真空微电子器件中的场致发射阴极硅锥尖的制备工艺研究

本文介绍了真空微电子器件中的场发射阴极硅锥尖的制作工艺，采用不同的腐蚀方法以及氧化削尖技术，制成了形状较好的硅尖，并对实验研究结果进行了比较、分析和讨论。     

微结构光纤在光通信中的应用实验

微结构光纤是新兴的研究领域．特殊微结构所赋予的诸多新奇性,使得微结构光纤不仅可以成为优异的光传输介质,而且可以用来制作各种新型的光纤器件．文章介绍了微结构光纤在光传输和光纤器件方面的最新实验研究．     

基于液体填充微结构光纤的新型光子功能器件

基于液体材料填充的微结构光纤光子器件有效地将功能材料在不同外界物理场作用下的物理效应同光纤自身的微纳结构结合起来,具有可调谐、设计灵活、全光纤结构和易于集成等优点,是未来光纤光子器件发展的重要方向。掌握不同填充材料、填充方法及所制作器件的不同特性、功能和应用对这一领域的研究具有重要的指导意义。综合阐述了近年来基于液体材料填充的微结构光纤光子器件的研究进展,分析和归纳了各种液态功能材料的种类、物理特性及填充方法,系统阐述了基于该种方法实现的光开关及衰减器、滤波器、调制器、色散补偿器等可调谐光纤光子器件及光纤传感器件,最后对该领域未来的发展方向和前景进行了展望,为未来新型光纤光子器件的研制提供必要的依据和参考。     

微结构量子器件

微结构量子器件是八十年代中期伴随着微结构物理的发展而出现的一种新的半导体器件,这种器件以量子力学原理工作,具有常规“经典”器件无法比拟的优异特性。本文在简要介绍了微结构系统电子状态的基础上,较详细地描述了量子谐振隧道器件以及量子线和量子点激光器的基本原理、特点及其应用前景。     

陶瓷微结构的制作研究

研究了一种制作高精度、大高宽比高铝陶瓷微器件的工艺方法。首先利用同步辐射曝光,制作出带有微结构的PMMA模具。模压后,溶去模具,在1 700℃烧结成型。利用这种工艺,获得了宽度23μm,高度400μm的陶瓷微结构。同时,利用该工艺进行了陶瓷微反应器的初步研制,实现了陶瓷微管道的加工。     

集成真空微电子器件的制备方法

发射极极尖的锥尖是典型场发射真空微电子器件最好的物理结构,一般不是由标准的集成电路制备工艺制备的。本文提出利用共形薄膜填充小孔时自然形成的尖端作为模型来制备较尖的发射极。形成这个锥尖的方法不仅容易与制备阴极、二极管、三极管和更多电极器件的标准半导体工艺相结合,而且也能与器件结构内部所有电极自对准。本文将描述用于制备微电子三极管器件的基本工艺过程,然后给出怎样改变工艺才能制备出不同数量电极和独立的阴极结构。描述了初步实验结果,分析讨论了工艺重复性的估算。     

场发射锥尖的制备及特性研究

研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备工艺,采用了两种封装结构测试了场发射硅尖阵列的发射特性,并分析比较了这两种结构的特点及用于制备高频微波器件的可能性。     

场发射锥尖的制备及特性研究

研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备工艺，采用了两种封装结构测试了场发射硅尖阵列的发射特性，并分析比较了这两种结构的特点及用于制备高频微波器件的可能性。     

LPE制作平面型InGaAs/InP APD

叙述了用液相外延(LPE)制作 InGaAsP/InP 雪崩光电二极管(APD)的物理性能。分析了该器件的设计参数。介绍了器件结构、器件制作中 LPE 生长条件及器件性能。最后,评述了器件发展水平及改进意见。     

聚合物微结构光纤型可调衰减器的研究

设计了一种基于聚合物微结构光纤(PMOF)及液晶选择注入技术的温控可调衰减器.拉制了高质量的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)PMOF,并在光纤微孔中实现了选择性注入液晶5CB,制作了温控可调衰减器,器件消光比超过60 dB.实验结果与理论设计基本吻合.     

