首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 218 毫秒
1.
朱启安  宋方平  黄伯清  张琪  孙旭峰 《功能材料》2007,38(10):1686-1689
以Ba(OH)2·8H2O和钛酸四丁酯为原料,用液相直接沉淀法合成了粒径约为17~45nm的BaTiO3纳米粉体.研究了合成温度对样品的晶胞参数、晶粒大小和CO2-3含量的影响;反应物浓度对样品的颗粒大小和形貌的影响;氢氧化钡与钛酸四丁酯的摩尔比对样品中钡钛摩尔比的影响.用傅立叶变换红外光谱仪、透射电子显微镜、X射线衍射仪对产品进行了表征,并对产品进行了化学分析.结果表明,当反应物Ba(OH)2·8H2O和钛酸四丁酯的摩尔比为1.00~1.02时,产品的钡钛摩尔比约为1.0;合成温度由45℃升至90℃,所得粉体的晶粒尺寸由21nm减少至15nm,晶胞参数a则从0.4037nm增加到0.4059nm;与理想的立方晶体相比,BaTiO3的晶胞产生了膨胀;最佳反应温度为70~80℃;所得钛酸钡为具单一立方相的球形纳米粒子.  相似文献   

2.
王海波  龚艳  肖奇  张清岑 《材料导报》2006,20(8):136-139
探讨了合成Pb1.5Nb2O6.5型微波介质陶瓷粉体的焙烧温度、焙烧时间、添加剂等不同工艺因素对Pb1.5-Nb2O6.5粉体物相变化、晶粒生长及形貌的影响,采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备的粉体进行物相与晶体形貌检测.实验结果表明在其他工艺因素控制得当时,焙烧温度对粉体粒度和物相变化的影响最大,而不同类型的添加剂不仅可以使晶粒生长更为完整,尺寸增大,同时也可以不同程度地改变粉体颗粒的生长趋势与形貌.实验制备出的Pb1.5Nb2O6.5粉体物相单一无杂质、晶粒尺寸较小,适于进一步制备微波介质陶瓷元件.  相似文献   

3.
黎步银  刘佳  黄兆祥 《功能材料》2011,42(Z1):39-42
采用熔盐法于900℃成功合成了La9.33(SiO4)6O2前驱粉体,并在1500℃烧结成瓷.利用X射线粉末衍射和环境扫描电镜对样品的物相和形貌进行了分析和表征,结果证明合成产物为磷灰石相,其陶瓷电解质晶体颗粒饱满均匀,有较好的致密性.采用交流阻抗谱研究了材料的导电性,发现用熔盐法制备La9.33(SiO4)6O2陶瓷...  相似文献   

4.
在高纯Al2O3粉体中添加质量分数为16%的亚微米ZrO2粉体,制备Al2O3-ZrO2复合粉体,通过X射线衍射仪、电子探针和扫描电子显微镜分别对样品的相组成和显微结构进行分析,研究不同烧结温度下亚微米ZrO2粉体对氧化铝陶瓷抗折强度和硬度的影响。结果表明,在1 450℃时无压烧结2 h,Al2O3-ZrO2复相陶瓷的晶粒粒径约为0.5μm,抗弯强度高达797 MPa,提高了46%,维氏硬度为17.9 GPa。  相似文献   

5.
采用化学共沉淀法制备了纳米Fe3O4粉体材料.用溶液吸附法、透射电镜、X射线衍射仪和古埃磁天平法对添加柠檬酸根前后的纳米Fe3O4粉体材料的结构及性能进行了表征和分析.结果表明:添加柠檬酸根制备的纳米Fe3O4粉体材料的比表面积为1.499,晶粒粒径为8nm,磁化率为11.6534,颗粒度小,分散性好,磁性能更高.  相似文献   

6.
微波法制备纳米钛酸钡粉体及其表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了探寻价廉、高效合成纳米钛酸钡粉体的方法,以TiCl4和BaCl2为主要原料,采用微波法一步合成纳米钛酸钡粉体,采用X射线衍射谱、扫描电镜、漫反射吸收谱、介电损耗谱和热重-差热分析对钛酸钡粉体进行表征。结果表明,合成的钛酸钡粉体为纯的立方相纳米粉体,颗粒大小均匀,分散性好,晶粒度约为90 nm;纳米钛酸钡粉体的禁带宽度为3.4 eV,具有良好的介电性能;纳米钛酸钡粉体中立方相BaTiO3在1 000℃煅烧后才有部分转化成四方相BaTiO3,表现出良好的热稳定性。  相似文献   

7.
Y2O3和ZnO共掺杂对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电性能的影响   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了Y2O3和ZnO共掺杂对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电性能的影响.XRD分析表明,Y2O2和ZnO促使BaTiO3的晶体结构由四方相转变为赝立方相;在此系统中Y2O3的固溶度低于1.5mol%,而ZnO的固溶度约3.0mol%.SEM显示Y2O3比ZnO更能有效地改善微观结构,其显著的晶粒抑制作用归因于分散于晶界的第二相Y2Ti2O7对晶粒生长的钉扎作用.适量Y2O3和ZnO的协同作用有助于形成壳-芯结构,并显著改善BaTiO3陶瓷的介电温度稳定性.在BaTiO3-Y2O3-ZnO新体系中获得符合X7R的高性能抗还原介质.  相似文献   

