80dB动态范围,用于低中频结构GSM接收机的∑△调制器

介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.该调制器采用3阶单环单比特的结构,电路使用全差分开关电容结构实现,并在0.6μm 2P2M CMOS 工艺下流片验证.调制器使用全差分±1V参考电压,工作在26MHz采样频率,过采样率为64.测试结果表明,在200kHz信号带宽内,调制器达到80.6dB动态范围,峰值SNDR达到71.8dB,峰值SNR达到73.9dB.整个调制器电源电压为5V,静态功耗为15mW.     

80dB动态范围，用于低中频结构GSM接收机的ΣΔ调制器

介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度ΣΔ调制器.该调制器采用3阶单环单比特的结构,电路使用全差分开关电容结构实现,并在0.6μm 2P2M CMOS工艺下流片验证.调制器使用全差分±1V参考电压,工作在26MHz采样频率,过采样率为64.测试结果表明,在200kHz信号带宽内,调制器达到80.6dB动态范围,峰值SNDR达到71.8dB,峰值SNR达到73.9dB.整个调制器电源电压为5V,静态功耗为15mW.     

1.8V音频∑△调制器的设计

介绍了一种适用于语音信号处理的16位24 kHz ∑△调制器.该电路采用单环三阶单比特量化形式,利用Matlab优化调制器系数.电路采用SIMC 0.18μm CMOS工艺实现,通过Cadence/Spectre仿真器进行仿真.仿真结果显示,调制器在128倍过采样率时,带内信噪比达到107 dB,满足设计要求.     

84dB动态范围13b/400kHz/3V/5.88mW∑△模数转换器

介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.为了达到高线性和稳定性,调制器采用2-1级联单比特的结构实现.电路在0.18μm CMOS工艺下流片验证,核心面积为0.5mm×1.1mm.调制器工作在19.2MHz的采样频率,在3V电源电压下功耗为5.88mW.测试结果表明,在200kHz信号带宽,过采样率为64的条件下,调制器达到84.4dB动态范围,峰值SNDR达到73.8dB,峰值SNR达到80dB.     

一个用于GSM的80dB动态范围∑-△调制器

设计了一个用于GSM系统的Sigma-Delta调制器.GSM系统要求信号带宽大于200 kHz,动态范围大于80dB.为了能取得较低的过采样率以降低功耗,采用了级联结构(MASH)来实现,与单环高阶结构相比,它具有稳定及易于实现的优点.设计工作时钟为16MHz,过采样率为32,基带带宽为250 kHz,电路仿真可以达到最高82dB的SNDR和87dB的动态范围.芯片采用SMIC 0.18μm工艺进行流片,面积为1.2mm×1.8mm.芯片测试效果最高SNDR=74.4dB,动态范围超过80dB,测试结果与电路仿真结果相近,达到了预定的设计目标.芯片工作在1.8V电源电压下,功耗为16.7mW.     

一个用于GSM的80dB动态范围∑-△调制器

设计了一个用于GSM系统的Sigma-Delta调制器.GSM系统要求信号带宽大于200 kHz,动态范围大于80dB.为了能取得较低的过采样率以降低功耗,采用了级联结构(MASH)来实现,与单环高阶结构相比,它具有稳定及易于实现的优点.设计工作时钟为16MHz,过采样率为32,基带带宽为250 kHz,电路仿真可以达到最高82dB的SNDR和87dB的动态范围.芯片采用SMIC 0.18μm工艺进行流片,面积为1.2mm×1.8mm.芯片测试效果最高SNDR=74.4dB,动态范围超过80dB,测试结果与电路仿真结果相近,达到了预定的设计目标.芯片工作在1.8V电源电压下,功耗为16.7mW.     

低电压∑-△调制器关键技术及设计实例

介绍了低电压开关电容∑-△调制器的实现难点及解决方案,并设计了一种1V工作电压的∑-△调制器。在0．18μm CMOS工艺下,该∑-△调制器采样频率为6．25MHz,过采样比为156,信号带宽为20kHz;在输入信号为5．149kHz时,仿真得到∑-△调制器的峰值信号噪声失真比达到102dB,功耗约为5mW。     

1．8V电源电压81dB动态范围的低过采样率∑△调制器

采用222级联全差分结构和低电压、高线性度的电路设计实现了高动态范围、低过采样率的∑△调制器．在1．8V工作电压，4MHz采样频率以及80kHz输入信号的条件下，该调制器能够达到81dB的动态范围，功耗仅为5mW。结果表明此结构及电路设计可以用于在低电压工作环境的高精度模数转换中。     

开关电容—∑△调制器设计中电容值的计算

采用开关电容技术设计∑△调制器适应了ＶＬＳＩ的发展本文提出了一种利用系数匹配原理,确定开关电容网络元件值,;实现传输函数的方法。     

高阶模拟∑-△调制器设计研究

在简要介绍高阶1位量化∑-△A/D转换器基本原理的基础上,分析了∑-△调制器的噪声特性;介绍了传统线性模型下的噪声传递函数的设计方法.同时,结合实际高阶模拟∑-△调制器的开关电容实现电路,重点对影响调制器性能的非理想因素进行了详细分析,并采用程序建模仿真的方法指导电路设计.与传统设计方法的结果对比表明,文中的方法可以为电路设计提供更加可靠的依据.     

