光MOS继电器的交流特性

一、光MOS继电器的特点光MOS继电器的内部结构如图1所示。由图可知光MOS继电器的内部结构与一般的光耦合器件非常相似。其外部开关与封装也与一般的光耦合器件一模一样(照片1)。由发光二极管发射的光经太阳能电池转换成电压,构成MOS场效应管的栅极偏置电压,控制MOS场效应管的通断。输出端用两个MOS场效应管串联连接,可以控制交流信号的通断。与机械触点式继电器相比,光MOS继电器具有     

PhotoMOS继电器（中）

PhotoMOS继电器的输出采用光电元件和功率MOSFET，最初用于微小模拟量信号的SSR，即：高功能型的HF型，后又相继推出通用型的GU型、高频型的RF型等。本刊上期介绍了PhotoMOS继电器的概要，本期将介绍有关PhotoMOS继电器内置式、结构独特的控制电路的光电元件的特点、结构、典型电路等内容。FET型半导体继电器的基本电路图1为PhotoMOS 继电器所代表的FET型半导体继电器最基本的电路。该电路因输出元件的功率MOSFET是电压驱动型元件，因此，由于光电二极管阵列(P.D.A)供给电压，栅极容量被充电，通过使栅极电压上升到开启…     

S／HS固态继电器原理与应用

交流固态继电器SSR(Solid state releys)是一种无触点通断电子开关,为四端有源器件。其中两个端子为输入控制端,另外两端为输出受控端,中间采用光电隔离,作为输入输出之间电气隔离(浮空)。在输入端加上直流或脉冲信号,输出端就能从关断状态转变成导通状态(无信号时呈阻断状态),从而控制较大负载。整个器件无可动部件及触点,可实现相当于常用的机械式电磁继电器一样的功能。图1是SSR固态继电器原理图。     

600V/5A场控横向光激双向可控硅开关

SIPMOS(西门子功率MOS)工艺,除用于制造MOS管外,还可制造集双极与MOS功能为一体的器件,如场效应管控制的三端双向可控硅光激开关。该器件有两个反并联的横向闸流管,采用纵向MOS管驱动,高灵敏的光电晶体管为MOS管提供栅压。横向闸流管通过互联的指型结构得以有效地利用芯片面积。 这种光激开关器件的芯片面积为4×4mm~2。正、反向阻断电压均高于600V,2mA的发光二极管(LED)电流即可触发开关,持续电流为5A,电流传输比达2500:1     

光控MOS栅固态继电器的电路分析与模拟

光控MOS栅固态继电器是由MOS栅控晶闸管、开关三极管、光电耦合器、增强型MOSFET和齐纳二极管组成的新型开关器件。文章提出了光控MOS栅固态继电器的电路结构，详细分析了它的工作原理及其光电特性。     

HS—2200S系列软启动固体继电器

<正> 绝大多数负载开启时都会产生浪涌电流。浪涌电流一般是稳态工作电流的10倍。它是继电器失效、电网电流不稳和系统可靠性降低的主要原因。 软启动固体继电器(也称软启动固态继电器)是一种具有软启动功能(即完全抑制负载启动时产生的浪涌电流)的新型可控电子开关。HS—2200S系列软启动固体继电器是近期研制成功的。它具有抑制浪涌电流、保护用电器(负载)、稳定电网电压、提高系统可靠性等作用。其特点是:①软开启(无浪涌电流);②寿命长,开关次数达10~(10)次;③控制电压为9—12V;④光电隔离输入与输出     

高速、低功耗、无触点工作的光半导体继电器

一、概述近年来,集发光元件、受光元件和MOSFET为一体的半导体继电器——“光MOSFET”在工业和民用电子设备领域获得了广泛的应用。日本电气公司近年推出的新产品——PS7200A-1A,就是一种能够实现高速、低功耗、无触点工作的光半导体继电器。半导体继电器同机械继电器和干簧继电器不同,由于它没有触点,所以工作寿命很长,并且能够用很小的驱动电流实现开关输出控制,因此它很适合用于功耗要求较低的电子设备中。除测量仪器外,它在通讯领域、笔记本电脑、PDA等各类电子设备中有着相当广泛的应用前景。由于MOSFET工艺技术的长足进步,…     

固态继电器

1概述 交流固态继电器SSR(solid state releys)是一种无触点通断电子开关,为四端有源器件,其中两个端子为输入控制端,另外两端为输出受控端.     

基于功率MOS型场效应管的4 kV纳秒脉冲源

为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。     

PhotoMOS继电器（上）

松下电工的PhotoMOS继电器使用光电元件和功率MOSFET进行输出。该继电器通过光结合使输入输出间完全绝缘,与原来的机械继电器有所不同的是用LED和光电元件进行输入输出传送,其寿命可谓类似永久性的。本刊分上中下三部分对PhotoMOS继电器的概要、控制电路、可靠性进行介绍。本期介绍PhotoMOS 继电器概要部分。     

