金属材料改性的离子注入技术

本文概述了金属离子注入技术的特点，并就国内外的应用情况，介绍了离子注入后，金属材料耐磨性、抗蚀性显著改善的研究。着重对金属离子注入机的要求和发展方向作了简要介绍。     

金属材料改性的离子注放技术

本文概述了金属离子注入技术的特点，并就国内外的应用情况，介绍了离子注入后，金属材料耐磨性，抗蚀性显著改善的研究。着重对金属离子注入机的要求和发展方向作了简要的介绍。     

提高金属材料离子注入效益的一条新途径

本文评述了在金属材料领域中应用离子注入技术的现状;阐明了提高离子注入效益的一条新途径:不仅以离子注入技术改变工模具的性能,延长其使用寿命,而且以离子注入技术来显著提高金属产品的质量。文末还对进一步发展离子注入的前景做了展望。     

双重离子注入钢表面钝化层的形成和抗腐蚀特性

利用金属离子与碳离子双注入可在金属表面形成陶瓷化的复合层,取得了抗腐蚀和抗磨损优良特性,研究了注入剂量和束流密度对这种复合层结构的影响,X射线分析结果表明,双注入可形成金属合金相和碳化物的钝化复合层,电化学测量和扫描电子显微镜观察表明,金属离子注入可明显地改善H13钢表面抗腐蚀特性,Mo C和Ti C双注入则此Mo和Ti单注入抗腐蚀和抗磨效果好得多,碳和金属离子双注入顺序对腐蚀特性也有明显的影响,研究表明,先注入碳后注入金属效果更好。随束流密度的增大,改性效果增强,注入后退火可形成陶瓷化的复合层,抗腐蚀效果进一步得到提高。     

离子束辅助低能碳离子注入工艺原理

离子束辅助低能碳离子注入是在低能含碳离子束轰击样品表面并沉积膜层的同时采用中能离子束辅助轰击注入，它可在低温下将碳离子注入到样品表层足够的深度，其注入深度比动态离子束混合(DIM)增加1～2倍。离子束流实行交替变化，有利于保持较低的样品基体温度，且比恒束流注入的深度有明显增加。它对材料表面改性效果明显优于DIM工艺，离子注入改性后，40Cr钢表面显微硬度HV可提高一倍左右。     

离子注入抛光效应的研究

本文对离子注入重要效应之一的抛光效应产生机理、一些试验结果及其在微细加工中的应用做了较深入的探讨。     

离子注入有机聚合物

本文综述了聚合物在离子注入下对结构、化学、光学、电学等性质的影响,并评估了其潜在用途。     

氩离子注入硅表面引起氧化增强效应

实验证实了氩离子注入硅表面后在氧化时引起氧化增强效应;在硅表面注入氩离子后,将注入与非注入样品在温度1000℃的炉体中进行干氧、湿氧生长SiO_2,用膜厚测试仪测二氧化硅层的厚度;结果表明,在相同氧化条件下,氩离子注入样品的氧化层膜厚大于非注入样品的氧化层膜厚度。     

离子注入技术在气敏材料上的应用

离子注入技术已被应用于气敏材料的开发研究，这是离子注入技术的一个较新的应用领域。本文介绍离子注入技术对气敏材料表面层组分、结构、电导率及气敏特性进行改性的研究进展。     

强流离子注入均匀性控制

本文讨论了强流离子注入机的全机械扫描靶室中实现剂量高均匀性和高重复性注入的变速扫描设计原理及控制技术。     

离子注入R－PVC材料静电性能研究

采用１５０ｋｅＶ不同注入济量的Ａｒ－离子，对特种聚氯乙烯（Ｒ－ＰＶＣ）材料注入，进行抗静电改性，使材料表面静电特性得到显著改变。对比实验和近九年的静电性能跟踪测试表明：在相同条件下，改性材料与未改性材料相比，表面电阻率下降四个数量级以上，静电半衰期由数小时减小到秒量级，抗静电性能稳定。与化学改性工艺相比，离子束改性材料不怕水洗，不怕高温，受环境湿度影响小，抗静电性能具有永久性。     

离子注入对轴承材料耐滚动磨损性能的影响

本文小结了用Cr+Mo+N和Cr+Mo+B的离子直接注入GCr15和Cr4Mo4V两种轴承材料后对其耐滚动磨损能力的影响。试验结果表明,无论是用活化法(TLA)还是称重法,注入后的耐磨性能都有1—3倍的提高。     

北大重离子所离子注入工作现况

北京大学初步建成能量直至兆电子伏级的离子加速器——离子注入设备系统。本文总结了北大重离子物理所离子束应用组几年来开展离子注入研究的工作,包括:开发应用微机计算离子射程分布的SARIS、TRION、MACA程序,其中后者可适用于高剂量注入动态靶;实验研究了MeV硼离子注入硅的分布,提出了多能注入形成平台载流子分布的实用方法;在离子注入高分子材料研究中观测到了增强氧化和C=C双键形成等现象,研究了光刻胶的离子束曝光特性;系统研究了应用离子束混熔技术在低碳钢表面形成的Al和Al合金镀层,大大提高了基体钢的耐腐蚀能力。     

离子注入在Power MosFET中的应用

本文结合笔者的科研,论述了离子注入在Power MOS FET制作中的应用,并指出:由于离子注入较之扩散具有一系列优点,因此,离子注入不仅在制作Power MOS FET中作用巨大,而且在其他功率器件中的应用也将越来越广泛。     

硅中硼离子注入校准样品的研制

本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。     

氮离子注入对有机高分子材料表面电阻率和硬度的影响

利用不同注入剂量（５×１０１３～１×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２）氮离子在室温下对聚甲基丙稀酸甲酯和聚乙稀表面进行注入。标准四探针方法对其电性能测量表明：经氮离子注入后,它们的表面电阻率均有明显下降。此外离子注入也对样品表面的硬度有不同程度的影响。喇曼光谱测试表明：低剂量注入后的样品表面形成了具有高ｓｐ２相的类金刚石结构,这是表面电导率明显提高的主要原因。