专利名称:铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极及其制备方法

专利申请号:CN201810934638公开号:CN109119494A申请日:2018.08.16公开日:2019.01.01申请人:蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极,包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层;杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni;金属导电层为Cu或Cu合金;硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层,单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼,复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成;采用磁控溅射在衬底上依次沉积各个结构层即完成制备;在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层,杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散;硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散,避免了硒和金属导电层之间的反应,确保金属导电层的稳定性。     

金属基复合透明导电膜的研究

透明导电薄膜作为一种新型的光电材料显示出多种优异的光电性能和具有广泛的应用背景。综述了金属基复合透明导电膜的发展历程与研究现状，重点讨论了电介质，金属，电介质（D/M/D）和透明导电氧化物，金属，透明导电氧化物（TCO/M/TCO）这两种类型的多层复合膜，分析了其设计原理和存在问题，并指出了控制金属层的厚度和界面扩散是制备高性能光电薄膜的重要方面，最后介绍了金属基复合膜应用，并对其研究进行了展望。     

透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料、有机电致发光元件和太阳能电池

一种透明导电薄膜用靶，其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和／或钼，其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和／或氧化钼粉末成形，然后加热并烧结该成形体，使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分，并含有原子比(W Mo)／In为0．0040～0．0470的钨和／或钼而获得所述透明导电薄膜用靶，     

专利信息

专利名称: 透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料、有机电致发光元件和太阳能电池专利申请号: 03138519. 2　公开号: 1461819申请人: 日本住友金属矿山株式会社一种透明导电薄膜用靶,其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和 /或钼,其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和 /或氧化钼粉末成形, 然后加热并烧结该成形体, 使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分, 并含有原子比 (W +Mo) /In为0 0040~0 0470的钨和 /或钼而获得所述透明导电薄膜用靶, 其中该透明导电薄膜具有优异的表面光滑度和 6×10-4Ω·cm或更低的…     

线切割加工中钼丝抖动缓冲装置

本实用新型涉及一种线切割加工中钼丝抖动缓冲装置,它是钼丝内侧的上、下线架内面分别经绝缘螺丝固定连接缓冲装置,连接处置有绝缘块,一硬质合金缓冲块固定在缓冲装置基体内槽中,其工作面与钼丝接触,并将钼丝顶出0．2～0．5mm,基体上带有喷液装置。本实用新型克服线切割加工中因导轮和导轮轴承磨损引起的钼丝抖动、伸长,使工件加工质量提高,切割面光洁平滑,延长钼丝、导轮和导轮轴承的使用寿命。     

ITO透明导电薄膜的溶胶凝胶法制备及结构表征

以五水硝酸铟和乙酰丙酮为原料,以无水氯化锡为掺杂剂,采用溶胶凝胶工艺,用提拉法在石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜。采用DTA—TG、XRD、SEM、四探针电阻率仪、紫外分光光度计等仪器对ITO透明导电薄膜的相转变过程、物相、表面结构、微区形貌和物理性能进行了测定和分析。结果表明:采用溶胶凝胶工艺在石英玻璃基体上制备ITO透明导电薄膜是完全可行的。ITO薄膜具有由多个粒子堆积而成的多孔微观结构,其晶体结构为立方锰铁矿结构,[111]为明显的择优取向,经过5次镀膜后其厚度在150nm以下,薄膜的方电阻为110Ω,其电阻率约为1.65×10-2Ω·cm。薄膜的透光率在90%以上。     

高性能银纳米线离子液体凝胶复合柔性透明电极研究获新进展

正柔性透明电极在电子与光电子产业的发展中占有举足轻重的地位,是制备众多电子与光电子元器件不可缺少的光电功能材料。目前,柔性透明电极主要是在透明有机聚合物基底上,采用溶胶-凝胶、化学气相沉积、真空蒸发沉积、溅射沉积、脉冲激光沉积等方法引入氧化铟锡(ITO)导电薄膜。但是,该方法存在致命弱点:(1)金属铟面临资源枯竭;(2)制备工艺昂贵且需要高温,对透明有机聚合     

溅射电压和铝掺杂对透明导电氧化锌薄膜性能的影响

研究了用微波ＥＣＲ等离子体反应溅射制备透明导电氧化锌薄膜靶压及铝的掺入对薄膜电阻率和透光率的影响。制香电阻率为１０＾－５Ω．ｍ数量级,可见光平均透光率大于８０％的透明导电ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ）膜。     

Co掺杂对脉冲激光沉积CdO薄膜结构及性能的影响

透明导电氧化物是一类在可见光波长范围内具有良好导电特性和光学透明性的材料,由于其在光电器件中的潜在应用而备受人们的关注.在众多的透明导电氧化物中,立方结构的CdO因其具有低的电阻率和在可见光范围内高的透光率而成为人们研究的热点.采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石(0001)单晶基片上制备了一系列Co掺杂CdO薄膜.X射线衍射...     

