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ZrO2的加入对(CeO2)0.86(SmO1.5)0.14陶瓷性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨了添加 ZrO2对 CeO2/Sm2O3体系电导率和力学性能的影响,并用 XRD、SEM等对材料的微观性能进行了试验分析.结果发现,添加 ZrO2使材料的电导率降低,主要是因为ZrO2的固清使得CeO2电解质材料的晶格常数减小,活化能增加造成的;添加 ZrO2可提高材料的断裂强度,使材料断裂以穿晶断裂为主,其原因可能是ZrO2的固溶强化了晶界;添加 ZrO2促进了致密烧结,使晶界结合紧密.实验确定,外加 2.5mol% ZrO2的 CeO2电解质具有适中的强度和电导率,可以作为电解质材料应用. 相似文献
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利用sol-gel方法合成了ZrO2薄膜,并通过在ZrO2薄膜中复合CdS纳米粒子成功地制备了ZrO2:CdS薄膜.制得的ZrO2薄膜透明并具有较好的光透射性,而ZrO2的含量及膜厚是影响其光透射性的主要因素.分散在ZrO2:CdS薄膜中的CdS纳米粒子为六方相结构,并具有较好的分散性,其平均尺寸为4~6nm.实验结果表明:ZrO2颗粒的晶化会对薄膜的光学性能及表面形貌产生影响,但CdS的形成可以抑制薄膜表面ZrO2颗粒的晶化,从而得到较为平滑的薄膜. 相似文献
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医用NiTi合金表面溶胶-凝胶法制备TiO2-SiO2薄膜 总被引:4,自引:0,他引:4
采用溶胶-凝胶法在NiTi形状记忆合金表面制备了TiO2-SiO2复合薄膜,在提高医用NiTi合金的抗腐蚀性方面,收到了显著的效果.运用电化学方法对不同组成的TiO2-SiO2薄膜在模拟体液中的腐蚀行为进行了研究,结果表明,随薄膜中 Ti/Si比的增加,TiO2-SiO2薄膜的抗腐蚀性增强.划痕试验表明 TiO2-SiO2(Ti/Si=4:1)膜与NiTi合金基体具有较高的界面结合强度.用原子力显微镜(AFM)对TiO2-SiO2薄膜的表面形貌及表面粗糙度进行观察和分析,解释并讨论了TiO2-SiO2薄膜的配方组成与其抗腐蚀性的关系,SiO2含量较少时,薄膜结构致密,膜层均匀平滑,且膜基结合力好,作为医用NiTi合金的表面保护层,可以使其耐腐蚀性有显著提高. 相似文献
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由SiO2/3Y-TZP包裹复合粉体制备ZrSiO4/3Y-TZP细晶陶瓷 总被引:1,自引:0,他引:1
对湿化学法制备的SiO2/3Y-TZP包裹复合粉体进行了热压烧结研究,并利用X射线衍射和透射电镜表征了烧结体的物相和显微结构.在低于1300℃,复合粉体发生瞬时粘性烧结,材料密度迅速提高;随着烧结温度的升高,SIO2和ZrO2发生反应生成ZrSiO4.在1500℃热压条件下,制备了平均晶粒尺寸为350nm的ZrSiO4/3Y-TZP细晶复相材料.我们认为,在烧结过程中形成的第二相ZrSiO4,特别是SiO2包裹层对抑制基体晶粒长大起主要作用. 相似文献
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Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的制备、结构及性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的BST前驱液,用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ba0.7Sr0.3 TiO3薄膜.乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性,并降低薄膜的结晶温度.利用XRD、DTA等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系.厚度 200nm,O2气氛中 700℃处理 15min后的 BST薄膜具有良好的介电性能,100kHz时介电常数ε>400,介电损耗 D<0.02;P—E电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能,剩余极化只约为1.4μC/cm2,矫顽场强 Ec约为 48kV/cm. 相似文献
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PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷, 并通过添加MnO2、Sb2O3和Cr2O3以及改变Zr/Ti比来达到提高K p和Q m的目的. 同时也对Zr/Ti比对材料温度稳定性的影响进行了分析. 实验结果表明: 在960℃的预烧温度、1240℃的烧成温度下, 添加少量的MnO2、Sb2O3和一部分Cr掺杂, 得到综合性能优良的压电材料: 室温下介电常数ξ33T/ξ0=1669, 压电常数d33=285×10-12C/N, 机械品质因数Q m=2179, 机电耦合系数K p=54.9%, 介电损耗tanδ=0.4%. 可以满足超声马达和压电变压器等应用方面的要求. 相似文献
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钙钛磷酸盐微晶玻璃的过析晶作用及其热力学分析 总被引:4,自引:0,他引:4
