美光利用34 nmNAND工艺生产用于高端手机的最高密度多芯封装产品

美光科技有限公司(Micron Technology,Inc.,)日前宣布,目前正推出业界密度最大的全集成式NAND多芯片封装(MCP)试用产品,这套解决方案含有16GB的多层单元(MLC)NAND,可供高端手机使用.     

单芯片封装与多芯片封装展望

综述了近几年国内、外在单芯片封装和多芯片封装方面的概况和发展趋势,提出了今后几年我们在封装领域技术研究的建议。     

美光发布行业密度最高的块抽象化NAND闪存产品系列

美光科技股份有限公司公布其高密度系列的块抽象化（BA）NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案，使用美光业内领先的34纳米工艺技术一将MLC NAND与一个内存控制器相结合，无需对控制器／系统进行费力的重设计即可采用后续世代的NAND。     

高端芯片先进封装过程中视觉检测功能的强化研究

本文以高端芯片在先进封装过程中的视觉检测功能为研究对象,在阐述高端芯片的先进封装过程及其重要作用的基础上,探究高端芯片的视觉检测功能,结合高端芯片的视觉检测功能在现代化生产发展的需求,对视觉检测功能在实际生产生活中的作用提出更高的要求,旨在为设备生产以及产品管理提供信息基础以及数据支持。     

美光推出新型34纳米高密度NAND新产品

美光科技有限公司宣布使用其屡获殊荣的34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。随着消费者需要更高的容量以便在越来越小的便携式电子设备中存储更多的音乐、视频、照片及应用程序，制造商需要一种存储解决方案，以实现所需的容量、性能和尺寸。     

用于先进PCB制造工艺的叠层封装

在20世纪90年代,球栅阵列封装(BGA)和芯片尺寸封装(CSP)在封装材料和加工工艺方面达到了极限。这2种技术如同20世纪80年代的表面安装器件(SMD)和70年代通孔安装器件(THD)一样,在电学、机械、热性能、尺寸、质量和可靠性方面达到最大值。目前,三维封装正在成为用于未来采用的先进印制板(PCB)制造工艺的下一个阶段。它们可以分为圆片级封装、芯片级封装、和封装面。叠层封装(PoP)是一种封装面叠层封装类型的三维封装技术[15]。     

BGA芯片的制球重新利用

手机主板中有很多芯片是BGA封装的，而回流焊期间会出现一定比例BGA焊接缺陷，如虚焊、短路等等。对于这种BGA的维修，一般只是把这个芯片取下，然后重新焊上新的芯片。可是取下的芯片就没用了，实际上很多这类芯片本身并没有坏，如果给芯片重新制球，就可以重新利用，从而节约成本。     

多芯片组装技术工艺与设计

主要论述了多芯片组装技术的设计及制造.提出目前我们发展微组装技术的主要工艺及设计技术.     

电子芯片封装工艺对网印智能标签的影响

本文主要阐述了电子芯片封装工艺对网印智能标签的影响,以此改良现有的电子芯片封装技术,提升网印智能标签的质量。     

微透镜阵列提高LED多芯片封装取光效率的仿真

提出在LED多芯片平面封装表面添加微透镜阵列,以提高取光效率。仿真分析了微透镜阵列的半径、间距和排列方式等对取光效率的影响。分析结果表明,通过在封装平面添加微透镜阵列,可以极大地提高取光效率,微透镜的填充因子是影响取光效率大小的关键因素,填充因子越大,则其取光效率越高;微透镜的排列方式对出射光强的分布也会产生影响。     

基于三维多芯片柔性封装的热应力分析

利用ANSYS软件针对一种三维多芯片柔性封装结构进行建模,通过有限元2D模型模拟该封装结构在热循环温度-40~125℃条件下产生的热应力/应变情况,讨论了芯片厚度、基板厚度、微凸点高度及模塑封材料对热应力/应变的影响。结果表明,三维多芯片柔性封装体的等效热应力发生在微凸点与芯片的连接处,其数值随着芯片厚度的减薄呈递减趋势;基板厚度也对热应变有一定的影响;增加微凸点高度有利于减小等效热应力;通过比较塑封材料得知,采用热膨胀系数较大,且杨氏模量与温度的依赖关系较强的模塑封材料进行塑封会产生较大应变。     

大功率LED多芯片集成封装的热分析

随着高亮度白光LED在室内、室外照明领域的应用,多芯片LED的集成封装方式是其发展的主要趋势之一,而热问题却是多芯片LED集成封装的瓶颈问题之一。建立了多芯片LED集成封装的等效热路模型,并采用有限元分析(FEA)的方法对多芯片LED集成封装的稳态热场分布进行了分析,同时通过制作实际样品研究大功率LED多芯片集成封装的热阻、发光效率与芯片工作数量的关系。结果表明集成封装的多芯片白光LED结温随着集成芯片数量的增加成线性增长,芯片到基板底面的热阻随着芯片工作数量的增加而增大,而其发光效率随着集成芯片数量的增加成线性减小。     

利用系统级封装技术提升产品市场竞争力

随着集成电路制造工艺水平的提高,器件的集成度也越来越高,“接催生了系统级芯片（SoC）的普及。SoC将处理器、存储器、接口、驱动与控制电路以及其它周边应用电路整合到一个芯片上,可以说是集成电路技术的一大进步,对提升电子产品性能、缩小体积起到了重要的作用。然而随着摩尔定律的延续,集成电路线宽缩小已接近极限,     

适合于印刷工艺的IndiumTacflux676助焊剂在倒装芯片装配过程中的应用

倒装芯片是一种无弓1脚结构的芯片互联技术,它起源于60年代,由IBM率先研发,具体原理是在I／O板上沉积焊料凸点,然后将芯片翻转加热利用熔融的焊料凸点与基板相结合,此技术代替了常规的打线接合,在封装技术的应用范围日益广泛,己逐步成为高端器件及高密度封装领域中经常采用的封装形式,特别是它可以采用类似SMT技术（印刷）的手段来加工生产效率将有大幅的提升,因此倒装芯片封装技术将是高密度芯片封装的最终方向。     

一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺

硅基光电子芯片的端面耦合器具有大带宽、低损耗、偏振不敏感等优点,使人们希望在端面封装方面获得突破。提出了一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺,利用等离子体刻蚀形成的斜面与光纤阵列的封装面进行匹配封装,降低封装中的耦合反射;利用斜面刻蚀工艺和深硅刻蚀工艺相结合的方法制备深硅刻蚀槽,提高了晶圆划片的冗余度,通过控制深硅刻蚀槽内的划片位置来消除台阶凸起对光纤封装造成的不利影响,使在后续封装过程中无需对芯片端面台阶凸起实施磨抛工艺。实验结果显示,基于该工艺,端面耦合器损耗劣化小于0.1 dB。该封装结构可以在晶圆流片阶段实现制备,具有可大规模生产、降低硅基光电子芯片端面封装成本的优点,以及广阔的工程应用前景。     

一种提高生产效率的单向双功能系统级封装系统——提高生产效率60%以上的并行分配与键合系统

一种增加功能多样性和缩短上市时间的新产品,通常只是在经济上适应于系统级封装的多种技术的混合。这方面最适用的现代制造设备便是基于提高生产率特征、广泛适应性和未来规定理念的实验装置结构及模块式平台--并行分配与键合的双功能系统,这种设计理念得益于多样化定制增加部分的选择,甚至在最初交货之后又提出的扩展理念。