太赫兹微型电真空器件及其制造工艺

随着科学技术发展,人类对电磁频谱的掌握与应用也在不断发展,继毫米波波段开发的日益成熟之后,科学界已开始了向太赫兹领域进军。太赫兹电真空器件可以产生高功率太赫兹辐射真空电子器件,在太赫兹辐射源方面可做出很重要的贡献。本文介绍了国内外几种大力发展的太赫兹真空电子器件的研究技术水平及发展方向;重点分析了太赫兹电真空制造工艺的特点和关键技术。     

Epitaxial VVMOS power transistors

The design aspects of a V-groove vertical-geometry power MOST (VVMOS) using a simple epitaxial-channel technology, are discussed in this paper. The process has several features including ease of fabrication, good threshold voltage controllability, and high breakdown voltage. Expressions for the on-resistance as a function of device parameters and for the device capacitances as a function of the geometric features of the transistor are derived. Experimental results on fabricated devices are presented.     

HgCdTe薄膜材料缺陷的研究现状

HgCdTe外延薄膜材料中的缺陷是制约高性能红外焦平面器件发展的主要因素。对缺陷的研究与评价是材料生长以至器件制备过程中不可或缺的重要一环．本文详细介绍了HgCdTe外延材料中几种主要缺陷的研究进展．     

用于微器件制作的灰度掩模技术

讨论了灰度掩模技术在凸及凹形微透镜,折衍射复合微透镜和微尖形阵列等器件制作方面的应用,给出了与几种典型的凸及册形微透镜,折省射复合微透镜和微尖形结构对应的灰度掩模板的设计实例及其应用,为灰度掩模技术制作微透镜器件及微尖形阵列奠定基础。     

Lessons Learned from Engineering Biologically Active Hybrid Nano/Micro Devices

Engineering devices based upon the interfacing of biological with inorganic systems have led to fascinating research results and present important implications for next‐generation technologies. The development of cell‐ and protein‐based micro/nano systems has demonstrated that several key factors must be considered when establishing fabrication rules. These include material interface properties, preserving biological viability, as well as self‐assembly as a device‐fabrication methodology, to name a few. Here, we present two proposed devices that have been developed through the application of these principles. They include muscle‐powered microfabricated devices, as well as protein‐functionalized polymeric vesicles based on protein‐coupling reactions. These systems have successfully bridged the gap between biological and conventional engineering to yield exciting prospects, as well as important lessons and questions for the development of cell‐/protein‐based hybrids.     

用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究

MEMS器件大都含有可动的硅结构 ,在器件加工过程中 ,特别是在封装过程中极易受损 ,大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后 ,加上一层封盖保护 ,可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金 硅键合新结构 ,实验证明此方法简单实用 ,效果良好。该技术与器件制造工艺兼容 ,键合温度低 ,有足够的键合强度 ,不损坏器件结构 ,实现了MEMS器件的芯片级封装。我们已经将此技术成功地应用于射流陀螺的制造工艺中     

Low-leakage germanium-seeded laterally-crystallized single-grain100-nm TFTs for vertical integration applications

We report on 100-nm channel-length thin-film transistors (TFTs) that are fabricated using germanium-seeded lateral crystallization of amorphous silicon. Germanium seeding allows the fabrication of devices with control over grain boundary location. Its effectiveness improves with reduced device geometry, allowing “single-grain” device fabrication. In the first application of this technology to deep submicron devices, we report on 100-nm devices having excellent performance compared to conventional TFTs, which have randomly located grains. Devices have on-off ratio >10⁶ and subthreshold slope of 107 mV/decade, attesting to the suitability of germanium-seeding for the fabrication of high-performance TFTs, suitable for use in vertically integrated three-dimensional (3-D) circuits     

适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管仿真

提出了一种适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管.报道了圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比,该器件特别适用于解决常规鳍形场效应管器件所面临的问题,进一步提高器件性能及按比例缩小能力.技术仿真结果显示,圆柱体全包围栅场效应管具备许多常规鳍形场效应管器件,其中包括长方体全包围栅场效应管所不具备的优点.就圆柱体全包围栅场效应管器件结构而言,该器件由无数多个将圆柱体形沟道全部包围的栅所控制.由于克服了由不对称场的积聚,如锐角效应所导致的漏电,器件沟道的电完整性得到很大改善.详细讨论了器件制作工艺流程,提出的工艺流程简单并且与常规CMOS工艺流程兼容.