PbTe薄膜及单晶的电磁特性研究

采用布里奇曼法在 Ar气气氛中于石英坩锅内合成了 Pb Te单晶 ,并运用真空蒸镀法制成了其多晶薄膜 ,测试了它们的伏安特性、热电特性、光电导效应 .实验发现 :所合成的 Pb Te单晶是 P型半导体 ,对可见光较敏感 ;Pb Te薄膜及单晶的温差电动势具有相同的数量级 ,均具有显著的热电效应 .     

NiTi形状记忆合金薄膜中的相变

NiNi形状记忆合金薄膜是从块体状形状记忆合金中发展起来的一种新型功能薄膜材料 ,它具有不完全类同于块体状形状记忆合金的相变行为与记忆效应 本文综述了薄膜制备条件、化学成份、热处理工艺及循环条件对这种薄膜的组织结构 ,尤其是主体相变行为和脱溶分解行为的影响 .表明上述因素的影响相当复杂 ,适当调整各种条件方可获得好的形状记忆效应     

Cr沉积TiO_2复合薄膜的制备及其可见光催化性能

真空蒸镀法结合溶胶凝胶法成功制备Cr沉积TiO2三层复合薄膜.通过XRD、SEM、UV-vis等手段表征沉积Cr后的TiO2薄膜的结构、可见光吸收性能,以亚甲基蓝溶液为目标物评定其可见光光催化活性.结果表明:该法制备的Cr沉积TiO2复合薄膜,在723 K热处理后,蒸镀的金属层仍然为金属Cr,823 K时被氧化为Cr2O3.不同温度热处理后Cr沉积的TiO2复合薄膜在可见光区均表现出良好的光吸收性.而且随着热处理温度的升高,光吸收性能明显增强.降解实验表明,823 K热处理后的薄膜样品光催化性能最好.在可见光光照射2 h后,对亚甲基蓝溶液降解率接近40%.     

湿化学方法制备Sb2S3玻璃薄膜

Sb2S3薄膜在非线性光学和太阳能电池方面具有重要的应用.以SbCl3为原料,用湿化学方法制备了Sb2S3薄膜.用XRD、DSC、FTIR和XPS等对薄膜进行了结构表征,用椭圆偏振仪测试了薄膜的折射率.研究结果表明所得薄膜为非晶态,其析晶温度约250 ℃,折射率约2.98,薄膜组成计量接近Sb2S3.     

真空蒸镀热反射玻璃电清洗工艺研究

分析了蒸镀反射膜时电清洗玻璃的必要性,提出了在真空室体中设置栅极并加以负高压,采用氨气产生等离子场并用其轰击清洗玻璃表面的方法。实验确定了蒸镀热反射膜（ｎｉ／ｃｒ）时的最佳轰击清洗时间。     

TiNi形状记忆合金薄膜的表面形貌及影响

研究了ＴｉＮｉ形状记忆合金薄膜的表面形貌及其影响因素、试验结果证明：该薄膜的形成过程遵循形核、长大、迷津结构和连续膜４个阶段,镀时氩分压、基板温度、基板类型、基板的表面粗糙度以及膜的成分、镀后热处理等对薄膜的形貌有重大的影响。     

ZnO薄膜的制备及发光研究进展

ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有优良的光电性能,在光电器件、压电器件、表面声波器件等领域具有广泛的应用前景。介绍了ZnO薄膜的制备方法及影响薄膜光致发光效果的不同因素。     

含银二氧化硅薄膜的制备

用溶胶－凝胶法在浮法玻璃上镀制了含银的二氧化硅薄膜。用透射电镜、电子衍射和能谱仪研究了薄膜的微观结构和银的结合状态。讨论了镀膜玻璃的光谱特性。     

WC—Co硬质合金上高质量金刚石薄膜的制备

采用微波等离子体化学气相沉积法在硬质合金基体上制备金刚石薄膜,研究了铜过渡层和酸蚀脱钴两种基体前处理工艺以及在施加铜过渡层的情况下,不同的沉积气压和基片温度对金刚石薄膜的质量的影响。结果表明,在施加铜过渡层后,在适中的沉积条件下（沉积气压6．0kPa,基片温度约为780度）可得到质量较好的金刚石薄膜。     

PVD镀膜技术研究及进展

叙述了PVD镀膜技术的基本原理,各种PVD工艺和膜分析方法的最新进展,介绍了PVD今后的研究方向。     

玻璃弹簧载TiO2薄膜的制备及其光催化特性

采用玻璃弹簧为载体,以掺有纳米级Ti(OH)4粒子的溶胶-凝胶成膜,制备了可使光透射距离与普通玻璃微珠相比增加了5倍的嵌有纳米级TiO2粒子的光催化剂。其光降解模拟染料废水的脱色效率,与相同镀膜条件、相同质量的玻璃珠相比,提高了2.03倍。XRD图谱表明,在510℃时TiO2膜为锐钛矿相;SEM形貌像表明,掺入的纳米粒子均匀地镶嵌入TiO2薄膜中;DSC-TDG分析表明,507°C时Ti(OH)4分解失水且TiO2由无定型转变为锐钛矿相。     