5Na2O-20TiO2-32P2O5-43CaO系统玻璃在690℃核化和730℃晶体生长的热处理后,可以得到CaTi_4(PO4)6和Ca3(PO4)2两种晶相,经酸滤去Ca3(PO4)2相后,可获得主晶相为CaTi4(PO4)6的多孔微晶玻璃.本文介绍了一种扩大孔径的方法,在该组成玻璃微晶化后及酸滤析之前,在更高的温度880℃下作过析晶处理,此两析晶相能自发地进行固相反应,生成TiO2和Ca2P2O7,后者容易被酸滤析,使得更多的钙和磷自微晶玻璃体中被酸溶出,从而增大了多孔微晶玻璃的孔径.本文还应用热力学第一近似方程,对过析晶过程中的固相反应的自由焓变化作了估算,其数值为-1394kJ/mol,说明在过析晶温度下,固相反应能自发地进行,试样在过析晶前后的XRD物相分析的结果验证了此固相反应机理.本文还利用Johnson-Avirami-Mehl公式对析晶的动力学参数作了近似估算.其析晶活化能为584.7kJ/mol,晶化指数为3.2,说明试样的析晶是以整体析晶的方式进行.此计算的结果也符合试样形貌的SEM观察,即过析晶过程使得整体微晶玻璃的孔径增大. 相似文献
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采用离子交换法, 即以KOH溶液与钛酸纳米管(H2Ti2O4(OH)2)反应, 制备了钛酸钾纳米纤维. 透射电镜(TEM)和X射线衍射分析(XRD)结果表明, 经过离子交换, 形貌由纳米管变为纳米纤维, 晶体结构亦发生改变. 利用原子吸收分光光度法, 比色法和X射线光电子能谱(XPS)对离子交换产物的Ti, K元素的原子比和化学价态进行分析, 结果表明, 离子交换产物的经验式为: K1.34H0.66Ti2O4(OH)2与H2Ti2O4(OH)2纳米管相比, 钛酸钾纳米纤维的热稳定性较好, 700℃以上的热处理才使其晶型发生改变, 出现单斜型的K2Ti4O9. 高温处理导致钛酸钾纳米纤维的直径增加, 但仍保持较大长径比. 该材料的BET比表面积为104m2·g-1. 相似文献
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负载TiO2的硅藻土对亚甲基蓝的光降解性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
硅藻土是一种天然生物成因的SiO2. 采用硅藻土做载体,用溶胶-凝胶法制备TiO2/硅藻土复合光催化剂,TiO2呈薄膜状负载在硅藻土上,部分团聚成颗粒状. 在紫外光条件下负载TiO2硅藻土对亚甲基蓝具有良好的光催化降解性能,36h后对亚甲基蓝的脱除率为90%, 48h达到98%, 降解效果好. 纯硅藻土48h后对亚甲基蓝的脱除率仅为35%左右. 负载TiO2硅藻土对亚甲基蓝的光降解性能受TiO2的同质多像结构影响. 随着锐钛矿含量增加, 负载TiO2硅藻土的光降解性能增强. 但是, 当温度进一步升高, TiO2由锐钛矿型转化为金红石型, 负载TiO2硅藻土的光降解性能随之降低. 添加H2O2明显提高亚甲基蓝溶液的降解效果. 相似文献
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共沉淀法制备钛酸钡微粉的研究 总被引:32,自引:0,他引:32
对以TiCl4和BaCl2为原料,以NH4HCO3+NH3·H2O作沉淀剂,制备钛酸钡粉末的过程进行了详细的热力学分析,找出了合成钛酸钡的条件和范围,详细地讨论了反应方式和前躯体洗涤条件.实验研究了反应物钡钛比,终点pH值,煅烧温度,以及分散剂对产物理化性能的影响.结果表明:在NH4HCO3/BaCl2=1.2,TiCl4/BaCl2=1-1.01,充分搅拌反应1h,煅烧温度920℃,煅烧时间2h条件下,可以制得较理想的产物.在反应体系中加入适量分散剂可以明显降低产物的粒径. 相似文献
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TiO2/ACF复合材料的Sol-Gel法制备及其对苯的去除性能 总被引:3,自引:0,他引:3
以钛酸四丁酯为钛源,采用改进溶胶凝胶法合成TiO2前驱体;采用浸渍提拉法将TiO2前驱体负载在活性炭纤维(ACF)表面制得TiO2/ACF复合材料.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、低温液氮吸附等对TiO2/ACF复合材料晶相结构、表面结构等进行了表征.在静态自制光催化反应装置中紫外光照射条件下,以高浓度(2926.5mg/m3)气态苯考察TiO2/ACF对气相有机污染物的去除性能,以气相色谱质谱(GC-MS)检测中间产物种类与分布.结果表明:TiO2于ACF表面形成完整薄层,随负载次数增加,TiO2/ACF比表面积下降;TiO2薄层变厚、开裂,甚至脱落.400 ℃煅烧时TiO2已完全转变为锐钛矿相,随煅烧温度升高,锐钛矿型TiO2晶粒尺寸变大,至700℃时开始有金红石相生成.负载2次,400 ℃煅烧TiO2/ACF复合材料TiO2/ACF-400-2表现出最高活性.TiO2/ACF对苯的去除过程中未检测到毒性较大的酚、醌类中间产物. 相似文献
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真空气氛下非晶硅碳氮(SiCN)陶瓷的高温晶化行为 总被引:1,自引:0,他引:1
以六甲基二硅氮烷为单一前驱体,采用电热裂解化学气相沉积技术制备了SiCN陶瓷. 借助X射线衍射仪、透射电子显微镜研究了真空环境中非晶SiCN陶瓷在1300~1900℃范围内的晶化行为,并根据研究结果,运用分解-结晶机理解释了其晶化过程. 非晶SiCN陶瓷在低于1300℃开始发生分解,形成富Si-C区域,并最终发生β-SiC结晶. 其结晶度随热处理温度的升高而愈加明显.在1700℃处理时发生β-SiC→α-SiC相变. 分解形成的N-难以与Si-结合形成富Si-N区域,最终以N2形式溢出,在整个热处理温度范围没有出现氮气下热处理时存在的Si3N4结晶. 相似文献