Vishay推出具有业内最低RDS（on）的P沟道MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．（威世科技）宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET——Si7157DP,扩充其TrenchFET P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay SiliconixSi7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Ω和0．0020Ω,可提高移动电子设备的效率。     

具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件,将P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半,在4．5V、2．5V和1．8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和H65mΩ。     

Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新25VN沟道TrenchFET?Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay Siliconix Si RA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。此次发布的MOSFET采用6mm x 5mm Power PAK?SO-8封装。     

SiR476DP：功率MOSFET

Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP,从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为89．25nC。     

Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET~(TM)SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优     

具有极低导通电阻的20V N通道功率MOSFET

SiR440DP系列功率MOSFET在20V额定电压时具有低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积,在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2．0mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1．55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是DC／DC转换器应用中MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为87。SiR440DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR—ing应用中用作低端MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块（VRM）、服务器及使用负载点（POL）功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。     

超低导通电阻MOSFET

SiR640DP和SiR662DP是40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET,两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装,具有极低的导通电阻,以及极低的导通电阻与栅极电荷乘积（FOM,优值系数）。     

n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

元件

1.8V的功率MOSFET Vishay旗下的Siliconix近日推出12个型号p沟道MOSFET,它们在V_(DS)=1.8V的导通电阻很低,例如Si4465DY在V_(DS)=1.8V时的导通电阻仅16mΩ、在V_(DS)=2.5V时为11mΩ、在V_(DS)=2.5V时仅9mΩ;在环境温度为70℃时的漏极电流可达±10A。封装:8脚SO、6脚TSOP和SOT-23。     

E系列：MOSFET

Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻,以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换应用中     

超小封装芯片级MOSFET

MICRO FOOT功率MOSFET Si8461DB和Si8465DB最大尺寸为1mm×1mm×0.548mm,在芯片级功率MOSFET中实现超小体积,且导通电阻比非芯片级器件提高10倍。20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。在4.5V栅极驱动下,Si8461DB的导通电阻为0.1Ω。除4.5V的电压等级,     

负载开关FPF1005/6

FPF1005／6是飞兆公司推出的负载管理产品。它内部采用低导通阈值电压-VGs（th）及低导通电阻陆川的P沟道功率MOSFET，并采用导通斜率上升控制，可减小冲击电流，FPF1006内部有75-120Ω下拉电阻，可加速关断时间。     

Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET荣获《电子技术应用》杂志“中国优秀电子产品”奖

宾夕法尼亚、MALVERN Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布,其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET荣获专业媒体《电子技术应用》（AET）的＂中国优秀电子产品＂奖。在采用SO-8或PowerPAK SO-8封装的60V器件中,SiR662DP 60 V N沟道功率MOSFET具有业内最低的导通电阻,以及60 V器件中最低的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数（FOM）。     

Si7137DP：P通道TrenchFET MOSFET

Vishay发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件Si7137DP,该20Vp通道MOSFET采用SO-8封装,具有1．9mΩ（在10V时）、2．5mΩ（在4．5V时）和3．9mΩ（在2．5V时）的超低导通电阻。TrenchFET第三代MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而确保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗执行切换任务。     

IRFB3207：MOSFET

国际整流器公司19前推出一系列针对AC-DC同步整流和ORing电路的新型75V和100V HEXFET MOSFET。这款MOSFET具有较低的导通电阻(100V产品IRFB4310的导通电阻为7mΩ，75V产品IRFB3207的导通电阻为4．5mΩ，有助于提升便携式／LCD适配器和服务器AC-DC SMPS等应用的效率和功率密度。     

Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET~功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5 V、2.5 V、1.8 V、1.5 V和1.2 V下具有9.4 mΩ2、10·5mΩ、12.5 mΩ、18 mΩ和36 mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2 mm×2 mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

元器件与组件

带有内置ESD保护的MOSFETCMLDM7003是一种双通道N沟道的增强模式MOSFET,带有内置的2kVESD保护。它带有两个独立的50V,280mA的MOSFET,在每个器件的源极和栅极之间带有瞬变电压抑制栅。该器件的导通电阻在50mA,1.8V时是3.0Ω。     

IR针对汽油和柴油发动机压电喷射系统推出优化版车用功率MOSFET产品

国际整流器公司推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。AUIRFR4292和AUIRFS6535采用IR最新一代已被验证的车用功率MOSFET技术,扩展了IR的车用MOSFET产品系列,将击穿电压提高到了300 V。250 V的AUIRFR4292采用DPAK封装,最大导通电阻达345 mΩ,而300 V的AUIRFS6535采用标准D2PAK封装,其最大导通电阻为185 mΩ。     

采用CSP封装的P沟道MOSFET

采用1mm×1．5min×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P,能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench工艺设计,结合先进的WL—CSP封装,将导通电阻和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40％,可满足下一代手机、MP3播放器和其他便携应用的要求。该器件具有低RDS（ON）（典型值74mΩ＠-4．5V VGS）,能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能（1．9W）。