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用不锈钢/电沉积紫膜薄膜/含水胶/钢型菌紫质光电池研究了作用于N-端表面的钾,镁,镧离子对菌紫质光电响应的影响。在所没条件下光电极性均与质子泵方向一致。光电压幅值是离子浓度依赖性的,对钾,镁,镧离子均存在极大值浓度的、它们之间有数量级的差异;依赖性曲线趋势和极大值浓度均各自分别与溶液中菌紫质的质子泵效率对阳离子浓度的这种依赖性相一致。 相似文献
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菌紫质LB膜对闪光的响应张志广杨俭华王光毓张光年林书煌(首都师范大学生物信息科学研究所,北京100037)卢涛李宝芳江龙(中国科学院感光化学研究所,北京100101)关键词bRLB膜,闪光,临界闪光融合频率光敏生物大分子菌紫质(bR)是嗜盐菌... 相似文献
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用闪光动力学光谱仪测量了水平拉制的紫膜LB膜中菌紫质中间体M_(412)的衰减过程,观察了温度和离子对M_(412)衰减过程的影响。实验结果表明:在一定的温度范围内(10℃-60℃),随着温度的升高,M_(412)的衰减速率加快。对M_(412)s的衰减的抑制作用,La~(3+)在低浓度时就很明显,而K~+则在较高浓度时才表现出来,Ca~(2+)的影响不明显;La~(3+)对M_(412)f的衰减无明显影响,K~+和Ca~(2+)则稍微加快了其速率,pH的变化(H~+浓度)明显影响到M_(412)的衰减速率,尤其在高pH情况,M_(412)s的衰减比正常pH值时要慢一个数量级。 相似文献
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在纯铜表面制备了Co-Pt-Mo磁性薄膜,并研究了钼酸钠的质量浓度对Co-Pt-Mo磁性薄膜性能的影响。结果表明:随着钼酸钠的质量浓度的增加,Co-Pt-Mo磁性薄膜的厚度和电流效率显著提高,钴和钼的质量分数逐渐增大,使得比饱和磁化强度增大。然而,当钼酸钠的质量浓度为10 g/L时,由于剧烈的析氢和金属氢氧化物胶体的阻碍作用,使得电流效率下降,Co-Pt-Mo磁性薄膜表面的颗粒发生团聚现象,孔隙率增大,矫顽力降低。当钼酸钠的质量浓度为8 g/L时, Co-Pt-Mo磁性薄膜具有致密的结构和最大的矫顽力。 相似文献
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在20#钢基体上电沉积Co-W-P薄膜,并研究镀液中硫酸钴浓度对Co-W-P薄膜的结合强度、结构、成分、厚度和磁性能的影响。结果表明:Co-W-P薄膜与20#钢基体结合紧密,随着硫酸钴浓度从5 g/L增至25 g/L,Co-W-P薄膜的结构和物相无明显变化,但平均晶粒尺寸呈现先减小后增大的趋势,Co元素的质量分数呈现先升高后降低的趋势,导致不同Co-W-P薄膜的致密性和磁性能存在差异。当硫酸钴浓度为15 g/L时,Co-W-P薄膜的平均晶粒尺寸仅为40.6 nm,Co元素的质量分数达到64.19%,具有最大的矫顽力(932 A/m)和饱和磁化强度(100.7 A·m2·kg-1),其结构致密并且展现出良好的磁性能。在一定范围内硫酸钴浓度的增加,降低了成核过电位,使晶粒细化且结合紧密,同时提高了钴还原沉积效率,使Co元素的质量分数升高。研究表明:晶粒细化、致密性改善以及磁性元素的协同作用进一步提高了Co-W-P薄膜的磁性能。 相似文献
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采用循环伏安曲线以及稳态极化曲线的测试方法分析了二甲基亚砜有机溶液中纯Bi、纯Sb以及Bi-Sb二元体系在Ti基体上的还原过程。结合分析结果,采用直流恒电位方式电沉积制备了Bi-Sb二元薄膜温差电材料,并采用X-射线衍射以及塞贝克系数测试对不同电位下制备出的Bi-Sb二元薄膜温差电材料的物相结构及性能进行了表征。实验结果表明,在Ti基体上Bi3+、Sb3+离子的氧化还原均为不可逆过程,前者的阴极还原过程仅由离子扩散造成,而后者的还原过程中涉及到了离子的吸附,二者沉积电位接近,共沉积过程是一步完成的。对制备出的材料的物相以及性能的分析结果表明,电沉积制备出的材料确为Bi-Sb二元合金,随着沉积电位的负移,温差薄膜电材料的表面变得粗糙,在不同电位下沉积出的材料均为P型温差电材料,塞贝克系数随电位变化不大。 相似文献
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以乙二胺四乙酸二钠(ethylenediamjn tetraacetic acid disodium,EDTA)为鳌合剂,在水溶液络合体系中采用电沉积法制备了CuSCN半导体薄膜,应用电子隧穿成核和表面态热激发机理以及Mott-Schottky曲线分析了沉积电位和温度对薄膜结构和半导体性质的影响.结果表明:室温下,价带电子隧穿产生的电流与表面态空穴热激发电流在同一数量级,表面态空穴热激发电流不随电位改变,价带电子隧穿电流的变化趋势反映了整体电流的变化.随着阴极电位的升高,由于价带电子的隧穿几率变化,晶粒尺寸先减小后增大;半导体空穴浓度减小,p型性质减弱.由于沉积反应受活化能控制,在高温条件下主要表现为晶粒生长,导致晶粒尺寸增大,薄膜致密度降低;同时也使半导体空穴浓度减小,p型性质减弱. 相似文献
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采用直流反应磁控溅射法在FTO玻璃基片上沉积了不同厚度的氧化镍(NiO)薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、台阶仪、紫外可见分光光度计、电化学工作站,研究了NiO薄膜厚度对其微观结构、形貌,以及电致变色性能的影响.结果表明,随着溅射时间增加,NiO薄膜厚度增加,试样的初始态可见光谱透过率逐渐降低,(200)晶面的XRD衍射峰强度逐渐增加;以1 M KOH溶液作为电解质,随着NiO薄膜厚度增加,薄膜电荷储存量逐渐增大.NiO薄膜厚度为920 nm的试样着色效率最高,达到了23.46 cm2/C;80 nm厚度的薄膜试样光学调制幅度最大,波长550 nm处为40.85%.薄膜越厚,着、褪色时间越长;所有试样着色时间均大于褪色时间,80 nm厚度的薄膜试样的着色、褪色时间最快,分别为4.47 s和2.28 s. 相似文献
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以阴极析出的氢气泡为模板电沉积制得三维多孔铜薄膜,电解液的组成和工艺条件为:CuSO4 50 g/L,H2SO4 147 g/L,Na2SO4 70.2 g/L,HCHO 30 g/L,HCl 0.25 mL/L,聚乙二醇0.25 mL/L,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)0 ~ 9.75 g/L,温度25℃,电流密度3A/cm2,时间10~ 20 s.研究了电沉积时间及CTAB用量对薄膜结构的影响.结果表明,随沉积时间的延长,镀层的主孔径增大,孔壁变厚.镀液中CTAB的存在会影响铜离子的沉积和结晶取向,随着镀液中CTAB质量浓度的增大,多孔铜薄膜的孔径先减小后增大. 相似文献
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