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提出一种双频微带整流电路。电路由一个十字型匹配枝节、二极管和直通滤波器组成。匹配枝节实现了二极管在两个频率下同时与50赘匹配,直通滤波器有效抑制了基频和高次谐波。用ADS2011 软件进行分析和设计,10mW 输入功率时,整流电路工作在1. 8GHz 和2. 4GHz 的射频-直流(RF-DC)转换效率分别为75. 8% 和71.1%。实测结果显示,在1. 8GHz 和2. 2GHz 频率上电路有最大RF-DC 转换效率,分别为50%和54%,分析了产生误差的原因。该双频整流电路具有输入功率低、易集成的特点,可用于RFID、嵌入式传感器等电子设备的无线供能。 相似文献
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主要研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题.采用8个2.5 mm GaN功率芯片设计、合成以及内匹配电路的测试,在漏极电压40 V,脉冲占空比10%,脉宽100μs的条件下进行功率匹配,实现了GaN功率HEMT在X波段8 GHz 140 W功率输出的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50 Ω... 相似文献
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报告了一个两级 C-波段功率单片电路的设计、制作和性能 ,该单片电路包括完全的输入端和级间匹配 ,输出端的匹配在芯片外实现 ,该放大器在 5.2~ 5.8GHz带内连续波工作 ,输出功率大于 36.6d Bm,功率增益大于 18.6d B,功率附加效率 34 % ,4芯片合成的功率放大器在 4 .7~ 5.3GHz带内 ,输出功率大于 4 2 .8d Bm( 19.0 W) ,功率增益大于 18.8d B,典型的功率附加效率为 34 %。 相似文献
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大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiC MESFET.优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗.优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性.四胞器件在脉宽为300 μs、占空比为10%脉冲测试时,2 GHz Vds=50 V脉冲输出功率为129 W(51.1 dBm),线性增益为13.0 dB,功率附加效率为31.4%. 相似文献
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文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的AlGaN/GaNKu波段内匹配功率管在11.8GHz~12.2GHz频带内,输出功率大于20W。在12GHz功率增益大于5dB,功率附加效率29.07%,是目前国内关于GaN功率器件在Ku波段连续波输出的最高报道。 相似文献
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为了改善传统F类射频功放LC输出匹配电路二阶阻抗不为零而造成的效率损害,提出了一种更加理想的新型LC输出匹配电路.根据双极型功放的特点,提出的新型LC输入匹配电路可以进一步提高输出效率.通过在Jazz SiGe BiCMOS 0.35μm工艺上的电路仿真设计表明,效率可以由63%增加到73%.工作在2.4GHz频段上的此F类功率放大器可以适用于采用非线性调制的射频发送端. 相似文献
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本论文设计并实现了一个用于UWB脉冲体制的3-5GHz超宽带平坦增益的全差分低噪声放大器。在电路设计上,采用了一种增益平坦化技术,并且利用了串连建峰与并联建峰技术,分别实现了宽带的输入匹配与整个电路大的增益带宽积。同时,利用反馈技术,进一步拓展带宽和削减带内增益波动。此LNA才用SMIC 0.18um CMOS射频工艺流片验证。测试结果表面电路3dB带宽为2.4~5.5GHz,最高增益可达13.2dB,在3-5GHz的带内增益波动仅为+/- 0.45dB,最低噪声系数为3.2dB.输入匹配性能良好,在2.9~5.4GHz范围内S11<-13dB,电路的输入P1dB为-11.7dBm@5GHz,电路采样1.8v供电,整个差分电路消耗电流9.6mA. 相似文献
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Multiwatt internal-matching techniques for multichip power GaAs f.e.t.s at 11 GHz and 12 GHz bands have been developed, adopting a lumped-element input circuit and a semidistributed output circuit. The internally matched device for the 11 GHz band exhibits 4 W power output with 3.4 dB associated gain, and the 12 GHz device 3.6 W power output with 3 dB associated gain. 相似文献
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基于国产的SiC衬底GaN外延材料,研制出大栅宽GaN HEMT单胞管芯。通过使用源牵引和负载牵引技术仿真出所设计模型器件的输入输出阻抗,推导出本器件所用管芯的输入输出阻抗。使用多节λ/4阻抗变换线设计了宽带Wilkinson功率分配/合成器,对原理图进行仿真,优化匹配网络的S参数,对生成版图进行电磁场仿真,通过LC T型网络提升管芯输入输出阻抗。采用内匹配技术,成功研制出铜-钼-铜结构热沉封装的四胞内匹配GaN HEMT。在频率为2.7~3.5 GHz、脉宽为3 ms、占空比为50%、栅源电压Vgs为-3 V和漏源电压Vds为28 V下测试器件,得到最大输出功率Pout大于100 W(50 dBm),PAE大于47%,功率增益大于13 dB。 相似文献
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《Electron Devices, IEEE Transactions on》1980,27(6):1025-1029
A high-power GaAs MESFET with a high packing density has been developed in order to increase the total gatewidth within limited practical device size. The gate-finger width was experimentally optimized to increase the packing density without deterioration of the power gain. The developed power MESFET is the crossover structure and has a total gatewidth of 15 mm with gate-finger width of 190 µm in a 2.2-mm-wide chip. The packing density was almost doubled, and the output powers of 25 W at 6 GHz, and 17 W at 8 GHz were obtained from the internally matched four-chip devices. 相似文献
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报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率PHEMT.在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制,实现了较好的工艺可控性和较高的工艺成品率.采用该工艺制作了总栅宽为19.2mm的功率PHEMT.用两枚这种芯片合成并研制的Ku波段内匹配功率管在14.0~14.5GHz频带内,输出功率大干20W,功率增益大于6dB,典型功率附加效率为31%. 相似文献
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Noguchi T. Aono Y. Watanabe K. Kameda S. 《Selected Areas in Communications, IEEE Journal on》1983,1(4):654-657
GaAs FET amplifier modules for 20 GHz band satellite communications have been developed using newly developed power FETs. The deep recess gate structure was adopted in the power FET, which improved both power output capability and power gain. Power added efficiency of 22 percent with more than 1 W power output has been achieved with 3 mm gate width FETs. The amplifier modules containing two-stage internally matched FET's can be hermetically sealed in metal packages. The modules had 8.4-8.9 dB linear gain in the 17.7-18.8 GHz band and 7.9-8.4 dB linear gain in the 18.5-19.6 GHz band. The power output at 1 dB gain compression point was more than 0.5 W. The third-order intermodulation distortion ratio was 81-83 dB at 18.2 GHz and 77-80 dB at 18.9 GHz, when individual output signal power was -4 dBm. 相似文献
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Internal-matching techniques, using lumped-element capacitors fabricated on high dielectric ceramics, have been developed for high power GaAs f.e.t.s in Ku- and K-bands. The developed internally matched high-power f.e.t. amplifier modules have exhibited 1.9 W power output with 4 dB associated gain at 14 GHz and 1.25 W power output with 3 dB associated gain at 18 GHz. 相似文献
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采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2GHz,脉冲宽度30μs,占空比10%)输出功率大于30W、功率增益12dB、功率附加效率大于30%的性能指标。由于直接采用管芯并联结构,省略了内匹配网络,器件的体积和重量较以往的Si微波双极功率晶体管大为降低;采用高温氧化技术克服了传统MESFET工艺中PECVD介质产生较高界面态的不足,减小了器件的泄漏电流,提高了器件性能。器件的研制成功,初步显示了SiC微波脉冲功率器件在体积小、重量轻、增益高、脉冲大功率输出和制作工艺简单等方面的优势。 相似文献