ITO膜生产技术的新进展

用溅射的方法来制备ＩＴＯ膜已应用于平板显示技术，特别是高速磁控溅射技术的出现，又使ＩＴＯ膜实现大量生产成为可能。本文详细论述了ＩＴＯ膜生产线的设计要点，总体方案及其技术性能，并分析了各种工艺参数对ＩＴＯ膜的透光率、面电阻等主要技术指标的影响。     

CVD金刚石膜在光滑衬底表面成核研究的进展

本文叙述了化学气相沉积金刚石薄膜过程中，金刚石在光滑非金刚石衬底表面的成核行为，讨论了目前用于提高金刚石成核密度的一些典型方法的优点和不足。     

GdBa2Cu3O7薄膜红外探测器的研究

本文对红外探测器进行理论分析的基础上，设计并研制了液氮温度下的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７薄膜红外探测器，系统地测试了器件的特征参数。     

高硬度薄膜溅射工艺稳定性分析

本文简要介绍了当前高硬度薄膜制备的常用工艺方法，着重分析了反应溅射的工艺条件，对反应溅射系统中的粒子输运进行了详细的分析，讨论了该工艺条件下薄膜制备的稳定性条件。     

VAD制备TiN膜中宏观颗粒生物特性分析

通过对真空电弧淀积的ＴｉＮ薄膜中单个宏观颗粒进行ＳＥＭ观察，分析了颗粒自身形貌及其与连续薄膜之间的相互作用。并基于界面能量理论，分析了颗粒膜生长过程中自身发展倾向、与外来粒子的相互碰撞以及与基片、连续膜之间的界面作用，从而揭示出薄膜中颗粒的生长规律。     

YSZ／Si上溅射BSCCO高温超导薄膜的工艺参数优化

本文研究了利用ＹＳＺ膜作缓冲层Ｓｉ衬底上溅射ＢＳＣＣＯ高温超导薄膜的生长工艺，分析了生长条件对Ｂｓｃｃｏ高温超导相的影响，并提出了ＹＳＺ／Ｓｉ上制备相ＢＳＣＣＯ膜的工艺参数。     

新型的陶瓷薄膜制备工艺—Sol—Gel法

近年来在陶瓷制备领域中出现了一种引人注目的工艺溶胶-凝胶法，由于这种工艺诸多的优越性，越来越多地应用于制备陶瓷薄膜方面，本文介绍了溶胶-凝胶法制备陶瓷薄膜的工艺过程，并对其研究现状及进一步发展趋势作了简要的评述。     

CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制

利用超高真空电子束蒸发，在Ｓｉ衬底上淀积Ｃｏ－Ｓｉ多层膜．经热处理后，发现在６００—７００℃内ＣｏＳｉ２形成的过程中，成核控制、界面反应及扩散等几种因素都能起较大的作用，并因此而造成了ＣｏＳｉ２薄膜生长动力学的极其复杂性．本文还对样品进行了电阻率和扩展电阻测量．并讨论了利用常规手段来消除薄膜横、纵向非均匀性的几种途径．     

现代介质薄膜

介质薄膜是一类重要的电子薄膜。现代常用的介质薄膜种类很多，按其成分可分为无机薄膜、有机薄膜和复合薄膜三类。同一种介质薄膜当制造工艺略有不同时，就会出现性能差别较大的结果，且随着膜厚的减小，这种现象表现得越来越明显。现在介质薄膜的进展可归纳为：（１）成膜技术的提高，其工艺特点是精细、程控和准确；（２）薄膜下限厚度的减小，如陶瓷薄膜已降到１μｍ，大量生产的高分子聚合物薄膜已降至１００ｎｍ；（３）涌现出了不少新型介质薄膜。从８０年代以来兴起了对纳米级介质薄膜的研究热潮     

硅基薄膜发光材料

硅是微电子技术的基础材料，硅集成技术已高度发展，但硅却是非发光材料。为了发展硅基光电子技术，人们对硅基发光材料作了多方面的探索，其中有“缺陷工程”－在硅中引入作为辐射复合中心的杂技或缺陷，使之发光。“能带结构工程”－利用量子限制效应，利用具有不同能带结构的材料组合，获得硅基发光材料。“异质外延材料”－以硅为基底外延生长具有发光性能的材料。     