PhotoMOS继电器（下）

当今,随着微电子化的显著发展,在重视安全性方面,对装置的可靠性要求逐渐提高,器件的可靠性是决定系统可靠性方面重要的一点。PhotoMOS继电器用LED与光电元件进行输入输出传导,其寿命是半永久性的。本刊上期介绍了PhotoMOS继电器的控制电路,本期将讨论PhotoMOS继电器的寿命和可靠性。PhotoMOS继电器的寿命开闭寿命PhotoMOS继电器是由半导体元件构成的半导体继电器,与机械式继电器有所不同,若在通常额定条件内使用,不会因切换次数而影响寿命。LED发光效率随使用时间的变化PhotoMOS继电器的输入部分使用的是GaAs的LED,会因长时…     

汽车继电器吸引巨大市场

汽车继电器是一种当输入量(或激励量)满足某些设定值时，能在一个或多个输出控制电路中产生阶跃式通断的自动控制器件，以小型功率直流电磁继电器、混合式继电器、组合式继电器、热保护继电器、延时继电器等类别为主流。     

LR6系列集成稳压器及其应用

<正> 美国Supertex公司最近推出一种高输入电压、低输出电流的LR6系列线性集成稳压器,它的特点是:输入电压范围宽(15～450V);连续工作输出电流为3mA,输出脉冲电流可达30mA,外接一个MOS场效应管,输出可达150mA;自身耗电为50μA;线性调整率为0.1mA/V;负载调整率为50mV/mA;纹波抑制率为60dB。 LR6系列有三端器件及五端器件两种结构。三端器件有     

新型电导率调制场效应管

美国无线电公司综合MOS功率晶体管、双极型晶体管和闸流管的优点研制成功一种新型MOS场效应功率管,命名为电导率调制场效应管(COMFET),其芯片面积为120平方毫米. 新器件的导通电阻比MOS场效应管小一个数量级;当20安漏极电流流过器件时,测得其电阻小于0.1欧.它的前向截止电压达400伏,反向为100伏,因此     

怎样选用元器件讲座（四）——光电耦合器

光电耦合器是一种把发光器件(一般为红外发光二极管)和光敏器件密封在同一壳体机内的光电转换元件。常见的光电耦合器原理如图1所示。(电信号→光信号→电信号)。由于光电耦合器输入端与输出端实现了电隔离,极大地增强了器件的抗干扰能力和隔离性能。该器件适用于电压或阻抗不同的电路间的隔离和信号传输,并可抑制线路间和接地回路中的噪声所引起的干扰。     

GU光电继电器

最近,日本松下电气公司新推出一种光电继电器(AQV214)。这种继电器是万用型的,它既可以控制极其微弱的模拟信号,又能控制很高的负载电压,而且6针双列直插式封装插头还是超小型的。所谓万用型,就是它既保持多数半导体继电器具     

小型高速光开关

日本中部大学和日本电报公司研制出利用光学时分复用(TDM)技术的小型、简便光开关和波长变换方式.它是将吸收型半导体光调制器和高速光电元件组合,用40 Gbit/s的光脉冲序列成功地分离出10 Gbit/s的光信号. 这是通过把量子阱结构、低压驱动的半导体光调制器和日本电报电话公司研制的高速高饱和输出的单飞越载流子光电二极管组合而实现的.光电二极管能够用光脉冲产生2 Vp-p的电脉冲,然后将输出作为驱动电压使光调制器工作. 调制的机理是首先在光电二极管上照射一定频率的脉冲光,产生用通常电学法不可能达到的窄电脉冲.将这个脉冲加到光调制器上,透过该调制器的光脉冲信号利用吸收型调制器特有的非线性进行调制.今后还要进行100 Gbit/s级信息处理器件的研制.     

光MOS固体继电器抗电离辐射研究

分析了光MOS固体继电器在电离辐照条件下的失效模式,并针对组成器件的不同元器件提出了抗辐射的设计方案。采取了包括优化材料、合理设计器件结层厚度、选用抗辐射能力强的钝化膜等工艺技术制作样品,并通过试验对比确认了抗辐射方案的有效性,结果表明,器件抗辐照能力大于30krad（Si）,能够满足对星用光MOS固体继电器抗辐射能力的要求。     

金属氧化物半导体场效应管

MOS是一种半导体电路的结构形式，它可用于：（1）采用氧化膜把栅极与沟道绝缘的场效应管；（2）极板；（3）有源区是金属一氧化物半导体的夹心层的电路。而FET是输出电流的大小受输入电压控制的一种电场效应晶体管，α-SiTFT和p—SiTFT都是基于场效应管的工作原理。MOSFET是由金属、氧化物（SiO2或SiN）及半导体三种材料制成的器件，可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管。     

将光电FET光耦用作一个线性压控电位器

光电FET可以用作一只可变电阻,或与一只固定电阻一起用作电位器。H11F3M光电FET有7.5kV的隔离电压,因此能够安全地控制高压电路参数。但这些器件的非线性传输特性可能成为问题(图1)。为了校正这种非线性,可以采用一种简单的反馈机制,使电位器产生一种线性响应(图2),本电路使用了两只光电FET,一只作反馈,另一只则用于需要隔离电位器的应用。将两只光电FET的输入端串联,就可以保证输入LED有相同数量的电流。FET输出端放50kΩ的电阻,以模拟电位器的响应。电路对设定输入电压(用电位器R7调节)和光电FET1的反馈之间的差值做放大。得到的输出控制光电FETLED中的电流,直到反馈电压等于输入电压时为止。输出电压以线性方式跟随输入电压(图3)。也许你会认为相同器件号的光电