石墨烯银纳米线透明导电薄膜的制备进展

透明导电薄膜是触摸器件以及液晶显示器等的重要组成部分,制备透明导电薄膜的材料主要有金属氧化物、导电聚合物、碳材料、金属材料和复合材料等。其中,一维银纳米线和二维石墨烯材料制备透明导电薄膜具有光电性能优异、化学性能稳定和柔韧性好等特点,有望应用于柔性电子设备中。介绍了石墨烯银纳米线透明导电薄膜常用的制备方法:旋涂法、真空抽滤法、棒涂法、喷涂法、滴涂法等5种以及各种制备方法的优缺点;总结了石墨烯银纳米线复合薄膜的应用领域;展望了石墨烯银纳米线透明导电薄膜的发展前景。     

特种线切割电极钼丝及制造方法

特种线切割电极钼丝,其重量组成为,钼粉和掺杂的稀土氧化物La2O3,La2O3的重量含量为0．2％～0．6％。制备方法为,在二氧化钼粉末中加入硝酸镧水溶液,在80～100℃加热分解并混合均匀,然后在800～1000℃的炉内氢气还原,得到掺杂稀土氧化物La2O3的钼粉,由钼粉加工成钼丝。本发明所制取的特种线切割钼丝,通过在钼中掺杂稀土氧化物La2O3,利用弥散强化效果,     

Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质

采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上低温制备出Zn Sn O透明导电薄膜。制备薄膜为非晶结构 ,并且具有很好的稳定性 ,与玻璃衬底具有良好的附着性。薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电 ,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压。制备薄膜的最低电阻率为 2 2 7×10 - 3Ω·cm ,在可见光范围内的平均透过率达超过 90 %。     

不同生长温度对Ga掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的ZnO(GZO)透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响.制备的GZO透明导电薄膜均沿(002)方向的择优取向生长,薄膜的表面形貌为蠕虫状,表明薄膜内存在较大的残余应力.随着生长温度的升高,GZO薄膜的电阻率先减小后增大,在生长温度为250℃时,薄膜的最低电阻率为1.91×10-3 Ωcm.不同生长温度下所制备的GZO薄膜在可见光波段的平均透过率均大于90％,薄膜具有优异的光学特性.     

白钼丝

本实用新型公开了一种白钼丝,有钼丝,钼丝外表面覆盖有电解膜层。本实用新型结构合理,能有效减少漏气现象,产品使用效果好,使用寿命长,可广泛用于制造灯泡、硬质玻璃封结等领域。     

一种稀土钼合金丝材及其制备方法

本发明涉及一种稀土钼合金丝材及其制备方法。其特征在于该丝材的合金中含有La2O3和Y2O3两种稀土氧化物,两种稀土氧化物占合金总量的重量百分比为0．4％～1．0％,且La2O3：Y2O3的重量比例为4：1。本发明的制备方法,与采用传统的粉末冶金生产工艺不同,在二氧化钼阶段进行双锥真空干燥液-固掺杂,而后进行二次还原制取二元稀土掺杂钼粉,再经压制、烧结、压力加工等工序制备出规格为Ф0．5～0．8mm Mo—La—Y稀土掺杂钼丝。和纯钼相比较,产品的高温性能好,再结晶温度高,比纯钼提高了300～500℃,具有高强度、高耐磨性、低塑性、使用寿命长等优良性能,在机械加工行业中具有广泛的应用。     

AZO透明导电薄膜的性能和制备

AZO薄膜是一种应用广、发展快的高导电率、透光率的金属氧化物薄膜。文章基于国内外的发展情况,概述了AZO薄膜的光电性能、应用领域和不同的掺杂对AZO薄膜的性能影响。归纳了AZO薄膜的制备方法,着重介绍了磁控溅射沉积法制备AZO薄膜的几个工艺参数可能对AZO薄膜性能的影响。     

耐高温、抗电弧侵蚀复合稀土钼合金及其制备方法

本发明涉及一种耐高温、抗电弧侵蚀复合稀土钼合金及其制备方法,该复合稀土氧化物掺杂钼合金材料中,Mo—Y2O3／CeO2合金所含复合稀土氧化物Y2O3／CeO2的混合物质量百分数范围为0．30％-0．55％,且CeO2的质量百分数始终为0．08％,其中三氧化二钇与二氧化铈的比例为Y2O3：CeO2=2．75～5．875：1,其余为钼金属。本发明制备的复合稀土钼合金具有很好的耐高温、抗电蚀性能,     

专利名称：复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结（SPS）的制备方法

一种复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明所提供的制备复合稀土钼次级发射材料的制备方法其特点在于：在钼的氧化物或钼粉中，以稀土硝酸盐水溶液形式加入一定量的稀土氧化物(如：La2O3、Y2O3、Gd2O3)，然后在500～550℃的氢气中处理1～5h，     

气源流量对所制备Me-DLC膜性能的影响

介绍了一种新型的DLC膜制备方法--ECR(电子回旋共振)微波等离子体气相沉积结合磁控溅射的方法.采用该法通过溅射石墨靶和金属钛靶在不锈钢基底上制备了具有Ti/TiN/TiN(N,C)中间层结构的碳薄膜.研究了制备时不同气源流量对薄膜的表面形貌、硬度、摩擦磨损性能、表面能等的影响.     

铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极及其制备方法

正专利申请号:CN201810934638公开号:CN109119494A申请日:2018.08.16公开日:2019.01.01申请人:蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极,包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层;杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni;金属导电层为Cu或Cu合金;硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层,单阻挡层为钼、