用脉冲激光沉积法制备类金刚石膜及金刚石薄膜

简要评述了用脉冲激光沉积技术制备类金刚石膜及金刚石薄膜的研究进展，总结了激光脉冲沉积制备薄膜的基本原理及其特点，分析了激光波长，能量，衬底温度等对薄膜质量的影响。     

氮化硼薄膜的场致发射特性

研究了氮化硼（BN）薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系。在磁控溅射反应器中，使用高纯六角氮化硼（h-BN)靶，通入Ar和N2的混合气体，制备出了纳米BN薄膜。溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的。在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性，发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大。     

Zn—Se—Te三元系富Te区的液固平衡以及ZnSe0.52Te0.48薄膜在（100）In…

本文运用Ｒ．Ａ．Ｓ（Ｒｅｇｕｌａｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）模型的基本原理，导出了简明的适用于Ａ＾ＩＩ－Ｂ＾Ｖｉ－Ｃ＾ＶＩ三元系富ＶＩ族区的液固平衡方程，并由此计算了Ｚｎ－Ｓｅ－Ｔｅ三元系富Ｔｅ区的液固平衡曲线，计算结果与已有的实验数据符合，最后，对ＺｎＳｅ０．５２Ｔｅ０．４８在（１００）ＩｎＰ衬底上的液相外延生长进行了实验研究。     

GaN基薄膜材料的器件的最新进展

综述了ＧａＮ基薄膜材料研制与器件开发的新进展，着重阐明其技术突破与商品化应用前景。     

NiCr溅射薄膜厚度分布的Monte Carlo模拟

本文采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ（ＭＣ）方法对Ｓ－枪溅射ＮｉＣｒ薄膜过程进行了计算模拟，得到了沉积粒子在基片上的厚度分布，讨论了不同沉积参数对薄膜厚度分布的影响。     

碲锌镉缓冲层液相外延技术的研究

文章报道了采用液相外延方法，在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况，并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征，碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性，晶体结构质量也较好。采用碲锌镉缓冲结构生长了碲镉汞液相外延片，其碲锌镉与碲镉汞薄膜界面附近的杂质得到了有效的控制。     

发光聚合物的新进展

凯文回家时挟了一卷4英尺长的纸张厚薄的东西。进入居室时，传感器检测到他的到来，墙壁开始柔和发光，房间亮了起来。他打开这卷东西并沿墙壁铺开，说道：“这就是8英寸大的新电视屏！”不过，这种墙壁发光和画卷式电视屏，不是出现在今天，而是发生于2007年。但使这些奇特物品成为可能的技术现已有了。经过几年研究后，采用电发光有机薄膜工艺的商业化器件将于1997年后期露面，各种公司均在这一振奋人心的市场机遇中投资。有机电发光薄膜可望提供柔软大面积显示器，与其它发光显示技术相比，功率消耗低，各种结构都可用标准制造技术低成本…     

纳米硅薄膜的电致发光和光致发光

对用ＰＥＣＶＤ方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究．在膜的纵向加直流偏压，暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象．在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱，并用Ｌａｍｂｄａ９紫外／可见／近红外分光光度计测量了样品的透射谱，从而得到样品的Ｔａｕｃ曲线和光能隙Ｅ     

Si薄膜低温液相外延

选用Ａｕ／Ｂｉ合金熔体在低温下实现了硅薄膜的外延生长，外延温度４００℃～５００℃，采用Ｓｎ源内的饱和硅来保护衬底的方法，以防止升温饱和过程中衬底的氧化，运用扫描电镜，Ｃ－Ｖ法及俄歇能谱对外延膜形貌和结深附近载流子浓度进行了观察和测量。     

硅基GaN外延层微结构的HREM研究

由于ＧａＮ薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景，目前国际上对其进行了广泛的研究，但这些应用的实现有赖于生长出高质量的ＧａＮ单晶薄膜，以便有目的地掺杂ｎ－型和ｐ－型。迄今为止，ＧａＮ生长的极大部分工作为异质外延于蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上，而将...