8.
采用电熔融喷吹法制备不同氧化钙含量部分稳定氧化锆粉体(Ca—PSz),发现以该粉体为原料的制品在烧结过程中易出现开裂现象,采用阿基米德法和X射线衍射仪分析经不同温度和时间热处理的样品的密度和相组成寻找造成开裂的原因。研究发现:用熔融喷吹法制备的氧化钙部分稳定氧化锆粉体中稳定相一部分为Ca抖稳定氧化锆,一部分为粒径尺寸小于相变临界尺寸的无稳定剂介稳氧化锆;1200℃下热处理电熔喷吹法制备的部分稳定氧化锆粉体可促进其微观形貌的完善和晶粒的长大,提高样品密度;当热处理温度为1500℃,晶粒尺寸超过相变临界尺寸(〉14.34nm),样品中的介稳相氧化锆会分解生成单斜相氧化锆,导致样品稳定度和密度急剧降低。  相似文献   

9.
研究了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)掺杂对BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO三元系统介电性能与微结构的影响.BaTiO3陶瓷在低温端(-55℃)的电容量变化率随BNT含量的增大而单调降低,而高温端(150℃)的变化率持续增大,且居里温度单调递增.掺杂1.0wt%与2.5wt%BNT的BT陶瓷满足EIA XSR特性.SEM观察表明,BaTiO3陶瓷内部由细小的基质晶粒和第二相晶粒组成,且第二相比例随BNT含量的增加而增大.XRD分析表明,基质晶粒为BaTiO3,第二相晶粒为CaB2Si2O8和NaBiTi6O14.条状第二相CaB2Si2O8和NaBiTi6O14的产生改变了BT系统的内应力结构是钛酸钡陶瓷居里温度升高以及电容量温度特性改善的原因.  相似文献   

10.
以NH4HC03溶液为沉淀剂,采用共沉淀法制备了前驱体,在氩气气氛中经1200℃煅烧2h合成了Y2.91-xCe0.06TbxAl5O12(YAG:Ce,Tb)粉体。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、荧光光谱仪对样品的结构、形貌及发光性能进行了表征。所得粉体为体心立方相YAG:Ce,Tb。粉体颗粒团聚成珊瑚虫形。YAG...  相似文献   

11.
采用固相合成法制备出尖晶石结构CoFe_2O_4粉末和钙钛矿结构BaTiO_3,并按照2∶8的摩尔比将粉末混合,随后添加不同的助烧剂。研究多种助烧剂对制备出的CoFe_2O_4/BaTiO_3复相多铁材料成分、微观形貌、介电性能、铁电性和磁性能的影响。结果表明:仅添加助烧剂Bi2O3,难以达到烧结致密的目的;当助烧剂中含有CaCO3-SiO2时,有效提高了CoFe_2O_4/BaTiO_3复相多铁材料的烧结性能,在相同的烧结温度下,CoFe_2O_4/BaTiO_3复相多铁材料致密度得到提升,且介电性能、铁电性、磁性能均有一定程度的优化。  相似文献   

12.
Ce掺杂对TiO_2晶型转变的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
以钛酸四丁酯以及六水合硝酸铈为原料,采用溶胶-凝胶法制备了纯的和Ce掺杂的TiO2粉体,研究了不同掺杂量对TiO2晶形转变产生的影响。结果表明,Ce离子的掺杂阻碍了TiO2粒子由锐钛矿型向金红石型的转变,拓宽了锐钛矿型TiO2的使用温度范围;TiO2晶粒的尺寸的变化是随着焙烧温度的升高逐渐长大,随掺杂量的增加逐渐减小。TiO2粉体粒子在锐钛矿型状态下,颗粒分散较为均匀,并且无明显团聚现象。  相似文献   

13.
Lu X  Kim Y  Goetze S  Li X  Dong S  Werner P  Alexe M  Hesse D 《Nano letters》2011,11(8):3202-3206
Fully epitaxial BaTiO(3)/CoFe(2)O(4) ferroelectric/ferromagnetic multilayered nanodot arrays, a new type of magnetoelectric (ME) nanocomposite with both horizontal and vertical orderings, were fabricated via a stencil-derived direct epitaxy technique. By reducing the clamping effect, ferroelectric domain modification and distinct magnetization change proportional to different interfacial area around the BaTiO(3) phase transition temperatures were found, which may pave the way to quantitative introducing of ME coupling at nanoscale and build high density multistate memory devices.  相似文献   