一种高线性度100 kHz带宽∑△调制器

设计了一个100 kHz信号带宽、80 dB SNDR、3.3 V电源电压的单环三阶∑△调制器.电路采用AB类运放,可在较低静态功耗下实现较高的压摆率.电路采用UMC 0.18μm CMOS工艺制作,版图面积为1.7 mm×1.3 mm.芯片测试结果显示:在12 MHz时钟频率、60倍过采样下,调制器可达到100 kHz信号带宽,75.7 dB SNDR和98 dB SFDR.     

一种用于驻极体麦克风的CT-SC ∑-△调制器

传统的模拟麦克风由于自身抗干扰能力差,很难满足新一代音频系统对输入端的要求,文章提出了一种用于数字麦克风的CT-SC∑-△调制器技术,将CT积分器和SC积分器结合在一个∑-△调制器中,可以与驻极体麦克风进行无缝连接,能够将麦克风产生模拟信号直接转换成后续数字设计平台所需的数字信号.测试结果表明,CT-SC∑-△调制器动态范围达到88 dB,等效输入参考噪声为5 μV,正常工作功耗为540 μw,休眠模式下消耗电流不超过10μA;与传统模拟麦克风相比,CT-SC∑-△调制器构成的数字麦克风可以提供更好的信噪比、更高的集成度、更低的功耗和更强的抗干扰能力.     

一种14位、1．4MS／s、多位量化的级联型∑△调制器

在0.6μm CMOS工艺条件下设计了一种适合DECT(Digital Enhanced Cordless Telephone)标准的1.4MS／sNyquist转换速率、14位分辨率模数转换器的∑△调制器。该调制器采用了多位量化的级联型(2—1—1 4b)结构，通过Cadence SpectreS仿真验证，在采样时钟为25MHz和过采样率为16的条件下，该调制器可以达到86．7dB的动态范围，在3．3V电源电压下其总功耗为76mW。     

一种5阶1位∑-△调制器的设计

提出了一种稳定的5阶∑-△调制器的设计与调试方法.电路采用5阶级联结构,主要用CMOS开关电容技术实现,文章重点放在调制器结构的设计及几种防止系统发散和改进性能的途径上.模拟实验表明,经过改进的系统有较好的性能.     

一种13位400kHz1 1mW∑-△模拟／数字转换器

设计了应用于低中频GSM接收机的三阶单环单比特结构∑-△A／D转换器。调制器采用全差分开关电容积分器实现。仿真结果显示，在工作电压为3V、信号带宽200kHz、0．35μmCMOS工艺的条件下，过采样率选择为64，信号／噪声失真比（SNDR）达到85dB，功耗不超过11mW。     

基于开关电容技术的∑△调制器的设计

基于0.18μm标准CMOS工艺,设计并实现了一个单环三阶开关电容∑△调制器.电路采用具有加权前馈求和网络的积分器级联型拓扑结构,采用优化的具有正反馈的单级A类OTA来降低功耗.在设计中,采用电流优化技术来降低运算跨导放大器(OTA)的功耗.∑△调制器的过采样率为128,时钟频率为6.144 MHz,信号带宽为24 k...     

高阶∑—△调制器中运算放大器（OTA）的设计

介绍了五阶∑-△调制型模数转换器中放大器的设计过程。引入一种新型的采用交叉耦合差分输入负电阻负载的运放。     

一个用于GSM的80dB动态范围∑-Δ调制器

设计了一个用于GSM系统的Sigma-Delta调制器．GSM系统要求信号带宽大于200kHz，动态范围大于80dB．为了能取得较低的过采样率以降低功耗，采用了级联结构（MASH）来实现，与单环高阶结构相比，它具有稳定及易于实现的优点．设计工作时钟为16MHz，过采样率为32，基带带宽为250kHz，电路仿真可以达到最高82dB的SNDR和87dB的动态范围．芯片采用SMIC0．18μm工艺进行流片，面积为1．2mm×1．8mm．芯片测试效果最高SNDR=74．4dB，动态范围超过80dB，测试结果与电路仿真结果相近，达到了预定的设计目标．芯片工作在1．8V电源电压下，功耗为16．7mW．     

一种用于X光成像的CMOS模拟△-∑调制器

设计了一个用于32通道X光成像系统前端的模拟△-∑调制器。基于一种通用的2阶1比 特结构,引入了对调制器环路状态进行复位的操作来避免在通道数据间发生相干性。Hspice和 Matlab下的仿真表明,在0.54μm标准CMOS工艺下,采用30 MHz的采样时钟,该调制器可以保 证对每个通道14位以上的转换精度。该调制器采用5 V电源,功耗小于40 mW,面积为1.13 mm× 0.92 mm,可作为专用硬核使用。     

适用于高阶∑△调制器的全差分运算放大器的设计

比较了增益自举式共源共栅、折叠式共源共栅和套筒式A／A类三种常用的运算放大器结构．提出了一种可用于各种高阶∑△调制器的全差分运算放大器。采用SIMC0．35μm标准CMOS工艺．完成了含共模反馈电路的全差分套筒式运算跨导放大器的设计。仿真结果表明放大器的直流增益为84．5dB,单位增益带宽为199MHz,相位裕度为51°,电路工作可靠,性能优良。