场效应管应用电路两例

<正> 1.用场效应管的分压式衰减电路 该分压式衰减电路如图1所示。V为结型N沟道场效应管(FET),它与电阻R1组成电阻分压式衰减电路。因FET的漏极D与源极S之间可看成一个由栅极和源极间电压V_(GS)控制的可变电阻。V_(GS)为直流电压,且应为负值。若控制电压为交流电压,则要经过二极管整流、电容器滤波后再加到     

GaAs IC中肖特基二极管的模拟模型

给出了肖特基势垒二极管的电路模拟模型,该模型能够精确地复制二极管的正向I-V特性。这是通过将通常在乎面肖特基势垒二极管中观察到的非线性(与电流有关)串联电阻包括进去而得到的。这种二极管模型是以大信号瞬态和需要精确解的Dc偏压分析为主要目的的,模型的显著特点是:(a)有来自直接测量或是几何及工艺参数的一套容易确定的参数,(b)在恒定电阻二极管模型上仅需要一个附加节点,(c)可适用于各种各样尺寸的二极管。最后,给出一个例子表明模型的精度。     

用CMOS工艺方法制作的低成本非致冷红外探测器（下）

二极管型探测器的直流响应率由下式给出:式中,η为吸收系数,Gth为热导率,dVD／dT为二极管正向电压的温度系数,Ibias 为直流偏置电流,Rconnect 和 αconnect 分别为互连电阻和互连电阻的温度系数值。与电阻型探测器的情况相似,括号中的项表示探测器电压的有效温度系数,最后一项的分母中有一个倍数2以便把沿支撑臂上互连电阻的温度梯度效应也考虑进去。     

机电组件

Y98-61430-1620 9908878具有非晶态磁芯的高压短上升时间脉冲变压器=High-voltage and short-rise-time pulse-transformer withamorphous cores[会,英]/Kobayashi,N.& Aoki,N.//1997 IEEE 11th International Pulsed Power Conference.Vol.2.—1620～1625(AG)Z98-51291-147 9908879具有晶体二极管2CP25特性的非线性电阻电阻率的计算[会]/张焕明//中国电子学会电路与系统学会第十四届年会论文集.—147～150(C)本文介绍了计算出的与晶体二极管2CP25非线性电阻器相当的圆柱形实体的非线性电阻器的各级非线性电阻率及其电阻 R 的解析表示式。参4     

14 nm FinFET工艺下栅隔离型二极管的ESD防护性能研究

当集成电路工艺进步到鳍式场效应晶体管(FinFET)技术节点时,二极管仍广泛用于输入/输出端口(I/O)的静电放电(ESD)防护工程,但二极管单位宽度鲁棒性比平面工艺有所降低。文章基于14 nm FinFET工艺,对栅隔离型二极管的失效电流(I_t2)、失效电压(V_t2)、单位宽度失效电流(I_t2/Width)以及单位面积失效电流(I_t2/Area)进行了详细研究,并给出了ESD器件特性随尺寸参数的变化趋势。实测数据表明,I_t2/Width随着Fin数目(n_fin)、沿Fin方向的倍乘因子(F_n)、垂直于Fin方向的倍乘因子(Y_array)等的增加均会有所降低,但I_t2/Area却有所提高,且开启电阻几乎不受n_fin和F_n的影响。     

元器件

小型脚式带尾纤6针迷你DIL封装器件 采用ThinSOT封装的电阻设置170MHz硅振荡器 双通道理想二极管     

埋入式电阻的热特性研究

通过对电阻的热功率、表面积的分析,研究了PCB板中的埋入式电阻的热特性,给出了PCB板中埋入式电阻的温升的解析表达式。计算了埋入式电阻在PCB板中的不同位置的温升情况,详细讨论了多个埋入式电阻的温升与单个电阻温升的关系,得到了计算具有多个埋入式电阻的PCB板的温升的方法。在设计PCB板时,大功率埋入式电阻应安排在板的中部,埋入式电阻的相互距离要分散并远离PCB板表面。     

对数式和反转对数式电位器电阻体两层搭接印刷新方法

根据对数式和反转对数式电位器阻值规律的理论方程式,提出一个与之符合较好的电位器电阻体的工艺曲线方程式,并推导出与工艺曲线相符的电阻体两层搭接印刷的具体图形。这种方法,还可应用于其它特殊的非线性阻值规律电位器电阻体的设计中。     

罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制通电劣化现象

正罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。     

基于混合PN／肖特基结构的新一代600V SiC肖特基二极管

第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电流处理能力,同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所实现的良好的动态性能。     

尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响

介绍了沟槽MOSFET(TMOS)的器件特性.为获得更小的尺Rdson(导通电阻)·A(面积)值,讨论了在元胞间距尺寸缩小到1.4 μm时,由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后,器件穿通风险加大.提出在不增加掩模版的前提下通过优化工艺,利用突起式结构以及沟槽式接触技术克服这一潜在风险,最终通过试验验证,得到了高稳定性低导通电阻的低压TMOS.     

