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相似文献
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1.
MoO3在介孔分子筛MCM-41上分散和存在状态的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
在773K加热MoO3和MCM-41的机械混合物,可以实现MoO3分散在介孔分子筛MCM-41表面,用透射电镜和选区电子衍射,配合XRD和液氮温度下氮吸附-脱附曲线和BJH孔径分布,研究了活性组分MoO3在有序介 材料MCM-41上的存在状态,以及MoO3分散到MCM-41表面后MCM-41的结构变化情况。结果表明:当MoO3的含量小于单层分散阈值,加热后MoO3的XRD衍射峰彻底消失,用HRTEM观察不到分散在MCM-41表面或孔道中的MoO3颗粒,而EDS能谱证明在MCM-41的孔道中有呈分散态的MoO3存在。MoO3的含量大于单层分散阈值,通过加热不能使MoO3完全分散在MCM-41表面,而且XRD、HRTEM、氮吸附-脱附等温线和孔径分布都表明由于MoO3的分散量较大,载体MCM-41的有序介孔结构遭到破坏。  相似文献   

2.
温和条件下介孔分子筛MCM-41的修饰与表征   总被引:12,自引:0,他引:12  
在温和条件下,以3-氨丙基三乙氧基硅烷为偶联剂,修饰介孔分子筛 MCM-41(Si/Al=35),成功地将有机官能团引入到介孔分子筛孔道中,制备了一种无机一有机复合材料MCM-(CHNH,以 XRD、FTIR、DTA-TGA、 N吸附-脱附和 HREM表征了复合材料;结果表明:有机基团-(CHNH不仅进人孔道、修饰了MCM-41的孔壁,而且使介孔分子筛MCM-41保持了有序的孔道结构.  相似文献   

3.
纳米Au团簇在氧化钛修饰的介孔分子筛MCM-41中的组装   总被引:6,自引:0,他引:6  
以钛酸丁酯为TiO前驱体,使TiO均匀分散于纯硅介孔分子筛MCM-41的介孔孔道内表面,利用TiO光学性质将AuCl-4还原为Au(0)并组装于氧化钛修饰的MCM-41孔道中.对所合成的Au负载的氧化钛修饰的MCM-41进行了XRD,XPS,N吸附-脱附曲线,及固体UV-Vis漫反射等多种结构表征.由XPS谱和固体UV-Vis漫反射吸收光谱的plasmon吸收峰证明Au团簇呈现0价的金属状态.  相似文献   

4.
MCM-41介孔分子筛和纳米TiO2/MCM-41的合成与结构表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
以工业水玻璃为硅源,表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵为结构模板剂,利用室温晶化法合成出MCM-41介孔分子筛,并以钛酸丁酯为前驱体,通过溶胶凝胶法及液相沉积法对介孔分子筛MCM-41进行纳米TiO2的组装。运用XRD、FT-IR、N2吸附-脱附等表征手段对其结构特征和氧化钛分散状态进行了研究,结果表明:TiO2与MCM-41端基硅氧键反应形成Ti-O-Si键;纳米TiO2不仅进入孔道,较均匀地修饰了介孔分子筛MCM-41的孔壁,而且使介孔分子筛MCM-41仍保持有序的孔道结构。  相似文献   

5.
室温下介孔分子筛MCM-41的合成与表征   总被引:4,自引:0,他引:4  
在室温下 ,以十六烷基三甲基溴化铵 (CTABr)为模板剂 ,正硅酸乙酯和水玻璃为硅源 ,通过水热法分别合成出了性能优良的介孔分子筛MCM 4 1,并采用XRD、N2 吸附脱附、FTIR、SEM、热重等手段对合成的样品进行了分析表征。其结果表明 ,合成的固体产物具有MCM 4 1特有的六方排列的孔道结构 ,并且具有较高的有序度、比表面积、孔容和热稳定性  相似文献   

6.
以微硅粉为硅源,利用水热合成法成功制备出MCM-41介孔分子筛,利用XRD、N2吸附曲线和TEM等测试方法对样品进行了表征,结果表明,模板剂的用量对样品的结构具有显著的影响,当CTAB/SiO2的摩尔比为0.15时,样品的结构有序性最高;混合模板剂可明显提高样品的比表面积和孔容,合成的MCM-41介孔分子筛比表面积从299m2/g提高到837.3m2/g,孔容从0.051cm。/g提高到0.79cm3/g。  相似文献   

7.
聚苯胺/MCM-41介孔分子筛导电复合材料的制备及其表征   总被引:8,自引:0,他引:8  
利用MCM-41介孔分子筛单分散孔道特性作为"纳米反应器",在其孔道内合成聚苯胺.讨论了HCl浓度、(NH4)2SO8浓度和聚合温度对复合材料导电性的影响,得到最佳的聚合条件:HCl:1.5mol/L,(NH4)2SO8:1.0mol/L,聚合温度:15℃,此时的电导率为0.61s/cm.在最佳合成条件下,对聚苯胺/MCM-41介孔分子筛导电复合材料进行SEM、红外光谱分析.  相似文献   

8.
金属Pt团簇在氧化钛修饰MCM-41中的组装   总被引:4,自引:0,他引:4  
郑珊  高濂  郭景坤 《无机材料学报》2001,16(6):1235-1238
采用光沉积的合成方法将纳米金属Pt组装于氧化钛修饰MCM-41孔道中,并对合成的样品进行了XRD、XPS、UV-vis、N2吸附-脱附等结构表征.光电子能谱表明组装的Pt呈金属状态;N吸附-脱附数据表明组装于孔道中的Pt虽然使MCM-41的BET比表面和孔容下降,但是由于Pt的组装量较小,使其对孔径分布的影响较小.由于Pt的引入,使其紫外-可见光漫反射吸收光谱与氧化钛修饰的MCM-41不同.  相似文献   

