ROHM的小型大功率低阻值分流电阻器系列产品阵容新增“GMR100系列”

全球知名半导体制造商ROHM面向车载、工业设备及大型家电等大功率应用的电流检测用途,开发出大功率低阻值分流电阻器'GMR100系列'并投入量产。本产品已开始出售样品(195日元/个:不含税),于2017年10月开始以月产100万个的规模正式量产。前期工序和后期工序的生产基地均为ROHM Integrated Systems(Thailand)Co.,Ltd.(泰国)。     

片式电阻器生产增长价格下降小型款式受宠

片式电阻器已成为电阻器市场的主流产品,尽管短期内它还不能取代传统的引线电阻器,但它在电阻器中所占的份额却在急速上升,1996年,日本固定电阻器中片式电阻器已占了86%。厚膜、薄膜、金属膜、金属箔等不同电阻芯子的低阻片式电阻器也纷纷上市。市场对高阻、低阻和高压片式电阻器的需求在扩大,电阻器的尺寸也在不断缩小。继1×0.5mm产品商品化后,0.6×0.3mm款式也已上市,并将进入批量生产。由2、4、8个1005型片式电阻器构成的电阻网络也已有市售产品。目前,制造商已在开发阻值高达10MΩ的1005     

DC-18GHz微波功率薄膜电阻器的设计及制作

设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃。实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25-125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃。     

无源与分立器件

VISHAY新型0805尺寸表面贴装POWERMETAL STRIP电阻器Vishay Intertechnology公司推出一款新型0.25W表面贴装Power Metal Strip电阻器,可提供卓越的过载及脉冲处理能力,同时其额定功率能够与较大的1206尺寸电阻器相媲美。该新型WSE0805电该新型WSE0805电阻器面积为0.080 英寸×0.050 英寸,最大厚度为0.025英寸的超小型0805 封装中,同时具备0.25W 的额定功率和10W~10,000W的电阻范围,这是业界首款在此封装中将这两方面性能相结合的器件。由于这种表面贴装组件可用于代替具有同等功率的较大组件,因此节约了板面空间,实现了更小…     

ROHM开发出比以往产品小50%的世界最小晶体管“VML0604”

正日本知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种要求小型和薄型的电子设备,开发出世界最小尺寸的晶体管"VML0604"(0.6mm×0.4mm,高度0.36mm)。本产品已于2013年10月份开始出售样品(样品价格80日元/个),计划于2014年6月份开始以月产1000万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为     

一种新的厚膜电阻器脉冲电压调阻法

电子器件用长宽尺寸小于0.5mm~2的厚膜电阻器的脉冲电压调阻法(PVTM),实现了非刻槽技术、该方法采用粗调(加大峰值脉冲电压)和细调(增加脉冲组数)相结合,既不会损伤电阻器表面,又能保证阻值精度小于1%,同时大大改善了电阻器的高频特性和电流噪声。电阻器调阻后在功率调节能力方面也无损失。这些优点是通过增加传导路径数而获得的。     

元器件与组件

正用于智能手机、可穿戴设备的低阻值贴片电阻UCR006是0201 inch(0.6mm×0.3mm)的厚膜型产品,实现了超高级别的低阻值100mΩ,有助于设备的节能化。另外,作为低阻值范围的0201 inch贴片电阻器,实现了-55~+155℃的使用温度范围,可支持更广泛的应用。而且,额定功率保证0.1W,达同尺寸通用产品的2倍。该产品同时具备低阻值化与大功率化,使0402inch(1.0mm×0.5mm)的替换更加容易,还有助于设备的小型化。另外,该产品采用罗姆独有的修整技术,使实现低阻值时面临的课题——电阻值容许差实现1%(F级);采用背面贴装结构,     

在工程设计中如何选择电阻器

本文不仅从理论上阐述了电路设计，制造时应从哪些方面对电阻器提出要求而加以选择，并针对实际电路，讲述了选择电阻器的具体方法，为设计和制造造质优价廉的电子设备提供了可靠的保证。     

TT线绕电阻

TT Electronics公司的IRC Wirewoundand Film Technologies分部推出了一系列采用无铅搪瓷涂层的电源线绕电阻，可正常工作于恶劣环境和工业高温环境，满足高浪涌使用要求。该产品具有牢固的结构，以增强其在极端恶劣条件下的稳定性和可靠性。这些W20系列电阻器的额定功率为3W、5W、7W、10W和14W，最大元件电压为100V到750V，     

CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究

采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得到具有一定表面平整性的基片。基于处理后的铁氧体基片制作的TaN薄膜功率电阻器的功率显著提高,从1 W提升到了2.5 W。     

激光微调薄膜片状半固定电阻器

为了满足电子产品对体积小、可靠 性高的半固定电阻器的需求,日 本进工业公司开发出薄膜可调片状电阻器。 半固定电阻器具有可变机构,可能会因振动与冲击而发生结构变化,而且,其接点为机械性接触,难以保持其长期稳定与可靠。另外,在实际用于电路时,自动调整电路需要使用高水平的自动设备,成本相当高昂。     

Vishay多元化发展 提供“一站式”服务

Vishay创办于1962年，主要业务是制造和行销箔电阻器，公司以箔电阻器和应变测定仪作为起始产品开始营运。1985年渐渐起步并进军国际成为这些原始产品的世界领导制造商，Vishay也开始实行一系列的策略性收购行动以扩大其产品范围。今天，Vishay是多样化产品的制造商，业务遍布全球各地。它是世界最大的分立半导体和无源电子组件制造商之一。     

业界最小的3W电流敏感电阻器

LRF3W系列厚膜贴片式电阻是业界最小的3W电流敏感电阻器,而标准1225大小的贴片式电阻其额定功率一般只有1W。该系列电阻器采用基于陶瓷的结构和四端的开尔文连接方式,阻值最低可达0.003欧姆。 该系列器件比一般的同类器件可承受更高的功率,阻值又很小,因此适合应用于自动电流感应、电池充电     

厚膜指数型电阻器特性阻抗的设计

本文主要阐述作为电视差转机端接吸收负载的厚膜指数型电阻器,它不仅能在高频1000MHz下工作,而且其电压驻波比不大于1.22。主要技术指标为直流电阻值,R 50Ω±5%工作频率,f 1GHz交流阻抗,Z_0 50Ω电压驻波比,VSWR≤1.22功率,P 50W对于工作在高频下表现出集中参数的阻抗元件,我们通过用微带设计原理和厚膜工艺技术二者相结合而制作的厚膜指数型电阻器,使得厚膜产品跨出了直流工作的范畴而进入了更为广泛的应用领域。     

大功率半导体玻璃釉电阻器

这是一种采用新配方的大功率电阻器。它具有高比功率(达1.6W/cm~2),耐高温(表面工作温度允许达500℃),和较低电阻值(2Ω)的优点;作为大功率、耐浪涌、耐高温电阻器,它已受到用户的欢迎。下面是该电阻器技术指标、材料组成和生产流程的梗概。     

介绍一种片式厚膜熔断电阻器

介绍一种片式厚膜熔断电阻器膜层熔断区域的形状,当功耗增加到4W时,电阻体中心的温度;电阻膜层所用材料;压变效应;并讨论这种电阻器的稳定性。     

罗姆世界最小级别贴片电阻器SMR003量产

正在上海举办的慕尼黑电子展上,著名半导体厂商ROHM(罗姆)展示了已经量产的世界最小级别贴片电阻器SMR003,实现了世界上最小的贴片尺寸03015尺寸(0.3mm×0.15mm)。此外,世界最小级别超低阻值贴片电阻器PMR006(尺寸规格0605)正在研发中。据介绍:SMR003通过采用具有卓越耐腐蚀性的金电极实现焊锡性以及可靠性,芯片尺寸精度从±20μm大幅提高到±5μm,可使用现有的自动贴片机     

片式电阻器阻值命中率的研究

片式电阻器在生产中多次印刷、烧结,使其发生工序阻值变化,影响产品最终的阻值命中率。本文通过对电子浆料和工序因素的分析,设计了先行试验方案,提出了工序中应控制的因素,为片式电阻器生产过程控制、提高阻值命中率提供了依据。     

电子系统中电阻器的选用原则

本文在对电阻器（固定型）主要特性参数分析的基础上，总结了电子线路设计中选用电阻器的一些重要原则。对保证和提高电子整机系统的精确性。可靠性有较强的实用价值。     

AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究

利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm~2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基片的表面特性及散热能力。带AlN薄膜缓冲层的TaN薄膜电阻器的功率密度可达3.76 W/mm~2。