电场辅助离子交换制备玻璃光波导

使用电场辅助离子交换和热离子交换技术在玻璃基片上制作了平板波导。实验结果表明,这两种方法制作的波导的有效折射率分布不同,电场辅助离子交换技术制作的波导有效折射率呈近似阶跃型分布,而热离子交换制作的波导有效折射率分布为渐变型。经数值计算发现,近似阶跃型折射率分布的波导对光场限制得更好,更适用于制作有源光器件和集成光器件。     

硅基波导、光探测器和CMOS电路的集成

对于集成光学器件和微电子电路制作，应用了驻波监控指示技术（ＳＷＡＭＩ）、局部氧化技术（ＬＯＣＯＳ）、光波导和探测器的平接、漏波，以及镜耦合技术。文章介绍了硅基光波导、光探测器和ＣＭＯＳ电路的单片集成技术。讨论了集成工艺以及静态和动态测量结果     

适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD／LDSSOI MOSFET器件模型

本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电压电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的存在对本征ＭＯＳ器件电流特性的影响。     

分析介质光波导传播特性的Cole—Hopf变换法

采用Cole-Hopf变换法，将平板光波导导模所满足的二阶常微分方程（Helmholtz方程）变换成一阶常微分方程（Riccati方程），用较简单且有效的方法分析导模的特性。给出了多层阶跃型及渐变型平板波导导模的精确解析解和数值解法及实例；给出了非线性平板波导传播特性的数值计算法及实例。     

光学结晶光纤概述

目前，包括CATV光纤线路在内的光通信系统所用的光纤，都是采用在石英(硅Si)玻璃中掺杂一些元素，使纤芯截面形成预期的折射率分布的折面图形状，使用折射率高的纤芯来实现光的波导传送的。厂家为了实现设计的传送性能，如：多模(MM)、单模(SM)和折射率的突变阶跃(SI）型、渐变(GI)型以及色     

SOI材料在光电子学中的应用

SOI材料是应用于硅基光电子学中的一种重要的光波导材料。近年来随着SOI材料制备和加工技术的成熟,SOI基光波导器件的研究日益受到人们的重视。文章介绍了SOI材料在光电子学领域的一些具体应用,包括了在热光器件、电光器件、亚微米波导器件与光纤的耦合器以及光电子集成芯片等方面的最新研究进展。更小的波导截面尺寸是未来SOI光波导器件发展的必然趋势。     

渐变折射率分布MMI型光功分器的研制

以离子交换玻璃波导为例详细分析了渐变折射率分布波导中的自镜像效应,并完成了1×8渐变折射率分布MMI光功分器的设计和特性分析。在理论分析和设计的基础上完成了器件的制作,包括在国产K9光学玻璃上利用K+-Na+离子交换技术和以苯甲酸为交换源在铌酸锂基片上利用质子交换工艺分别完成1×8MMI光功分器的制作。测试表明器件基本实现了光均分功能。     

布拉格谐振腔的分析与计算

本文采用与以往研究布拉格谐振腔不同的方法，将腔中的波纹反射段当作一段轴对称的渐变截面波导段，利用光滑渐变波导中的耦合波理论，对存在模式耦合的多模情况和不同参数的布拉格谐振腔进行了研究。得到与实验较符合的结果。同时，本文还研究了布拉格谐振腔的品质因素。     

信息领域中的主要新型元器件(下)

２）．异质结ＩＭＰＡＴＴ器件 ＩＭＰＡＴＴ器件输出功率比ＧＵＮＮ器件高很多,但因雪崩倍增过程带来的固有噪声很高,从而限制了ＩＭＰＡＴＴ器件在很多领域的应用。ＩＭＰＡＴＴ器件要进一步提高输出功率,必须从改进效率入手,一方面要使雪崩区的宽度占整个耗尽区的比例要小,同时要寻找高化率阈值高的材料,使雪崩电压ＶＡ下降。基于这种想法,应该采用异质结结构,即用一种窄带隙的材料,（例如ＩｎＰ,其带隙为１．５ｅＶ）,作为漂移区,由于ＩｎＧａＡｓ的离化阈值低而离化率比ＩｎＰ高很多,可以实现低雪崩阈值ＶＡ,降低阈值电…     

测度不变方程法及其应用

本文研究ＭＥＩ法的基本原理，给出ＭＥＩ法的变分解释。文中讨论ＭＥＩ法的各种用途，着重介绍ＭＥＩ法在波导不连续性问题中的应用。     

Proposal for Diminishment of the Polarization-Dependency in a Si-Nanowire Multimode Interference (MMI) Coupler by Tapering the MMI Section

This letter presents a design for diminishing the polarization-dependency of a Si nanowire-based multimode interference (MMI) coupler by using a tapered MMI section. The entrance width and waist width of the tapered MMI section are optimized to obtain a polarization-insensitive MMI length for N-fold self-imaging. The MMI section with a diminished polarization-dependency has a relatively large entrance width, which is beneficial to the separation of adjacent access waveguides for minimizing the coupling between them. One can tune the power splitting ratio of a 2 times 2 Si-nanowire MMI coupler by adjusting the entrance and the waist width of the tapered MMI section.     