Preparation and Properties of Ag-TiO_2 Thin Films on Glass Substrates

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎ 1970ｓ ,ｔｈｅｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｔｉｃｐｒｏｐｅｒｔｙｏｆｔｉｔａｎｉｕｍｄｉｏｘｉｄｅ (ＴｉＯ2 )ｗａｓｆｏｕｎｄｂｙＦｕｊｉｓｈｉｍａｅｔａｌ[1] .ＴｉＯ2 ｉｓｗｈｉｔｅｉｎｃｏｌｏｒ,ｉｎｅｘｐｅｎｓｉｖｅ ,ａｎｄｎｏｎｔｏｘｉｃ .Ｂｅｃａｕｓｅｏｆｉｔｓｓｔｒｏｎｇｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｔｉｃｅｆｆｅｃｔ ,ＴｉＯ2 ｉｓｕｓｅｄｉｎｔｈｅｔｒｅａｔｍｅｎｔｏｆｗａｓｔｅｗａｔｅｒａｎｄｔｈｅｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆａｉｒａｓａｎａｎｔｉｂａｃｔｅｒｉａ…     

不同衬底温度对ZnO薄膜结构和光学性质的影响

利用磁控溅射在玻璃基片上制备了不同衬底温度下的ZnO薄膜.借助X射线衍射仪(XRD)、吸收光谱、光致发光谱(PL)等手段研究了衬底温度对ZnO薄膜的微结构、光致发光性能的影响.结果表明:所有样品均呈现ZnO六角纤锌矿结构且具有高度c轴择优取向;ZnO薄膜在可见区的吸收系数很小,在紫外区有很高的吸收系数;室温下的荧光光谱显示薄膜具有较强的紫光发射.     

金刚石薄膜形貌的控制

用热丝CVD法,以甲烷和氢气为气源,制备出了优质的金刚石薄膜。研究了沉积工艺参数对金刚石薄膜形貌的影响。结果表明：降低碳源浓度或升高衬底温度,沉积的金刚石薄膜呈现以三角形为主的形貌;反之,沉积的金刚石薄膜则呈现以四方形为主的形貌。     

溅射法制备SmS薄膜的XRD研究

分别采用Sm2S3的单靶溅射法和Sm—Sm2S3的双靶溅射法，于单晶Si基板上制备了常温常压下稳定存在的S—SmS和M—SmS微晶薄膜，并采用卢瑟福背散射仪及薄膜X—射线衍射仪系统地研究了基板温度和溅射功率对薄膜微晶结构的影响规律。     

Carbon Nitride Films Deposited on Pt Substrates by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

Carbon nitride thin films have been synthesized on polycrystalline Pt substrates using microwave plasma chemical vapor de- position (MPCVD) technique. The N/C atomic ratio is close to the stoichiometric value 1.33 of C_3N_4. The experimental X-ray diffraction spectra contain all the strong peaks of α-C_3N_4 and β -C_3N_4. The films are a mixture of α-C_3N_4 and β -C_3N_4. The observed Raman and FT- IR spectra support the existence of C-N covalent bond in carbon nitride compound. The bulk modulus detected by Nano II nanoindentor is up to 349 GPa.     

衬底温度对ZnO薄膜结构和光学特性的影响

采用射频磁控溅射的方法在不同温度下Si(111)衬底上制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM),光致发光(PL)谱等分析手段研究了衬底温度对ZnO薄膜微观结构及发光特性的影响.通过XRD和AFM分析发现随着衬底温度的升高,制备样品的X射线衍射半高宽(FWHM)减小,晶粒尺寸增大,在300 ℃时晶粒尺寸达到最大,但随温度的进一步升高(至400 ℃)晶粒尺寸减小,缺陷增多.薄膜样品PL谱均在520nm处出现绿光发射峰,本文认为这是由于氧空位(V_O)和氧替位(O_(Zn))共同作用的结果,绿光发射峰强度与其结晶质量密切相关,结晶质量越好,杂质和缺陷态就越少,发光峰越弱.     

低温热处理制备掺铝氧化锌薄膜技术的研究

使用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备掺铝氧化锌薄膜,研究热处理温度对薄膜结构、形貌、电学性能的影响。结果表明:使用低温热处理制备的薄膜具有更好的C轴取向生长,表面平整质密,面阻最小达到1800Ω/□。     

电子束蒸发沉积TiO2薄膜结构及光学性能的研究

研究了工艺条件对电子束蒸发沉积在 K9玻璃上 Ti O2 薄膜的结构和光学性能的影响。正交试验结果表明 ,基片温度是影响薄膜光学常数的主要因素 ,制备 Ti O2 薄膜的最佳工艺参数为 :基片温度 30 0℃ ,工作真空 2× 10 - 2 Pa,沉积速率 0 .2 nm/ s。采用最佳工艺沉积在透明基片上的 Ti O2 薄膜在可见光区具有良好的透过特性 ,同时也得出了薄膜的光学带隙能 Eg=3.77e V。 SEM观察结果表明薄膜为柱状纤维结构 ,柱状纤维的直径在 10 0～ 15 0 nm之间     

沉积TiO2膜的成型活性炭的制备及性能研究

以粉末活性炭为基料,煤焦油为粘结剂,淀粉为造孔剂,添加适量的羧甲基纤维素（CMC）,经稳定化、炭化、活化等工艺制备成型活性炭（FAC）,并在表面沉积具有光催化活性的TiO2膜。考察原料组成及热处理温度对FAC机械强度、透水性及吸附性能的影响。当成型活性炭原料配比（质量分数）为粉末活性炭60%,焦油28%,淀粉6%,CMC6%,稳定化温度为270℃,炭化温度500℃,活化温度800℃,FAC性能较好。TiO2膜的沉积提高了FAC的强度,吸附性能和透水性变化不大。