计与制造

介绍一种新颖的双极型功率器件—TIL晶体管的结构、设计原则与制造工艺.它由常规的n-p-n-n结构与同类型厚基区器件自体内并联构成,厚、薄基区两部分晶体管互相取长补短,各自发挥最佳作用,共同支配整个器件工作.TIL结构使晶体管基区厚度及基区杂质浓度和主要性能参数之间的制约得以放宽,提高了器件的电热可靠性、开关速度和耐压水平.     

四极并合晶体管及其特性研究

本文提出了一种新型的半导体器件——四极并合晶体管,并对其特性进行了测试研究和分析.测试研究结果表明,这种器件有比MOS管和横向pnp管更优越的性能.这种器件除可作开关和β可调晶体管外,还可广泛应用于集成电路等方面.     

MOS—双极功率半导体技术的进展

对曾经推动MOS栅控型新型功率晶体管工艺发展的一些新技术作了评述。这种器件技术的优点是有很高的输入阻抗而可用低成本集成电路控制这种器件。描述了这类器件中的两种类型——功率MOSFET和MOS-双极器件——运行的物理过程。分析了加工工艺和器件额定性能的发展趋势。由于这些器件性能优越,可望在未来完全取代功率双极晶体管。     

SOI横向栅控双极晶体管特性研究

横向SOI双极技术具有工艺简单、寄生电容小等优势,被认为是射频领域最有希望的技术之一。为了得到可用于射频领域的SOI横向栅控双极晶体管特性,采用一种SOI横向栅控双极晶体管器件结构,研究范围包括工艺实现过程和器件性能特性。实验表明,该器件工艺与平面CMOS工艺完全兼容,通过对栅端电压的控制,可以实现hFE在一个较大的范围内自由调节,具有更大的使用灵活性。     

双极型装控晶体管模型及原理

本文提出一种新的双极型压控晶体管模型，并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电，有较大的电流密度和功率，导电能力又受电压控制，具有较大的输入阻抗，兼有双极器件和ＭＯＳ场效应器件的特点。     

中国IGBT功率半导体器件产业观察

正IGBT是功率器件技术演变的最新产品,是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势,IGBT产品可以实现对以往功率     

硅光学双稳态(SOB)器件

利用作者近期研制的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT）或光电“∧”双极晶体管（PLBT）两种硅光电负阻器件,提出并成功地实现了一种新型的硅光学双稳态器件。即以PNEGIT（或PLBT）作为光的输入器件,以其驱动一发光管（LED）作为光输出器件,由于PNEGIT和PLBT都具有光电负阻特性,致使在输出光功率（Pout）-输入光功率（Pin）特性上出现逆时针方向的光学双稳回线。这种器件具有光开关、光逻辑、光放大、光存贮、光眼福等多种功能,扩展了硅光电器件在光逻辑、光计算、光通讯等领域中的应用。