IR推出20V至30V的全新StrongIRFET系列 为高性能运算和通信应用提供极低导通电阻

正全球功率半导体和管理方案领导厂商—国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20~30 V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻(RDS(on))。IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装,导通电阻典型值只有500μΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适合     

IR推出20V至30V的全新StronglRFET系列为高性能运算和通信应用提供极低导通电阻

全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供20～30V的器件。IRL6283M20VDirectFET是该系列的重点器件，具有极低的导通电阻（RDS（on））。     

IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列产品

正2014年8月国际整流器公司(IR)推出高性能600 V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管(IGBT)IR66xx系列产品。坚固可靠的新系列器件可提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在优化焊接应用产品。器件采用新技术将导通损耗和开关损耗降到最低,并与软恢复低Qrr二极管一起封装。600 V     

IR StrongIRFET MOSFET新增60 V器件

正全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。全新60 V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻(RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪     

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

正2014年10月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET—SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650 V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源(SMPS)里将起到节能的重要作用。     

IR全新30V DirectFET同步MOSFET-IRF6612 30V

功率半导体供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET,新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装.IRF6612兼具低导通电阻(4.4mOhms@VGS=4.5V)和低封装电感,体现最佳性能组合,可用作非隔离直流-直流转换器中的同步整流器,大幅提升笔记本电脑和服务器的效率.IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流,适用于网络及通信领域.     

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源（SMPS）里将起到节能的重要作用。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

IR的电池保护MOSFET系列为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案

全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道Direct FETMOSFET。 全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20 V和30 V器件,最高栅极驱动从12Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。     

Vishay推出第三代功率MOSFET

日前,Vishay推出一款新型20Vn通道器件SiR440DP,扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装,在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。     

Vishay出新型20Vn通道功率MOSFETSiR440DP

日前,威世推出一款新型20Vn通道器件SiR440DP,扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装,在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。     

效率高达95%的200V DirectFET MOSFET

国际整流器公司(IR)新推出的200V DirectFET器件是应用于专为36V～75V通用输入范围内操作的隔离式设计DC/DC转换器。其超低的51mΩ典型10V导通电阻RDS(on)及减低了的栅极电荷,使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载     

Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族

日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE)宣布,其E系列器件新增650 V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装,将10 V下的导通电阻扩展到30～600 mΩ,将最高电流等级扩大为6～105 A。650 V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术,针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用,Vishay     

美国电力电子会议展示最新的功率器件和集成电路

2003年11月初在美国加州举办的电力电子会议展示了最新的关键功率器件和IC,参展的主要公司有Cree、英飞凌、IR、Philips、Siliconix、东芝、STM和ABB等。半导体器件方面,英飞凌公司展示了用OptiMOS工艺制备的30VN沟MOSFET系列。该器件在4.5V栅压时最大导通电阻Ron=     

IR超低R_(DS(on))AC-DC同步整流MOSFET

计算机微处理器的运算速度越来越快,功耗也越来越大。IR 公司(国际整流器)针对下一代数字系统开发了一组电压为75V 和100V,专用于AC-DC 同步整流和Oring 电路的MOSFET(如表1 所示)。新系列器件具有超低导通电阻R ,能极大优化笔记本电脑、 DS(on)LCD 适配器和服务器等应用     

30 V沟槽MOSFET优化设计

借助半导体专业模拟软件Tsuprem-4 和Medici,模拟得到一组最佳的30 V 沟槽MOSFET结构和工艺参数;给出了特性模拟曲线.在此基础上,详细讨论了沟槽的宽度和深度变化对沟槽 MOSFET的阈值电压、击穿电压、漏电流及导通电阻等特性的影响.最后,根据模拟得到的最佳参数进行了流片实验.结果表明,所设计器件的击穿电压大于35 V,Vgs为10 V下的导通电阻为21 mΩ* mm2.     

Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新25VN沟道TrenchFET?Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay Siliconix Si RA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。此次发布的MOSFET采用6mm x 5mm Power PAK?SO-8封装。     

IR推出SOT-23功率MOSFET产品系列支持-30V～100V的电压

国际整流器公司（InternationalRectifier,简称IR）推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。     

IR针对汽油和柴油发动机压电喷射系统推出优化版车用功率MOSFET产品

国际整流器公司推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。AUIRFR4292和AUIRFS6535采用IR最新一代已被验证的车用功率MOSFET技术,扩展了IR的车用MOSFET产品系列,将击穿电压提高到了300 V。250 V的AUIRFR4292采用DPAK封装,最大导通电阻达345 mΩ,而300 V的AUIRFS6535采用标准D2PAK封装,其最大导通电阻为185 mΩ。