微波和高温器件的一种空气桥互连方法

空气桥是单片微波集成电路MMICs的一种高速互连技术,其目的是减少微波大功率器件单位而积的寄生电容,提高器件的频率特性.文中提出了一种灵活性很强,应用于微波和高温器件的空气桥定型方法.该方法利用不同性质的光刻进行多层甩胶、低温烘烤牺牲层,制出弧度很好的桥区拱形牺牲层,经低温烘烤的牺牲层的高度比烘烤前的高出60%.利用该方法可以制出高性能和高可靠性的窄气桥互连结构.     

一种新型的全局互连结构及其加工方法

随着特征尺寸的缩小,互连成为制约集成电路性能提高和成本下降的主要因素.为了降低互连延迟,提出了一种全新的全局互连结构,即利用掩膜电镀和CMP技术形成三维的铜互连结构,再利用牺牲层技术将三维结构镂空,得到悬空的全局互连结构.该结构可大大地降低全局互连对延迟的影响.     

基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT

报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2 μm×12.5 μm的InP HBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.     

基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT

报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2 μm×12.5 μm的InP HBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.     

利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件

优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。     

制备Cu互连悬空结构的新型工艺研究

为了降低集成电路中的互连延迟,采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺,以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构,借鉴MEMS工艺的牺牲层技术,用浓磷酸对Al2O3牺牲层进行湿法刻蚀,不仅在互连金属间介质层而且在层内介质层都形成了以空气为介质的Cu互连悬空结构.用一种叉指测试结构对以空气和聚酰亚胺为介质的互连性能进行了比较,结果表明,采用空气介质减小了互连线耦合电容,为进一步降低集成电路的互连延迟提供了途径.     

不同微空气桥结构的InP/InGaAs HBT

文章报道了几种具有不同微空气桥结构的InP HBT。由于微空气桥减小了寄生,发射极尺寸为2×12.5 um2 的InP/InGaAs HBT的截止频率和最大震荡频率都接近160GHz。论文将具有不同微空气桥结构的器件高频特性与传统InP HBT进行对比。对比表明,微空气结构明显降低了寄生,且双指微空气桥结构可以更有效的提高器件的射频特性。试验结果同时表明,微空气桥结构对于提高小尺寸发射极InP HBT的高频特性更有潜力。     

发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析

为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改善,热稳定性提高;与发射极电阻镇流方式相比,发射极空气桥HBT的截止频率(fT)相同,最大振荡频率(fmax)提高,最大稳定功率增益(MSG)高出约5dB.     

空气处理机组的一种节能控制方法

针对中央空调耗能较大，且传统的控制方法不太注重节能的问题，本文提出了一种新的控制方法，介绍了其原理，并在实例中实现了此控制方法。     

一种快速开发PCI桥设备驱动程序的方法

简要介绍了设备驱动程序开发工具WinDriver的特点和PCI驱动程序的设计方法，通过开发实例表明，用WinDriver开发出的基于PCI桥设备驱动程序具有开发周期短、移植性好、通用性强等优点。     

高温超导/铁电薄膜可调谐微波器件应用研究简介

高温超导/铁电薄膜可调谐微波器件具有高可调率、低损耗的优势,在未来智能化通信系统中有良好的应用前景。本文简介了可调谐器件的研究意义和高温超导可调谐技术比较,综述了铁电薄膜可调谐器件的研究进展和代表性成果,总结了其中的关键技术问题并给出了建议。     

高温超导微波器件在雷达接收机中的应用

高温超导微波器件具有极低损耗和极低噪声的优良特性。文中将低温前端与常规接收机前端进行了性能指标的对比，对超导微波器件主要是低温前端的应用进行分析。得出结论：超导器件的应用使得接收机的灵敏度与抗干扰性能等关键指标得到大幅度提高。     

高温超导体厚膜及其在微波无源器件上的若干应用

系统论述了高温超导体厚膜的概念、制备方法,高温超导体厚膜的特性,介绍了高温超导体厚膜在微波无源器件上的若干应用。     

一种新颖的MEMS表面工艺牺牲层厚度的电测量方法

牺牲层厚度是MEMS表面工艺中的一个重要参数,对它的测量和控制有着重要的意义。目前大多采用光机械的方法来测量,但是测试方法复杂、测试时间长。本文介绍了一种新颖的MEMS表面工艺牺牲层厚度测试技术,实现了牺牲层厚度的电测量。测试方法简单快捷,并且很便于测试系统集成。     

用于大功率微波器件的新型薄膜衰减材料

根据大功率微波电真空器件中衰减材料的作用及对衰减材料的要求,介绍了一种新型的FeSiAl薄膜衰减材料,并对这一材料的特点、微观结构及衰减机制进行了分析.     

Nanoparticle Assisted Mechanical Delamination for Freestanding High Performance Organic Devices

Organic electronics has the potential to be incorporated in any kind of surface morphology for wearable or fully portable applications. Unfortunately when organic devices, such as solar cells, are fabricated on flexible substrates, the device performance is severely limited unless the physical properties of such substrates are carefully chosen. Here, it is demonstrated that layers of nanoparticles with a size gradient distribution can be used to obtain high performance solar cell devices that can be effectively delaminated from an original flat and rigid glass substrate. Such sacrificial nanoparticles layers are incorporated in between the glass substrate and the semitransparent electrode of a polymer:fullerene (PTB7:PC₇₁BM) cell. After the cell delamination, freestanding flexible devices with power conversion efficiencies as high as 7.12% are obtained, which corresponds to 90% of the performance of the same cell fabricated on a standard glass smooth surface.     

表面贴装型微波器件

介绍了表面贴装型微波器件的最新进展状况,如陶瓷/铁氧体叠层共烧元件、微波陶瓷介质谐振器器件、SAW和FBAR器件、薄膜器件、RF宽带器件以及无源/有源集成功能模块等。