电阻式触摸屏在手机上的应用和发展

文章介绍了电阻式触摸屏技术在手机上的应用,从传统四线电阻式、纯平电阻式到电阻式多点技术,其中重点分析了目前最新的电阻式多点技术,包括模拟矩阵电阻AMR、数字矩阵电阻DMR、五线多点电阻MF技术及Altera解决方案。     

X波段上变容二极管参数的测量

本文研究了X波段上半导体变容二极管在负偏压下的等效电路,提出了测量二极管Q_d值和等效电路各参数值的三种方法。第一种方法是测量二极管在各偏压点下的输入阻抗与管壳阻抗。这种方法的突出优点是适合于二极管串联电阻r_s随负偏压而变化的情况。第二种方法,在已知等效管壳电容的条件下,由测得的输入阻抗就能直接求得二极管的Q_d值和等效电路的各参数值;但此法要求串联电阻r_s不随负偏压而变化。第三种方法是测量二极管在各负偏压点下的输入阻抗与低频结电容C(V)来求得二极管的结参数;因而,为某些二极管,如砷化镓二极管,提供了一种测试方法。实验结果表明用上述三种方法所求得的Q_d值和等效电路的各参数值有很好的一致性。     

稳压二极管的测试

<正> 稳压二极管是电子产品中最常用的元件之一,它的主要参数有稳定电压(Vz)、稳定电流(Iz)、最大稳定电流(Izm)、电压温度系数(C_Tv)、动态电阻(Rz)、耗散功率(Pz)、正向压降(V_F)、反向电阻(R_R)、反向电流(I_R)等等。对于这些参数的精确测试,必须借助于专用设备和精密仪表,而在一般维修或业余条件下人们往往最为关注的是稳压二极管的性能和稳定电压值有多大。本文介绍用万用表、兆欧表和简单的自制电路判断稳压二极管性能和测试其参数稳定电压的方法。     

基于平面肖特基二极管的平衡式亚毫米波倍频器芯片

基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路.依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生参数,并与实测的器件本征参数相结合获得了二极管非线性模型;依据该模型,采用平衡式拓扑结构以实现良好的基波抑制,设计了三线耦合巴伦电桥,并与肖特基二极管集成在同一芯片上,实现了单片集成,提高了设计准确...     

光标式电子检流计

LC电磁振荡是高中物理教学的一个重要的难点实验。我刊2000年11期刊出的《用发光二极管显示电磁振荡》一文中,实验时仅红色二极管微微发亮后,两二极管再也不发亮,根本看不到二极管依此交替发光的现象。这主要是二极管的插入损耗太大,使LC回路的Q值低。把电流计直接串入LC振荡回路,由于插入损耗太大且响应速度慢,如采用光标检流计,会取得很好的效果。工作原理电路原理如附图所示,集成运放A、B与周围电阻组成电流检测放大电路。它由两级反相输入的比例放大器组成,总电压放大倍数AU=(R5/R4)·(W2 R8)/R7,可在100~68100间连续可调,以适应…     

截止频率8.7 THz的平面肖特基势垒二极管

肖特基势垒二极管(SBD)具有强非线性效应、速度快及容易系统集成等特点,常用于微波、毫米波及太赫兹波的产生和检测。本文通过电子束光刻等技术制作出肖特基接触直径1 μm的二极管,并对二极管进行了直流测试和射频测试。经过直流测试,二极管的串联电阻为10.2 Ω,零偏结电容为1.76 fF,肖特基结截止频率达到了8.7 THz;相同管子的射频测试串联电阻为15.4 Ω,零偏结电容1.46 fF,肖特基结截止频率也达到了7 THz。     

Cu(In1-xGax)Se2薄膜太阳电池的J-V特性

对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)太阳电池J-V特性曲线进行了测试和分析,采用Matlab软件进行计算,得到电池的二极管品质因子、反向饱和电流密度、串联电阻、并联电阻等特性参数.采用数值逼近法,将得到的参数回归J-V方程,与测试结果符合较好.对不同光照强度下电池的特性参数进行计算,发现并联电阻随光照强度增加而降低,并分析了原因.     

IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出全新 6 0 0 V HEXFET功率MOSFET系列 ,新器件具备快速本体二极管特性 ,专为零电压开关 (ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率 ,并能提高功率输出 ,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新 L系列 HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性 ,因此无需在 ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管 ,减少了元件数目 ,节省了电路空间。新器件有别于采用硬开关器件的桥式或功率因数修正…     

带内建二极管的彩电行管瞬态热阻的测量

本文以实验比较了一般功率晶体管和带内建二极管的功率晶体管的EB结的温度特性,分析了并联在EB结上的扩散电阻Rb对测量晶体管△V_(BE)E产生影响的原因.提出了带内建二极管的功率管△v_(BE)测量条件.