14.
研究了Ti4+离子对PbZrO3和Pb(Zr1-xTix)O3粉体晶格结构的影响。利用固相反应法合成的PbZrO3和Pb(Zr0.95Ti0.05)O3粉体,从XRD、晶格常数和Raman光谱3个方面进行了分析。结果表明:PbZrO3和Pb(Zr0.95Ti0.05)O3均为钙钛矿结构,但较之PbZrO3,Pb(Zr0.95Ti0.05)O3的XRD谱各个峰位均向高角度轻微偏移;晶胞参数变小;Pb(Zr0.95Ti0.05)O3的Raman峰除在低频区向低频方向发生了偏移,而其余峰均向高频方向发生了偏移且部分峰有宽化现象。主要是由于Ti4+离子部分取代Zr4+离子进入PbZrO3晶格而形成Pb(Zr1-xTix)结构。  相似文献   

15.
(Sr,Pb)TiO3超微粉体的制备和性质   总被引:10,自引:0,他引:10  
应用草酸盐共沉淀法制备(Sr,Pb)TiO3超细粉体,分析了共学淀产物的热分解过程,确定了昌化温度和煅烧条件,同时,测量了粉示的晶粒尺寸,标定了材料的晶体结构,试验了粉体的烧结条件。  相似文献   

16.
氧化锌薄膜的拉曼光谱研究   总被引:8,自引:1,他引:7  
利用拉曼光谱结合X射线衍射分析对未掺杂和掺杂的ZnO薄膜,陶瓷薄膜进行了研究,ZnO薄膜及ZnO陶瓷薄膜均由sol-gel法制备,掺杂组份有Bi2O3,Sb2O3,MnO和Cr2O3等。结果表明,未掺杂的薄膜的ZnO主晶相均表现出显著的定向生长特征,其拉曼光谱特征谱峰为437cm^-1,谱峰强度随薄膜退火温度的提高略有增强,掺杂后ZnO的拉曼谱峰发生了红移,掺Bi2O3后ZnO的拉曼谱峰由347cm^-1移质移至434cm^-1,掺Sb2O3后ZnO的拉曼谱峰移至435cm^-1,而掺杂Bi2O3,Sb2O3,MnO和Cr2O3等组份的ZnO陶瓷薄膜的ZnO拉曼谱峰则移至434cm^-1,说明掺杂元素进入了ZnO晶格,引起了晶格的变化,ZnO薄膜性能不仅受次晶相组成的影响,而且受因掺杂元素进入而引起的ZnO晶格畸变的影响。  相似文献   

17.
喷雾反应法制备电子陶瓷用钛酸钡   总被引:3,自引:0,他引:3  
首次在液滴“微反应器”中借用均相沉淀反应的原理 ,即通过水解剂 (草酸二甲酯 )水解出的草酸与液滴中的钡钛离子发生共沉淀反应生成草酸氧钛钡 ,进而煅烧制得钛酸钡粉体。用化学分析方法测定产物中的Ba/Ti物质的量比 ,用XRD、TEM、LS - 2 30粒度仪分别对产物的晶型、形貌及粒度进行表征。结果表明 ,采用该法制备的是组分分布均匀、粒度小且分布窄 ,形貌为球型的纯四方相钛酸钡粉体  相似文献   

18.
以TiCl4和BaCl2为主要原料,用微波法一步成功合成纳米BaTiO3,采用X射线衍射谱(XRD)、扫描电镜(SEM)、漫反射吸收谱(DRS)、介电常数谱和热重一差热分析(TG-DTA)表征,XRD和SEM分析表明,合成的BaTiO3为纯的立方相纳米BaTiO3,颗粒大小均匀,分散性好,晶粒粒径在90nm左右;DRS和介电常数测试表明,纳米BaTiO3禁带宽度为3.4eV,具有良好的介电性能;TG-DTA和XRD测试表明,在400℃以前,纳米BaTiO3表面吸附的残余有机物质燃烧放热,有l-4%左右的热失重,对应在290℃左右有较强的放热峰;1000℃煅烧后才有部分立方相的BaTiO3转化成了四方相的BaTiO3,纳米BaTi03表现出了良好的热稳定性。  相似文献   

19.
采用区域熔炼法制备了FeGa磁致伸缩材料并测量了其磁致伸缩性能.利用该材料制备了FeGa/BTO/FeGa层状复合结构,并对该样品的磁电性能进行了系统研究.结果表明,该材料在共振频率95kHz下,磁电性能高于低频下性能7~10倍.磁电电压随直流偏磁场的变化发生明显变化,出现5.97×104A/m的优化偏置场,这主要是由FeGa层的压磁系数q随偏磁场的变化所致.3层复合材料的磁电系数与交流驱动场变化呈线性关系.另外,较薄的BTO压电层可以提高压应力,从而获得较高的磁电性能.  相似文献   

20.
水热法制备BaTiO3粉体   总被引:15,自引:0,他引:15  
水热法制备的陶瓷粉体结晶度高,团聚少,烧结活性闹,得到了越来越广泛的重视。本文报道了水热法制备BaTiO3粉体的研究结果,给出BaTiO3粉体晶粒组成、粒度和结晶形貌与反应温度、前驱物形式以及Ba、Ti摩尔比之间的关系,选择较高的反应温度,使用强碱性溶液以及较高m(Ba).m(Ti)比的前驱物,有利于钙钛矿型BaTiO3晶粒的形成。采用新制的Ti(OH)4胶体为前驱物,在Ba(OH)2水溶液水热反  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号