9.
李酽 《材料导报》2004,18(9):15-17
介孔材料MCM-41具有规则孔道结构,在多相催化、吸附分离、复合材料、纳米组装等领域有着重要的学术研究与应用价值.其可以通过长链季铵盐、伯胺、双子胺或聚氧乙烯类表面活性剂胶束的模板作用,在多种不同的条件下合成.综述了MCM-41介孔分子筛近年来所取得的进展,介绍和讨论了各种合成工艺方法,归纳和分析了影响其合成的主要因素.  相似文献   

10.
在室温条件下,以3-氨丙基三乙氧基硅烷为前驱体,使有机官能团-CH2CH2CH2NH2修饰了硅铝介孔分子筛MCM-41(Si/Al=35),制备了无机-有机复合材料MCM-(CH2)3NH2.并通过XRD,DTA-TGA,FTIR,N2吸附-脱附对复合材料MCM-(CH2)3NH2进行了表征.  相似文献   

11.
热处理时间对三氧化钼在MCM-41表面分散状态的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
李正平  高濂  郑珊 《无机材料学报》2002,17(5):1073-1077
通过热处理实现了MoO3在介孔分子筛MCM-41表面的分散。用XRD和LRS研究了热处理时间对MoO3在MCM-41表面分散状态的影响,结果表明:随着热处理时间的延长,MoO3不断由聚集转变成分散态,在m(MoO3):m(MCM-41)=0.2:1、500℃热处理8h,就能基本实现MoO3在MCM-41表面的完全分散,而MCM-41的有序介孔结构仍然保持。BET比表面积、孔容和BJH孔径的测定结果显示在MoO3分散到MCM-41表面后MCM-41孔结构参数随热处理时间的延长变化不大。  相似文献   

12.
TiO_2在MCM-41内表面单层及双层分散的结构表征   总被引:6,自引:0,他引:6  
首次以有机物钛酸丁酯为前驱体,合成了TiO2呈单层分散状态(Ti/Si=0.20)或双层分散状态(Ti/Si=0.39)的介孔分子筛MCM-41(Si/Al=35),并以 XRD,FTIR,N2吸附-脱附,固体UV-vis 漫反射等表征手段对其结构特征和氧化钛分散状态进行了研究.结果表明: TiO2在介孔分子筛MCM-41孔道中分散, MCM-41骨架结构结晶度降低,但是附着二层TiO2后,仍能保持长程有序结构; TiO2与MCM-41孔道表面的SiO2以化学键连接,生成Si-O—Ti键;无论是单层还是双层分散的 TiO2在 MCM-41内孔壁均匀分散;且由于TiO2粒子的减小使其对紫外光的吸收发生明显的蓝移现象.  相似文献   

13.
TiO2在MCM-41内表面单层及双层分散的结构表征   总被引:4,自引:0,他引:4  
首次以有机物钛酸丁酯为前驱体,合成了TiO2呈单层分散状态(Ti/Si=0.20)或双层分散状态(Ti/Si=0.39)的介孔分子筛MCM-41(Si/Al=35),并以XRD,FTIR,N2吸附-脱附,固体UV-vis漫反等表征手段对其结构特征的氧化钛分散状态进行了研究,结果表明:TiO2在介孔分子筛MCM-41孔道中分散,MCM-41骨架结构结晶度降低,但是附着二层TiO2后,仍能保持长程有序结构;TiO2与MCM-41骨架结构结果度降低低,但是附着二层TiO2后,仍能保持长程有序结构,TiO2与MCM-41孔道表面的SiO2比化学键连接,生成Si-O-Ti键;无论是单层还是双层分散的TiO2在MCM-41内孔壁均匀分散,且由于TiO2粒子的减小使其对紫外光的吸收发生明显的蓝移现象。.  相似文献   

14.
镧系金属掺杂MCM-41分子筛的合成与表征   总被引:11,自引:0,他引:11  
采用溶胶-凝胶法制备并分析了掺杂铈、钕、铕、铒的MCM-41介孔材料,运用XRD、HRTEM、EDS和BET等方法考察了镧系金属元素掺杂对MCM-41结构的影响.研究结果表明,镧系金属元素掺杂到了MCM-41试样的骨架结构中.由于材料结构中的一部分Si4+被Ln3+所取代,介孔材料的有序孔道d值随着掺杂镧系离子半径的减小而降低,随着镧系元素掺杂量的增加而上升.  相似文献   

15.
Ti离子在介孔MCM-41中涂敷合成条件研究   总被引:1,自引:3,他引:1  
在空气环境中,以无水乙醇为中间介质,常温涂敷法合成了Ti-MCM-41介孔分子筛,实验研究了不同Ti/Si摩尔比和钛源等因素对Ti-MCM-41合成的影响.XRD研究表明,随Ti/Si摩尔比由0.01增加到0.10,衍射参数d100由3.98nm缩小为3.65 nm,100衍射峰强相对于MCM-41下降了33%~84%;以钛酸四丁酯和四氯化钛为钛源合成Ti-MCM-41时,100衍射峰强相对MCM-41分别下降了33%和59%;SAXS得到的Ti-MCM-41孔径与TEM照片的结果符合,好于N2吸附-脱附等温线方法得到的结果,SAXS、TEM、N2吸附-脱附等温线给出的孔径分别为2.00 nm、2.15 nm、3.60 nm.  相似文献   

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