Vertical Coupling of Polymeric Double‐Layered Waveguides Using a Stepped MMI Coupler

We designed a multimode interference (MMI) coupler to use in vertical coupling of double layered polymeric waveguides and analyzed the coupling characteristics by comparing our experimental and simulation results. We found that our proposed new structure, a stepped MMI coupler, is effective in vertical coupling between waveguide layers with a short length of MMI and has a high tolerance for the variation in the structure of an MMI coupler that can be induced as errors in the fabrication process.     

Compact and Economical MMI Optical Power Splitter for Optical Communication

A 1 X 8 GaAs/GaAlAs optical power splitter based on a MultiMode Interference (MMI) coupler is presented. The input and output single mode waveguides are optimized by the Discrete Spectral Index Method (DSIM) and a moderate square spot on the output in deepetched rib waveguides is obtained. The fabrication tolerance has been analyzed by the Finite Difference Beam Propagation Method (FDBPM). The device was fabricated by the dry etching technique and the near-field output obtained. The device shows polarization-insensitive, large fabrication tolerance, low theoretical excess loss and low power imbalance.     

Compact triangular resonator without direct coupling between two access waveguides

Novel triangular resonators containing active and passive sections have been fabricated and characterised with various multimode-interference (MMI) lengths. The optimum MMI length and width turn out to be 108 and 9 mm, respectively. A free spectral range of approximately 228 GHz is observed near 1558 nm along with an on?off ratio of 9 dB. The proposed triangular resonator has the advantage of removing the direct coupling between the two access waveguides of the MMI coupler.     

基于SOI的2×2 MMI耦合器的设计

设计了一种可用于阵列波导光栅(AWG)解调集成微系统的绝缘体上硅(SOI)基2×2多模干涉(MMI)耦合器,用光束传播法(BPM)对MMI耦合器进行了模拟。耦合器输入/输出波导采用倒锥形,多模干涉区尺寸为6μm×57μm。在TE偏振中心波长为1.55μm时,器件附加损耗为0.46dB,不均匀性为0.06dB。在1.49～1.59μm波长范围内耦合器的附加损耗小于1.55dB。仿真结果表明所设计的2×2MMI耦合器体积小、附加损耗低、波长响应范围宽、分光均匀,符合片上集成系统的要求。     

硅基槽波导级联多模干涉耦合器型偏振分束器

提出了一种基于硅基槽波导的级联多模干涉(MMI)耦合器型偏振分束器,由锥形及矩形结构MMI耦合器构成.级联结构使器件长度无需为两偏振模自镜像长度的公倍数,不仅能有效减小器件尺寸,而且提高设计灵活性.同时,利用槽波导的高双折射特性及MMI耦合器的锥形结构,可进一步缩短器件尺寸.分析结果表明,所提器件能够有效实现偏振束分离,两级MMI工作区总长度仅为42μm,准TE与准TM模的偏振消光比分别为29.8和31.4d B,1.55μm波长下的插入损耗分别为0.395和0.699 d B,偏振消光比大于20 d B时光带宽为43 nm,覆盖整个C波段.最后,详细分析了器件关键参数的制造误差对器件性能的影响.     

基于MMI的存在旋转的异类图匹配方法

为了解决存在旋转的异类图匹配问题,在互信息（MMI,Maximum of Mutual Information）匹配方法的基础上,利用穷举法在参考图中找出实时图的对应匹配位置,并作为控制点,利用模型以及最小二乘方法找出两幅图像的对应关系。利用参考图的旋转变换较好地解决了存在旋转的异类图匹配问题;把控制点理论应用于灰度匹配得到的匹配点;把景象匹配的新成果（MMI）用于解决旋转异类图匹配。仿真实验表明此方法可较好地解决存在旋转的异类图匹配问题。     

弱限制MMI型光功分器

本文采用导模数值计算法对MMI(多模干涉)型光功分器SIE干涉区内的导模进行计算并对输出波导位置进行优化,证明在一定条件的弱限制下器件的插入损耗和输出均匀度均超过强限制的情况,说明MMI型光功分器的制作可以采用方便的湿法刻蚀,在器件成本降低的同时其精度也得到改善.     

二维限制多模干涉器非对称自映像特性

采用导模传输法分析了二维限制多模干涉器 (MMI)的自映像效应 ,详细讨论了二维限制MMI器件的非对称自映像性质 ,并用三维全矢量光束传输法验证了分析结果     

Accurate analysis of MMI devices with two-dimensional confinement

The accurate analysis of multimode interference (MMI) devices with two-dimensional (2-D) confinement has been demonstrated by using the least squares boundary residual (LSBR) method. Accurate modal propagation constants and spatial field profiles in the MMI section are obtained by using the vector H-field based finite element method. The accurate calculation of the excited modal coefficients is achieved by using the LSBR, which satisfies the continuity of the transverse field components more rigorously than using simple overlap integrals