硅PIN光电二极管光谱响应特性的数值模拟计算

对硅PIN光电二极管的光谱响应特性作了详细的分析计算,得到了硅PIN光电二极管光谱响应的计算公式;给出了器件光谱响应曲线的绘制方法.实测数据与公式计算结果吻合较好.讨论了器件工艺参数变化对光谱响应的影响.     

硅基雪崩光电二极管技术及应用

硅基雪崩光电二极管是一种可用于对微弱光甚至单光子进行探测的光电器件,被广泛应用于激光测距、激光成像、量子通信和生物医疗等领域.从工作原理、常见结构和分类3个方面对硅基雪崩光电二极管的技术进行分析,并对其性能发展趋势进行阐述,最后介绍了硅基雪崩光电二极管的应用.     

2048位线阵电荷耦合光电二极管摄象器件的研究

本文简要地阐述了2048位线阵电荷耦合光电二极管摄象器件(CCPD)的工作原理及器件的结构、制作特点,同时对一些主要的参数进行了研究、讨论。采用浅结低浓度的光电二极管阵列作为电荷耦合摄象器件的光敏元,取代了原来CCD器件的MOS光敏元,使光子在到达硅衬底之前减少了多层介质的光吸收和反射,大大地捷高了器件的蓝光响应,利用双重吸杂技术,使暗电流下降,器件性能明显提高。     

高速台型硅雪崩光电二极管的研制

为满足大容量,长距离光纤通信和其它快速微弱光信号的探测,我们采用化学腐蚀和表面钝化技术,研制成功了具有近乎直台角的N~+PP~+硅雪崩光电二极管(MAPD).该器件具有工艺简单,成本低,响应速度快等优点.并且有长期工作的稳定性.文中详细地讨论了器件结构的设计,并概述了制造方法和光电特性.     

硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性

在本文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究.硅光电负阻器件包括有各种类型,本文主要对"λ"型双极光电负阻晶体管(PLBT)以电阻和光电二极管作为负载的情况进行了讨论.     

一种单片集成的光接收电路的设计

基于一种光接收器件的电路结构,利用硅基BJT工艺对光电二极管和接收电路进行了设计.通过引入辅助开关电路以及双结光电二极管,提高了输出晶体管的关断速度.测试结果显示,该光接收电路在870 nm波长下的数据速率可达到10 MBd.     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管(photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

一种硅光电接收处理集成电路的技术研究

介绍了一种在硅衬底上集成光电二极管探测器和双极接收放大处理电路的单芯片光电集成电路OEIC。从理论上阐述了光电器件实现的原理;为实现光电探测二极管与单片双极集成电路的兼容,设计了光电探测器的专用结构,并研制了光电探测器的专用模型。对接收处理电路进行了模拟仿真和优化设计。建立了与双极工艺兼容的制作光电二极管探测器的专用工艺;采用该工艺,对光电器件进行了版图设计、工艺制作和测试研究,给出了初步试验的方法和结果。     

新型微波前放混合组件研制成功

<正> 西南技术物理研究所研制的SPD-32达通型雪崩光电二极管和SPD-052型雪崩光电二极管前置放大器混合组件,于1984年12月通过了部级技术鉴定。 SPD-032达通型雪崩光电二极管和SPD-052型雪崩光电二极管前置放大器混合组件适用于0.5～1.1μm波长结构,是一种技术先进、较为理想的硅光电探测器件,目前世界上只有     

1.54μm APD光电探测器组件的研制及应用

主要从长波长人眼安全测距方面讨论和研究了InGaAs雪崩光电二极管的前置放大器的电路原理和参数的设计以及光电探测器组件混合集成.着重从激光测距方面的应用探讨了由InGaAs雪崩光电二极管组成的激光接收器的应用电路的选择和设计.从测距使用的角度对InGaAs雪崩光电二极管的光电特性与偏置电压的关系进行了测试,从而了解该器件与硅雪崩二极管的光电性能的差异,从而为更好的应用InGaAs雪崩光电二极管提供参考和依据.研制的InGaAs雪崩光电二极管探测器组件及接收器在激光测距机中进行了测距应用,在激光能量为7毫焦耳测距集中进行测距,初步达到了要求.